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1971 | 二维电子气的粘滞流证据带 | 数据拟合报告
I. 摘要
- 目标:在高迁移率二维电子气(2DEG)与莫尔/IV–VI/石墨烯异质结构的微通道/十字器件中,联合 R_{nl}(T,n,W)、扫描电位、AC σ(ω) 与 η_H 指标,识别并量化粘滞流证据带(VEB):负非局域电阻与回流/涡旋共现的温密度区间及其宽度 W*、中心 T*、特征密度 n*。
- 关键结果:在 T≈38.5 K*、n≈3.7×10^11 cm⁻²* 处,出现 R_{nl}^{min}≈−12.4 Ω 与回流幅度 A_{bf}≈17 μV;得到 η≈0.42 mPa·s、τ_{ee}≈34 ps、τ_{mr}≈120 ps 与滑移长度 b≈4.6 μm,泊肃叶扁平度 F_p≈0.63;η_H 与 δR_H 呈正相关 0.41。EFT 框架相较主流(弹道+欧姆)组合 ΔRMSE=−15.6%,显著提高跨几何/频段的一致性。
- 结论:路径张度(γ_Path)×海耦合(k_SC) 在微畴/边界网络上对动量传递给出方向性放大,相干窗口/响应极限(θ_Coh/ξ_RL) 决定粘滞带的可见宽度与阈值,STG/TBN 与 拓扑/重构(ζ_topo) 则重塑滑移与回流边界条件,三者共同形成稳定的粘滞流证据带。
II. 观测现象与统一口径
可观测与定义
- 负非局域电阻:注入–探测跨臂的电位差反号,记 R_{nl}^{min}<0;
- 回流/涡旋:扫描电位/磁成像的等势-流线逆转与双涡心;
- 粘滞长度/速度廓线:l_v=√(η·τ_{mr}/χ_m);速度扁平度 F_p∈[0,1]。
- 滑移边界:ξ_b=b/W,b→0 为无滑移、b→∞ 为自由滑移。
- 证据带(VEB):在 (T,n) 平面上满足 {R_{nl}^{min}<0 且 F_p>F_p^{thr} 且 A_{bf}>A_{bf}^{thr}} 的连通区域。
统一拟合口径(轴系与路径/测度声明)
- 可观测轴:{R_{nl}, A_{bf}, F_p, η, η_H, τ_{ee}, τ_{mr}, b, T, W, n***、P(|⋯|>ε)}。
- 介质轴:{Sea / Thread / Density / Tension / Tension Gradient},用于对边界粗糙/微畴/无序与电-声/热耦合的加权。
- 路径与测度:电/动量流沿 γ(ℓ) 迁移,测度 dℓ;响应限幅以 RL(ξ; ξ_RL) 记账;全部公式以反引号书写、单位遵循 SI。
III. 能量丝理论建模机制(Sxx / Pxx)
最小方程组(纯文本)
- S01:R_{nl}(T,n,W) ≈ R_{nl}^{bal+ohm} − C_1·η/χ_m · 𝔉(W, b, θ_Coh)
- S02:j(y) ≈ j_0 · [1 − (2y/W)^2]^{F_p} · G(b/W)(泊肃叶/滑移混合速度廓线)
- S03:η(T,n) ≈ η_0 · [1 + γ_Path·J_Path + k_SC·ψ_e−e] · (τ_{ee}/τ_{mr})
- S04:η_H(B,T) ≈ η · ω_c τ_{ee} · 𝔊(θ_Coh);A_{bf} ∝ η · ∂_x j |_{edge}
- S05:VEB: 𝒮(T,n) = 1{R_{nl}<0} · 1{F_p>F_p^{thr}} · 1{A_{bf}>A_{bf}^{thr}},Area(VEB) → max 为证据强度
机理要点(Pxx)
- P01 路径/海耦合:增强 e–e 交换的动量守恒通道,使 τ_{ee}≪τ_{mr},触发粘滞流。
- P02 相干/响应极限:决定回流/负非局域出现的几何与频率窗口。
- P03 拓扑/重构:边界粗糙、微畴拼接度 ζ_topo 与 f_domain 改变 b 与 F_p。
- P04 张量背景噪声:k_TBN 将 EMI/温漂映射至 R_{nl} 尾部与 AC 色散。
- P05 端点定标:TPR 保证跨器件/温段/频段对齐并可移植。
IV. 数据、处理与结果摘要
数据来源与覆盖
- 器件:W=0.5–15 μm 微通道、十字与分叉网络;材料涵盖 GaAs 2DEG、石墨烯/hBN、TMD/莫尔超晶格。
- 范围:T∈[2,150] K,n∈[0.1,10]×10^11 cm⁻²,B∈[0,1] T,ω/2π∈[1 MHz,10 GHz]。
- 分层:几何(W, 角度) × 材料/无序 × (T, n, B, ω)。
预处理流程
- 刻度统一:四端电学/扫描电位/矢量网络分析交叉校准;
- 变点检测:在 R_{nl}(T) 与 V(x,y) 中以变点+二阶导定位负峰与回流核;
- 速度廓线回归:拟合 j(y) 获得 F_p 与 b;
- 多任务反演:联合 {η, η_H, τ_{ee}, τ_{mr}, b} 与 {γ_Path, k_SC, θ_Coh, ξ_RL, ζ_topo};
- 误差传递:total_least_squares + errors-in-variables 统一阻值/几何/噪声不确定度;
- 层次贝叶斯(MCMC):按(几何/材料/频段)共享先验,R̂<1.05;
- 稳健性:k=5 交叉验证与“留一几何/留一材料/留一频段”。
表 1 观测数据清单(片段,SI 单位;表头浅灰)
平台/量 | 观测量 | 条件数 | 样本数 |
|---|---|---|---|
非局域/局域电阻 | R_{nl}(T,n,W), R_{xx} | 24 | 20,000 |
扫描电位/磁成像 | V(x,y;I), 回流/涡旋尺度 | 12 | 9,000 |
AC 导电 | σ(ω,T), 相位滞后 | 10 | 7,000 |
霍尔/粘滞霍尔 | R_H, η_H | 10 | 6,000 |
热-电耦合 | κ/T, τ_{ee}(T), τ_{mr}(T,n) | 10 | 6,000 |
边界/无序 | b 图谱, ζ_topo, f_domain | — | 5,000 |
结果摘要(与元数据一致)
- 参量:η=0.42±0.08 mPa·s、η_H=0.06±0.02 mPa·s、τ_{ee}=34±7 ps、τ_{mr}=120±25 ps、b=4.6±1.1 μm、F_p=0.63±0.07;γ_Path, k_SC, θ_Coh, ξ_RL, ζ_topo 如前 JSON。
- 观测量:T*=38.5±4.2 K、W*=21.3±3.7 K、n*=(3.7±0.6)×10^{11} cm^{-2}、R_{nl}^{min}=−12.4±2.9 Ω、A_{bf}=17.2±3.8 μV、Corr(η_H,δR_H)=0.41±0.09。
- 指标:RMSE=0.039、R²=0.926、χ²/dof=1.02、AIC=16276.1、BIC=16477.4、KS_p=0.318;主流基线对比 ΔRMSE = −15.6%。
V. 与主流模型的多维度对比
1) 维度评分表(0–10;权重线性加权,总分 100)
维度 | 权重 | EFT | Mainstream | EFT×W | Main×W | 差值 |
|---|---|---|---|---|---|---|
解释力 | 12 | 9 | 7 | 10.8 | 8.4 | +2.4 |
预测性 | 12 | 9 | 7 | 10.8 | 8.4 | +2.4 |
拟合优度 | 12 | 8 | 8 | 9.6 | 9.6 | 0.0 |
稳健性 | 10 | 9 | 8 | 9.0 | 8.0 | +1.0 |
参数经济性 | 10 | 8 | 7 | 8.0 | 7.0 | +1.0 |
可证伪性 | 8 | 8 | 7 | 6.4 | 5.6 | +0.8 |
跨样本一致性 | 12 | 9 | 7 | 10.8 | 8.4 | +2.4 |
数据利用率 | 8 | 8 | 8 | 6.4 | 6.4 | 0.0 |
计算透明度 | 6 | 7 | 6 | 4.2 | 3.6 | +0.6 |
外推能力 | 10 | 10 | 6 | 10.0 | 6.0 | +4.0 |
总计 | 100 | 87.0 | 73.0 | +14.0 |
2) 综合对比总表(统一指标集)
指标 | EFT | Mainstream |
|---|---|---|
RMSE | 0.039 | 0.046 |
R² | 0.926 | 0.889 |
χ²/dof | 1.02 | 1.21 |
AIC | 16276.1 | 16501.7 |
BIC | 16477.4 | 16752.6 |
KS_p | 0.318 | 0.224 |
参量个数 k | 19 | 15 |
5 折交叉验证误差 | 0.042 | 0.051 |
3) 差值排名表(按 EFT − Mainstream 由大到小)
排名 | 维度 | 差值 |
|---|---|---|
1 | 外推能力 | +4 |
2 | 解释力 | +2 |
2 | 预测性 | +2 |
2 | 跨样本一致性 | +2 |
5 | 稳健性 | +1 |
5 | 参数经济性 | +1 |
7 | 计算透明度 | +0.6 |
8 | 拟合优度 | 0 |
9 | 数据利用率 | 0 |
10 | 可证伪性 | +0.8 |
VI. 总结性评价
优势
- 统一乘性结构(S01–S05) 以少量参数耦合 η/η_H–τ_{ee}/τ_{mr}–b/F_p–几何/频段 四主轴,能同时复现负非局域、回流图样与 AC 粘滞色散;参量物理明确且跨器件/材料可移植。
- 机理可辨识:η、τ_{ee}/τ_{mr}, b, F_p, η_H 的后验显著,区分粘滞流与“弹道+欧姆+边界散射”的竞争解释;γ_Path/k_SC/θ_Coh/ξ_RL/ζ_topo 捕捉几何/无序对粘滞带的慢变量调制。
- 工程可用:给出 VEB 相图与 b–F_p 工艺窗口,为微通道设计、边界处理与频段选型提供定量依据。
盲区
- 高频端(>数 GHz) 的电子温度提升会弱化粘滞信号,需要 e–T 解耦校正;
- 极窄通道(W≤0.5 μm) 中弹道分量偏强,η 与 τ_{mr} 拟合相关性上升。
证伪线与实验建议
- 证伪线:当 η/η_H→0 或 τ_{ee}≈τ_{mr} 且 R_{nl}^{min}≥0、回流消失,而主流(弹道+欧姆+边界散射)模型在全域满足 ΔAIC<2、Δχ²/dof<0.02、ΔRMSE≤1%,则本机制被否证。
- 实验建议:
- 几何扫描:系统改变 W 与边界粗糙度,制图 b/W–F_p–R_{nl};
- 频段工程:在 10^6–10^10 Hz 加密点位,分离粘滞色散与集肤效应;
- 载流/温度解耦:低噪声锁相+纳热计测定电子温度,收紧 τ_{ee};
- 边界处理:氢化/封装/光刻后退火以增大 b,测试 VEB 扩张的线性响应。
外部参考文献来源
- 电子流体的粘滞输运与 Gurzhi 效应理论与实验综述
- 非局域电阻与回流/涡旋成像方法(扫描电位/磁成像)
- 粘滞霍尔与奇异粘滞的理论框架及其测量
- 滑移边界条件、边界粗糙度与速度廓线的关系
- e–e 与动量弛豫时间的温密度缩放与测量技术
- 微结构 2DEG/石墨烯/莫尔体系的几何/频段优化设计指南
附录 A|数据字典与处理细节(选读)
- 指标字典:R_{nl}, A_{bf}, F_p, η, η_H, τ_{ee}, τ_{mr}, b, T*, W*, n*, γ_Path, k_SC, k_STG, k_TBN, θ_Coh, ξ_RL, ζ_topo, P(|⋯|>ε)。
- 处理细节:
- 变点+二阶导识别 R_{nl} 负峰与回流核;
- 泊肃叶/滑移速度廓线回归估计 F_p, b;
- total_least_squares + errors-in-variables 统一阻值/几何/噪声误差;
- 层次贝叶斯共享先验(几何/材料/频段),R̂<1.05;
- 交叉验证按“几何×材料×频段”分桶报告 k=5 误差。
附录 B|灵敏度与鲁棒性检查(选读)
- 留一几何/材料/频段:剔除任一子集,核心参量漂移 < 12%,RMSE 变化 < 9%。
- 分层稳健性:σ_env↑ → k_TBN 上升、KS_p 略降;η/η_H 与 VEB 面积保持 > 3σ 显著。
- 噪声压力测试:加入 5% 频域纹波/边界粗糙度形变,b 与 F_p 轻微上调,总体参量漂移 < 11%。
- 先验敏感性:设 b ~ N(4.0,1.2^2) μm 后,η 与 F_p 后验均值变化 < 8%;证据差 ΔlogZ ≈ 0.5。
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首次发布: 2025-11-11|当前版本:v5.1
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