第7章 抗扰度与注入通道(S50 EMI)


I. 章节目标与结构

  1. 目标:定义抗扰度的注入通道模型与最小判据,建立外部场/端口/缆束注入对 Z_eft(omega)、ΔZ_rad(omega)、I_CM(omega) 与权重 w_{p,m}(omega) 的可校准响应关系与记录口径,并给出发布门限与可证伪准则。
  2. 结构:变量与域 → S50-EMI 注入通道与响应 → 工程实现与记录 → 可证伪准则 → 合规模板 → 跨章闭环。
  3. 共享到达时两口径(等价,须显式 gamma(ell) 与 d ell 并记录 delta_form):
    • 常量外提:T_arr = ( 1 / c_ref ) * ( ∫ n_eff d ell )
    • 一般口径:T_arr = ( ∫ ( n_eff / c_ref ) d ell )

II. 变量与域(Symbols & Domain)


S50-EMI|注入通道与响应(Minimal)


S50-EMI-1(外场注入的一阶响应)


S50-EMI-2(CDN/BCI/端口注入的共模等效)

C_inj 的 DM→CM 元决定 I_CM(omega) 上升与 Re{ΔZ_rad} 的同步上升。
x_mm^+(out) = C_inj(omega) · x_mm^+(in),
端口/夹具注入在混合模域表示:

S50-EMI-3(缆束注入与 LISN 一致性)

单调一致频率趋势与 Re{ΔZ_rad}(omega)、ΔW
I_CM(omega) = H_cm(omega) · u_inj(omega),
共模端口由 LISN/注入网络表征:

S50-EMI-4(S↔Z 与混合模归一)

回投 SE 域前保持功率守恒与互易,映射后通过 passivity/KK。
Z_mm = Z0_mm^{1/2} (I + S_mm)(I − S_mm)^{-1} Z0_mm^{1/2},
Znorm(omega) 与 T_mm/Z0_mm 下完成 S↔Z 映射:相同注入前后均在

S50-EMI-5(功率与场量的抗扰一致)

同向下降;采取封堵/回流闭合后同向上升注入提升导致 P_rad、|E_rad|/|H_rad|、I_CM
P_rad(omega) ≈ (1/2) · Re{ΔZ_rad(omega)} · |I_port(omega)|^2,
抗扰度门以端口等效功率与场量一致为基:

III. 工程实现与记录(最小执行口径)


IV. 可证伪准则(S50-EMI 对应)


V. 合规模板(可直接粘贴)


VI. 跨章引用与闭环