38-EFT.WP.EDX.EMI v1.0 | 第16章 设计规程与工程清单（Sign off）

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第16章 设计规程与工程清单（Sign off）

I. 章节目标与范围

1. 目标：将 EDX.EMI 的端口—路径—场量链路落为可执行设计规程与工程清单，以 Re{ΔZ_rad(omega)}、P_rad(omega) 与 E_rad/H_rad、I_CM(omega) 的单调一致性及相干窗 KPI 与正实/因果门为核心，确保 Z_eft(omega)、T_arr 的一致性与可发布性。
2. 范围：缝隙/开口、屏蔽/跨接、残桩/过孔、连接器/Launch、缆束/回流与现场测量耦合；频段覆盖相干窗 Ω 及其邻域。
3. 共享到达时两口径（等价，须显式路径/测度并记录 delta_form）：
   • 常量外提：T_arr = ( 1 / c_ref ) * ( ∫ n_eff d ell )
   • 一般口径：T_arr = ( ∫ ( n_eff / c_ref ) d ell )

II. 设计总则（Golden Rules.EMI）

• 封堵优先与最短回流：优先减少 sigma_seam/L_seam、加跨接与过孔桥、背钻长残桩，使 Re{ΔZ_rad}、I_CM 与 ΔW 同步下降。
• 混合模先行与端口归一：DM/CM 归一在前、回投单端在后；S↔Z 映射后必须通过 passivity/KK。
• 功率—场量一致性：以 P_rad ≈ ½·Re{ΔZ_rad}|I_port|^2 为中心，要求与 |E_rad|/|H_rad| 的相关系数 ρ ≥ ρ_gate。
• 相干窗内评估：相位/到达时拟合仅在 Ω 内进行；窗外采用能量合成，禁止外推窗内模型。
• 统一记录与回归：任何几何/接地/跨接改动同步更新 binding_ref/arrival、屏蔽参数与数据卡，确保回归可比。
• 两口径一致：同一 gamma(ell)/n_eff 上两种 T_arr 写法差值 ≤ u(T_arr) 为硬门。

III. 工程流程（六阶段）

• 需求与频带定义：确定 Ω=[ω1,ω2]、ρ_gate、Re{ΔZ_rad}/I_CM 门与现场条件；产出需求卡与初始 qa_gates。
• 拓扑与屏蔽/回流原型：标注 {γ_main, γ_side}、缝隙/跨接位置、残桩策略；估计 ΔW 与 ΔZ_rad 趋势；产出原型绑定卡。
• 版图与工艺落图：网格化/周期化缝隙、跨接/过孔桥、背钻、Launch 锥度与地指、缆束成对回流；输出 binding_ref 与屏蔽几何参数表。
• 计量计划与对齐流水线：端口一致化→去嵌/归一→S↔Z 映射→同步改正→路径改正→ΔZ_rad/P_rad→场量换算与相关性；输出 emi_metrology 卡。
• 原型迭代与证伪：实测/场站→KPI 与 J-系判据→不达标按“失败模式→处置表”闭环。
• 发布与签核：冻结 baseline_id 与 binding_ref；交付 dataset/pipeline/env_lock/audit 与联合验收卡。

IV. 屏蔽/接地/返回/连接/缆束规则（可检验）

• 屏蔽与缝隙：降低 sigma_seam/L_seam、减小 pitch_seam、提高 mesh_ratio；必要时加跨接/过孔栅栏。
  验收：实施后 Re{ΔZ_rad}、|E/H|、I_CM 同步下降；ΔW 下降。
• 返回与跨接：关键走线两侧与跨平面处布置环形/棋盘式缝合（孔距 ≤ 20×线高）与过孔桥。
  验收：ΔW 下降；I_CM 与 Re{ΔZ_rad} 下降；E_phase/GDR 不劣化。
• 残桩与过孔：限制 stub_len，优先背钻；标注 γ_side 并联动 ΔZ_rad。
  验收：背钻后 w_side/ΔZ_rad/|E/H| 同步下降。
• 连接器/Launch：锥度+地指优化；端口先做 DM/CM 归一再回投；控制 |C_{DM→CM}|。
  验收：I_CM 与 Re{ΔZ_rad} 不恶化；S↔Z 闭环功率/互易保持且过 passivity/KK。
• 缆束与回流：缆束成对回流、靠近关键信号返回；必要时在 ΔZ_rad 通道加入吸收/铁氧体并保证 Re{Z_eft}≥0。
  验收：I_CM、Re{ΔZ_rad} 与 ΔW 下降。

V. KPI 与验收门限（与 M20-EMI 对齐）

• 工程级：mean(Re{ΔZ_rad}) 处置后下降；ρ(P_rad,E/H) ≥ ρ_gate（建议 ≥0.8）；I_CM 与 Re{ΔZ_rad} 单调一致；ΔW ≤ ΔW_gate。
• 发布级：满足工程级且 passivity/KK=pass、两口径 T_arr 一致；（若用）|C_{DM→CM}| 低于门；数据卡/审计轨完整。

VI. 记录与 QA（与数据/管线卡对齐）

• 必填：binding_ref、arrival{form,gamma,measure,c_ref,Tarr,u_Tarr,delta_form}、屏蔽几何 {sigma_seam,L_seam,pitch_seam,mesh_ratio}、Znorm(ω)、（若用）T_mm/Z0_mm、Z_eft/argZ、ΔZ_rad/ I_port/ P_rad、E_rad/H_rad 标定与测距、I_CM、ΔW、qa_gates{check_dim,passivity,KK}。
• 相位改正：arg Z_corr(ω) = arg Z_raw(ω) − ( ω · Δt_sync )，相位解缠后拟合。
• 硬门：Re{Z_eft}≥0、KK=pass、Re{ΔZ_rad}≥0、ρ(P_rad,E/H)≥ρ_gate、两口径 T_arr 一致。

VII. 实现绑定与协同（I30-EMI / I40-EMI / Mx-*）

• I30-EMI：bind_cable / path_correct_emi / mode_project/merge。
• I40-EMI：map_S_to_Z_eft / em_port_align / prad2field。
• Mx-*：invert / ppc / evidence；以证据优先、复杂度次之；PPC 残差近白为过门标准。

VIII. 容差与健壮性（DFM/DFA）

• 将 sigma_seam/L_seam/pitch_seam/mesh_ratio、stub_len、跨接间距、Launch 几何与 AF/PF 误差、站址测距 R 以 ±σ 注入 SimStack.EMI，计算 KPI 与 ρ(P_rad,E/H) 容差敏感度；高敏项收紧设计窗口或提升制造/校准等级。
• 验收：容差蒙特卡罗通过率 ≥ 95%（可在项目卡细化）。

IX. 可证伪准则（Design Protocol 对应）

• J-DP-EMI-1（正实/因果）：Re{Z_eft}<0 或 KK 失败，否决归一/映射配置。
• J-DP-EMI-2（功率—场量相关）：corr(P_rad,E/H) < ρ_gate，否决场站/因子或辐射等效链。
• J-DP-EMI-3（封堵/跨接/背钻）：实施后 Re{ΔZ_rad} 与 |E/H|/I_CM 未同步下降，否决处置方案或几何记录。
• J-DP-EMI-4（混合模闭环）：S_se→S_mm→Z_mm→Z_se 功率/互易破坏或 KPI 恶化，否决 T_mm/Z0_mm 或回投流程。
• J-DP-EMI-5（两口径一致）：|T_arr^{(1)}−T_arr^{(2)}| > u(T_arr)，拒绝发布。

X. 合规模板（可直接粘贴）

• 设计验收卡（YAML）
• design_protocol_emi:
• project_id: "EDXEMI-PRJ-001"
• binding_ref: "LAY2PATH-EMI-0001"
• baseline_id: "BLSN-EMI-001"
• bands:
• - {w1: ω1, w2: ω2}
• arrival:
• form: "n_over_c" # or "one_over_c_times_n"
• gamma: "explicit"
• measure: "d_ell"
• c_ref: 299792458.0
• Tarr_s: 1.234e-09
• u_Tarr_s: 6.0e-12
• delta_form: "n_over_c"
• shielding:
• seams: {sigma_seam_S: 0.12, L_seam_mm: 18.0, pitch_seam_mm: 3.0, mesh_ratio: 0.6}
• bridges: {via_fence: true, pitch_mm: 2.0}
• returns:
• stitch_vias: {ring: true, pitch_mm: 2.0}
• backdrill: {enabled: true, max_stub_mm: 0.5}
• connectors:
• launch: {tapered: true, ground_fingers: "optimized"}
• modal_coupling_limit: {abs_C_DM2CM_max: 0.2}
• cables:
• pairing: {cm_return_paired: true}
• absorbers: {enabled: false}
• targets:
• Re_Zrad_drop: {required: true}
• rho_PRad_E: {gate: 0.8}
• rho_PRad_H: {gate: 0.8}
• ΔW_gate: 0.20
• qa_gates: ["check_dim","passivity(Re{Z}≥0)","KK_consistency"]
• signoff:
• design_owner: "..."
• emi_owner: "..."
• metrology_owner: "..."
• date: "2025-09-16"
• 验收脚本（伪代码）
• # S↔Z 与正实/因果
• Z = map_S_to_Z(S_ren, Znorm(ω), T_mm=Tmm, Z0_mm=Z0mm)
• ΔZ_rad = Z - Z_base
• assert min(Re(Z)) >= 0.0 and KK_consistency(Z)
• assert min(Re(ΔZ_rad)) >= 0.0
• # 相位/到达时与 KPI
• phi = unwrap(arg(Z) - ω*Δt_sync)
• Tarr = fit_linear_phase(phi, ω).slope
• E_phase = max_abs(phi - (ω*Tarr + φ0_opt))
• GDR = max_abs(grad(phi, ω) - median(grad(phi, ω)))
• assert abs(Tarr_n_over_c - Tarr_one_over_c_times_n) <= u_Tarr
• # 功率—场量与共模一致
• P_rad = 0.5 * Re(ΔZ_rad) * abs(I_port)**2
• ρE, ρH = corr(P_rad, E_env), corr(P_rad, H_env)
• assert ρE >= ρ_gate and ρH >= ρ_gate
• ΔW = sum_abs(w_side[ω2] - w_side[ω1])
• assert monotone(ΔW, Re(ΔZ_rad))
• # 处置前后单调性（封堵/背钻/跨接）
• assert mean(Re(ΔZ_rad_after)) < mean(Re(ΔZ_rad_before))
• assert mean(E_after) < mean(E_before) and mean(I_CM_after) < mean(I_CM_before)

XI. 执行清单（工程勾选表）

checklist_emi:

- [ ] 定义 Ω、ρ_gate 与发布门限

- [ ] 标注 γ_main/γ_side、缝隙/跨接/残桩与回流方案

- [ ] 完成 DM/CM 归一、S↔Z 映射、phase_corr、path_correct

- [ ] 计算 Z_eft/ΔZ_rad/P_rad/E/H/I_CM/ΔW 与 KPI

- [ ] 封堵/跨接/背钻复测：Re{ΔZ_rad}/E/H/I_CM 与 ΔW 均下降

- [ ] 两口径 T_arr 一致（≤ u_Tarr），passivity/KK 通过

- [ ] 归档 dataset/pipeline/env_lock/audit（sha256）

- [ ] 设计/EMI/计量三方签署

XII. 跨章引用与闭环

• 依赖：第4章（最小方程与等效）、第5章（缝隙/开口/残桩）、第6章（电缆/连接与混合模）、第8章（S↔Z 与场量映射）、第9章（计量链）、第10章（实验设计与证伪）、第11章（工程规则）。
• 收口：本章将屏蔽—回流—连接—缆束—场站—端口—数据合规贯通为签核条款，据此执行 EMI 设计的预测性、可调参与可证伪的工程落地。