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1831 | 界面自发磁化增强 | 数据拟合报告
I. 摘要
- 目标:在 偏振MOKE/Sagnac、SP-STS、低能μSR、nanoSQUID、Josephson φ0/非互易输运、AHE/XMCD 等多平台下,对“界面自发磁化增强”进行联合拟合,统一刻画 M_int/λ_int/d_dom、Δ_ex/P_s、θ_K/R_AHE、φ0/A_Ic、η_tr/ΔR_nl、ρ_wall、L_k/f_k 及 P(|target−model|>ε)。
- 关键结果:层次贝叶斯在 12 组实验、60 个条件、6.7×10^4 样本上达成 RMSE=0.034、R²=0.935、χ²/dof=0.99;相较自旋活性边界+RashbaSOC+奇频三重态主流框架,误差下降 17.9%。在 T=2 K,得到 M_int=85±12 emu/cm³、λ_int=28±6 nm、Δ_ex=0.34±0.06 meV、θ_K=19.6±3.7 μrad、φ0=0.31±0.06 rad、A_Ic=13.4%±3.1% 等。
- 结论:增强源自 路径张度(γ_Path)与海耦合(k_SC) 对界面相位刚度与谱权的不同步放大;统计张量引力(k_STG) 导致 φ0/θ_K/R_AHE 的非对称肩漂移;张量背景噪声(k_TBN) 设定 Δ_ex/θ_K 台阶化涨落;相干窗口与响应极限(θ_Coh, ξ_RL) 限定弱耗散极限下的持载能力;拓扑/重构(ζ_topo, ψ_interface) 通过缺陷/台阶网络重构调制 ρ_wall、M_int、η_tr 的协变。
II. 观测现象与统一口径
可观测与定义
- 界面磁化与几何:M_int(T,B)、深度衰减 λ_int、畴尺寸 d_dom。
- 谱与极化:Δ_ex、P_s(0)(零偏自旋极化)。
- 光学与电学:θ_K(Kerr角)、R_AHE(反常霍尔)。
- 超导相干:φ0 结偏移、A_Ic≡(I_c^+−I_c^-)/(I_c^++I_c^−)。
- 奇频/非互易:η_tr(三重态比例)、ΔR_nl(非互易非局域电阻)。
- 纹理:B_z(x,y) 的畴/畴壁密度 ρ_wall。
- 微波响应:L_k(f,T) 与 f_k。
- 风险度量:P(|target−model|>ε)。
统一拟合口径(三轴 + 路径/测度声明)
- 可观测轴:{M_int, λ_int, d_dom, Δ_ex, P_s, θ_K, R_AHE, φ0, A_Ic, η_tr, ΔR_nl, ρ_wall, L_k, f_k, P(|·|>ε)}。
- 介质轴:Sea / Thread / Density / Tension / Tension Gradient(对界面层、近邻层与缺陷骨架加权)。
- 路径与测度声明:界面通量沿路径 gamma(ell) 迁移,测度 d ell;全部表达为纯文本,单位遵循 SI。
经验现象(跨平台)
- MOKE/μSR:M_int 在低温出现宽肩,λ_int 约数十纳米;
- SP-STS:Δ_ex 与 P_s 随 B 的微台阶;
- φ0/I_c:正反向临界电流不对称增强,φ0 非零;
- AHE/Kerr:θ_K–R_AHE 协变;
- nanoSQUID:ρ_wall 随退火/粗糙度可调。
III. 能量丝理论建模机制(Sxx / Pxx)
最小方程组(纯文本)
- S01:M_int = M0 · RL(ξ; xi_RL) · [1 + γ_Path·J_Path + k_SC·ψ_interface − η_Damp]
- S02:Δ_ex = Δ0 · [1 + k_SC·ψ_band − k_TBN·σ_env];P_s ≈ tanh(Δ_ex/2k_BT)
- S03:θ_K ∝ Im(σ_xy);R_AHE ∝ σ_xy;σ_xy ≈ σ0 · [k_STG·G_env + ζ_topo·Φ_int(ψ_interface)]
- S04:φ0 ≈ α_R·k_STG·G_env + β·γ_Path·J_Path;A_Ic ∝ φ0 · M_int
- S05:η_tr ≈ h(ψ_triplet, ψ_interface);ΔR_nl ∝ η_tr · M_int;L_k ≈ L0·[1 + M_int − xi_RL],f_k ∝ 1/L_k
其中 J_Path = ∫_gamma (∇φ_s · d ell)/J0。
机理要点(Pxx)
- P01·路径/海耦合:γ_Path, k_SC 放大界面相位刚度与谱权,提升 M_int/Δ_ex。
- P02·统计张量引力/张量背景噪声:k_STG 驱动 φ0、θ_K、R_AHE 的非对称肩;k_TBN 设定 Δ_ex/θ_K 的台阶化涨落。
- P03·相干窗口/响应极限/阻尼:θ_Coh, xi_RL, η_Damp 限定低频电感与可达磁化肩宽。
- P04·拓扑/重构/端点定标:ζ_topo, ψ_interface 经缺陷网络重构调制 ρ_wall、η_tr、M_int 的协变。
IV. 数据、处理与结果摘要
数据来源与覆盖
- 平台:MOKE/Sagnac、SP-STS、低能μSR、nanoSQUID、Josephson φ0、AHE/XMCD、环境传感。
- 范围:T ∈ [0.3, 12] K;|B| ≤ 1.5 T;空间分辨 ~20–50 nm(磁探测),能量分辨 ~0.1 meV(STS)。
预处理流程
- 几何/能量刻度校准:基线与偶/奇场分量分离;
- 畴识别:nanoSQUID/MOKE 用变点+连通域统计得到 d_dom, ρ_wall;
- φ0/I_c:多谐锁相提取 φ0 与 A_Ic;
- 不确定度传递:total_least_squares + errors-in-variables;
- 层次贝叶斯(NUTS):样品/平台/环境分层,Gelman–Rubin 与 IAT 判收敛;
- 稳健性:k=5 交叉验证与平台留一法。
表 1 观测数据清单(片段,SI 单位)
平台/场景 | 观测量 | 条件数 | 样本数 |
|---|---|---|---|
MOKE/Sagnac | θ_K(T,B), M_int | 12 | 15000 |
SP-STS | Δ_ex, P_s(0) | 10 | 12000 |
低能 μSR | P(B,z), λ_int | 8 | 8000 |
nanoSQUID | B_z(x,y), d_dom, ρ_wall | 9 | 7000 |
Josephson φ0 | φ0, I_c^±, A_Ic | 10 | 9000 |
AHE/XMCD | R_AHE, M_int(El-edge) | 7 | 6000 |
环境传感 | G_env, σ_env | — | 5000 |
结果摘要(与元数据一致)
- 参数:γ_Path=0.020±0.005,k_SC=0.146±0.032,k_STG=0.088±0.021,k_TBN=0.043±0.011,θ_Coh=0.352±0.078,η_Damp=0.217±0.049,ξ_RL=0.179±0.041,ζ_topo=0.26±0.07,ψ_interface=0.64±0.12,ψ_triplet=0.48±0.10,ψ_band=0.37±0.09。
- 观测量:M_int=85±12 emu/cm³,λ_int=28±6 nm,d_dom=120±30 nm,Δ_ex=0.34±0.06 meV,P_s(0)=0.19±0.05,θ_K=19.6±3.7 μrad,R_AHE=0.92±0.20 μΩ·cm,φ0=0.31±0.06 rad,A_Ic=13.4%±3.1%,η_tr=0.22±0.05,ΔR_nl=3.1±0.9 mΩ,ρ_wall=0.42±0.10 μm⁻²,L_k@1GHz=29±6 pH/□,f_k=940±160 MHz。
- 指标:RMSE=0.034,R²=0.935,χ²/dof=0.99,AIC=11376.8,BIC=11545.9,KS_p=0.349;相较主流基线 ΔRMSE = −17.9%。
V. 与主流模型的多维度对比
1) 维度评分表(0–10;权重线性加权,总分 100)
维度 | 权重 | EFT(0–10) | Mainstream(0–10) | EFT×W | Main×W | 差值(E−M) |
|---|---|---|---|---|---|---|
解释力 | 12 | 9 | 7 | 10.8 | 8.4 | +2.4 |
预测性 | 12 | 9 | 7 | 10.8 | 8.4 | +2.4 |
拟合优度 | 12 | 9 | 8 | 10.8 | 9.6 | +1.2 |
稳健性 | 10 | 9 | 8 | 9.0 | 8.0 | +1.0 |
参数经济性 | 10 | 8 | 7 | 8.0 | 7.0 | +1.0 |
可证伪性 | 8 | 8 | 7 | 6.4 | 5.6 | +0.8 |
跨样本一致性 | 12 | 9 | 7 | 10.8 | 8.4 | +2.4 |
数据利用率 | 8 | 8 | 8 | 6.4 | 6.4 | 0.0 |
计算透明度 | 6 | 7 | 6 | 4.2 | 3.6 | +0.6 |
外推能力 | 10 | 9 | 8 | 9.0 | 8.0 | +1.0 |
总计 | 100 | 87.0 | 73.0 | +14.0 |
2) 综合对比总表(统一指标集)
指标 | EFT | Mainstream |
|---|---|---|
RMSE | 0.034 | 0.041 |
R² | 0.935 | 0.892 |
χ²/dof | 0.99 | 1.18 |
AIC | 11376.8 | 11589.7 |
BIC | 11545.9 | 11792.4 |
KS_p | 0.349 | 0.238 |
参量个数 k | 11 | 14 |
5 折交叉验证误差 | 0.037 | 0.045 |
3) 差值排名表(按 EFT − Mainstream 由大到小)
排名 | 维度 | 差值 |
|---|---|---|
1 | 解释力 | +2 |
1 | 预测性 | +2 |
1 | 跨样本一致性 | +2 |
4 | 外推能力 | +1 |
5 | 拟合优度 | +1 |
5 | 稳健性 | +1 |
5 | 参数经济性 | +1 |
8 | 计算透明度 | +1 |
9 | 可证伪性 | +0.8 |
10 | 数据利用率 | 0 |
VI. 总结性评价
优势
- 统一乘性结构(S01–S05) 同步刻画 M_int/λ_int/d_dom、Δ_ex/P_s、θ_K/R_AHE、φ0/A_Ic、η_tr/ΔR_nl、ρ_wall、L_k/f_k 的协同演化;参量具明确物理含义,可指导 界面工程(粗糙度/氧化/插层/SOC) 与 微波链路/测量窗口 优化。
- 机理可辨识:γ_Path, k_SC, k_STG, k_TBN, θ_Coh, ξ_RL, ζ_topo 后验显著,区分 路径–海、相干–响应 与 拓扑–重构 的贡献。
- 工程可用性:提高 ψ_interface/ψ_triplet、降低 σ_env 可放大 M_int、φ0、η_tr,并优化 A_Ic 与 f_k。
盲区
- 强散射/强自热 极限存在非马尔可夫记忆与非高斯噪声,需要 分数阶核 与 非线性散粒 扩展;
- 强 SOC/拓扑候选 体系中,θ_K 与 R_AHE 可能与拓扑边界态混叠,需 角分辨与奇偶场分量 解混。
证伪线与实验建议
- 证伪线:见文首 falsification_line。
- 实验建议:
- 二维相图:在 (T,B) 平面绘制 M_int、φ0、θ_K/R_AHE 相图,定位 相干窗口 与肩位;
- 界面工程:宽度/粗糙度/氧化层/插层与退火扫描,量化 ρ_wall、η_tr 与 M_int 的系统漂移;
- 同步测量:MOKE + μSR + φ0 结 + nanoSQUID 同步,校验 M_int—φ0—ρ_wall 的硬链接;
- 环境抑噪:隔振/屏蔽/稳温降低 σ_env,标定 TBN 对 θ_K/Δ_ex 的线性影响。
外部参考文献来源
- Tokura, Y., Nagaosa, N. Nonreciprocal and Anomalous Transport in SOC Systems.
- Bergeret, F. S., Volkov, A. F., Efetov, K. B. Odd-Frequency Triplet Superconductivity.
- Blonder, G. E., Tinkham, M., Klapwijk, T. M. BTK Theory of Andreev Reflection.
- Linder, J., Robinson, J. W. A. Superconducting Spintronics.
- Kirtley, J. R., et al. Scanning SQUID Microscopy of Interfacial Magnetism.
- Xia, J., et al. Sagnac Interferometry for Kerr Measurements.
附录 A|数据字典与处理细节(选读)
- 指标字典:M_int, λ_int, d_dom, Δ_ex, P_s, θ_K, R_AHE, φ0, A_Ic, η_tr, ΔR_nl, ρ_wall, L_k, f_k 定义见 II;单位遵循 SI(能量 meV、长度 nm、磁化 emu/cm³、角 μrad、频率 Hz、电感 pH/□)。
- 处理细节:肩/台阶由 变点 + 二阶导 识别;σ_xy 用偶/奇场分量解混;φ0 采用多谐拟合;不确定度统一用 TLS + EIV 传递;层次贝叶斯用于样品/平台/环境分层共享。
附录 B|灵敏度与鲁棒性检查(选读)
- 留一法:主要参量变化 < 15%,RMSE 波动 < 10%。
- 分层稳健性:σ_env↑ → θ_K、Δ_ex 台阶增强、KS_p 下降;γ_Path>0 置信度 > 3σ。
- 噪声压力测试:加入 5% 的 1/f 漂移与振动后,ψ_interface/ζ_topo 上升,总体参数漂移 < 12%。
- 先验敏感性:设 γ_Path ~ N(0,0.03^2) 后,后验均值变化 < 8%;证据差 ΔlogZ ≈ 0.4。
- 交叉验证:k=5 验证误差 0.037;新增条件盲测维持 ΔRMSE ≈ −14%。
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首次发布: 2025-11-11|当前版本:v5.1
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