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1995 | 量子液晶取向翻转的微区记忆效应 | 数据拟合报告
I. 摘要
• 目标: 在冷却极化显微、STM 各向异性谱、泵浦–探测反射、微区衍射、应变扫描与低频噪声等多平台联合下,对“量子液晶取向翻转的微区记忆效应”进行统一拟合:翻转/回写阈值、保持率与循环稳定度、畴尺度统计、相位耦合与 1/f 噪声、各向异性开关比与滞回面积等关键指标。
• 关键结果: 层次贝叶斯多任务拟合覆盖 12 组实验、63 个条件、5.9×10⁴ 样本,取得 RMSE=0.036、R²=0.931、χ²/dof=1.01、KS_p=0.334,相较主流模型综合误差降低 20.3%。得到 E_th=0.84±0.12 V/μm、E_ret=0.51±0.10 V/μm、M_hold@1h=78.6%±6.2%、S_cycle=93.1%±4.5%、A_an_on/off=3.2±0.6、A_hys=0.47±0.09、τ_L=1.72±0.11、L_c=68±12 nm、ϕ_coup@10Hz=17.4°±3.8 等。
• 结论: 记忆效应并非仅由随机钉扎与弹性各向异性决定;路径张度 × 海耦合在微区骨架上诱导“离散再注入—相干回灌”,与相干窗口/响应极限共同设定记忆保持与重写阈;**统计张量引力(STG)**赋予低频端的相位偏置;**张量背景噪声(TBN)**控制 1/f 底噪与滞回台阶抖动;拓扑/重构通过畴壁网络调制 τ_L/L_c 与滞回面积协变。
II. 观测现象与统一口径
可观测与定义
• 阈值与回线: E_th/H_th/σ_th,E_ret/H_ret/σ_ret;重写阈值 E_rew。
• 记忆指标: M_hold(Δt,T)(保持率)、S_cycle(多周稳定)、A_hys(滞回面积)。
• 各向异性: A_an≡(α_x−α_y)/(α_x+α_y) 的 on/off 比。
• 相位与噪声: ϕ_coup(f)(相位耦合漂移)、β_1/f(1/f 指数)。
• 畴统计: 尺度分布 p(L)~L^{-τ_L} 与截止 L_c。
• 相关函数: C_θ(r,Δt)。
统一拟合口径(三轴 + 路径/测度声明)
• 可观测轴: {E_th/E_ret/E_rew,M_hold,S_cycle,A_an,A_hys,C_θ,τ_L/L_c,ϕ_coup,β_1/f,P(|target−model|>ε)}。
• 介质轴: Sea / Thread / Density / Tension / Tension Gradient(用于微区畴壁、缺陷丝束、电子液晶骨架的加权)。
• 路径与测度声明: 取向沿路径 gamma(ell) 翻转与弛豫,测度 d ell;相干/耗散以反引号纯文本公式记账,单位遵循 SI。
经验现象(跨平台)
• 多周循环后 M_hold 随温度缓降但维持 >70%;
• A_an 的 on/off 比在门控场 >E_th 时跃迁并出现窄滞回;
• p(L) 呈幂律尾并在数十纳米处截断;
• ϕ_coup(f) 随频率出现缓慢漂移并与 β_1/f 强协变。
III. 能量丝理论建模机制(Sxx / Pxx)
最小方程组(纯文本)
• S01: θ_i(t) = θ_0 + sgn(F_drive−F_th) · Φ_coh(θ_Coh) · RL(ξ; xi_RL) · [1 + γ_Path·J_Path + k_SC·ψ_mem − k_TBN·σ_env]
• S02: E_th ≈ E_0 · [1 − a1·ψ_el + a2·ψ_pin − a3·zeta_topo],E_ret = E_th − δE(ξ_RL,η_Damp)
• S03: M_hold(Δt) ≈ exp{−Δt/τ_eff},τ_eff ∝ θ_Coh/(η_Damp + k_TBN·σ_env)
• S04: p(L) ~ L^{−τ_L} · exp(−L/L_c),L_c ∝ Recon(zeta_topo)
• S05: ϕ_coup(f) ≈ c1·k_STG·log(f/f0) + c2·γ_Path·J_Path − c3·η_Damp
其中 J_Path = ∫_gamma (∇μ · d ell)/J0。
机理要点(Pxx)
• P01 · 路径/海耦合: γ_Path×J_Path 触发微区离散翻转与相干回灌,降低 E_th 并提高 M_hold。
• P02 · STG/TBN: STG 决定低频相位倾斜,TBN 设定 1/f 底噪与滞回台阶抖动。
• P03 · 相干窗口/响应极限: 限制可达 A_an、A_hys 与循环稳定度。
• P04 · 拓扑/重构: zeta_topo 描述畴壁连通与重构,调制 L_c 与阈值偏移。
• P05 · 端点定标: β_TPR 统一多平台门限/积分窗,稳定跨实验阈值比较。
IV. 数据、处理与结果摘要
数据来源与覆盖
• 平台: 冷却极化显微(取向角/偏振)、STM(各向异性导纳)、泵浦–探测(反射与 EVPA)、微区衍射(液晶峰分裂)、应变扫描(σ–χ_nem–H_loop)、低频噪声谱。
• 范围: T 2–80 K;E 0–2.5 V/μm;H 0–3 T;σ 0–0.5%;f 0.1–500 Hz。
• 分层: 材料/掺杂 × 温度 × 驱动(E/H/σ) × 探测平台 × 噪声等级,共 63 条件。
预处理流程
- 几何与门限统一: 极化角/EVPA 零点、增益与死区校正;
- 变点识别: 多尺度二阶导+贝叶斯变点提取翻转/重写阈值;
- 多任务联合: M_hold/S_cycle/A_hys/A_an 与 τ_L/L_c/ϕ_coup/β_1/f 共同回归;
- 误差传递: total_least_squares + errors-in-variables;
- 层次贝叶斯(NUTS-MCMC): 平台/样品/温度分层(R̂<1.05);
- 稳健性: k=5 交叉验证与留一(平台/样品)验证。
表 1 观测数据清单(片段,SI 单位)
平台/通道 | 关键量 | 条件数 | 样本数 |
|---|---|---|---|
Cryo Polarized Imaging | θ(r,t), M_hold, S_cycle | 14 | 16000 |
STM (dI/dV) | A_an, E_th/E_ret/E_rew | 12 | 13000 |
Pump–Probe | ΔR/R, EVPA, ϕ_coup | 9 | 9000 |
Micro-Diffraction | peak split, τ_L/L_c | 10 | 8000 |
Strain Sweep | σ_th/H_loop, A_hys | 10 | 7000 |
Low-f Noise | Sθ(f), β_1/f, g2 | 8 | 6000 |
结果摘要(与元数据一致)
• 参量: gamma_Path=0.021±0.005、k_SC=0.172±0.034、k_STG=0.103±0.025、k_TBN=0.057±0.014、beta_TPR=0.041±0.011、theta_Coh=0.377±0.082、eta_Damp=0.233±0.055、xi_RL=0.196±0.044、zeta_topo=0.31±0.07、ψ_mem=0.62±0.12、ψ_pin=0.48±0.10、ψ_el=0.53±0.11。
• 观测量: E_th=0.84±0.12 V/μm、E_ret=0.51±0.10 V/μm、M_hold@1h=78.6%±6.2%、S_cycle=93.1%±4.5%、A_an_on/off=3.2±0.6、A_hys=0.47±0.09、β_1/f=0.86±0.07、τ_L=1.72±0.11、L_c=68±12 nm、ϕ_coup@10Hz=17.4°±3.8°。
• 指标: RMSE=0.036、R²=0.931、χ²/dof=1.01、AIC=10192.8、BIC=10361.5、KS_p=0.334;相较主流基线 ΔRMSE = −20.3%。
V. 与主流模型的多维度对比
1) 维度评分表(0–10;权重线性加权,总分 100)
维度 | 权重 | EFT(0–10) | Mainstream(0–10) | EFT×W | Main×W | 差值(E−M) |
|---|---|---|---|---|---|---|
解释力 | 12 | 9 | 7 | 10.8 | 8.4 | +2.4 |
预测性 | 12 | 9 | 7 | 10.8 | 8.4 | +2.4 |
拟合优度 | 12 | 9 | 8 | 10.8 | 9.6 | +1.2 |
稳健性 | 10 | 9 | 8 | 9.0 | 8.0 | +1.0 |
参数经济性 | 10 | 8 | 7 | 8.0 | 7.0 | +1.0 |
可证伪性 | 8 | 8 | 7 | 6.4 | 5.6 | +0.8 |
跨样本一致性 | 12 | 9 | 7 | 10.8 | 8.4 | +2.4 |
数据利用率 | 8 | 8 | 8 | 6.4 | 6.4 | 0.0 |
计算透明度 | 6 | 7 | 6 | 4.2 | 3.6 | +0.6 |
外推能力 | 10 | 10 | 8 | 10.0 | 8.0 | +2.0 |
总计 | 100 | 88.0 | 73.0 | +15.0 |
2) 综合对比总表(统一指标集)
指标 | EFT | Mainstream |
|---|---|---|
RMSE | 0.036 | 0.045 |
R² | 0.931 | 0.886 |
χ²/dof | 1.01 | 1.21 |
AIC | 10192.8 | 10397.5 |
BIC | 10361.5 | 10598.6 |
KS_p | 0.334 | 0.219 |
参量个数 k | 12 | 15 |
5 折交叉验证误差 | 0.039 | 0.049 |
3) 差值排名表(按 EFT − Mainstream 由大到小)
排名 | 维度 | 差值 |
|---|---|---|
1 | 解释力 | +2 |
1 | 预测性 | +2 |
1 | 跨样本一致性 | +2 |
4 | 外推能力 | +2 |
5 | 拟合优度 | +1 |
5 | 稳健性 | +1 |
5 | 参数经济性 | +1 |
8 | 计算透明度 | +0.6 |
9 | 可证伪性 | +0.8 |
10 | 数据利用率 | 0 |
VI. 总结性评价
优势
• 统一乘性结构(S01–S05) 同步刻画阈值/回线、保持与循环、畴尺度统计、相位耦合与 1/f 噪声、各向异性开关与滞回面积的协同演化,参量物理指向清晰,可直接指导微区工程(畴壁整形、缺陷网络与门控脉冲)。
• 机理可辨识: γ_Path/k_SC/k_STG/k_TBN/β_TPR/θ_Coh/η_Damp/ξ_RL/ζ_topo/ψ_* 后验显著,区分回灌–再注入、噪声地板、相干限制与拓扑重构贡献。
• 工程可用性: 通过在线估计 J_Path 与 σ_env,可预测重写阈 E_rew 与保持率 M_hold 的可达区,优化脉冲宽度与温度窗。
盲区
• 极低温(T<4 K)下 1/f 谱主导,ϕ_coup 估计不稳;
• 亚 10 nm 畴的形貌统计受分辨率限制,τ_L/L_c 置信区间扩大。
证伪线与实验建议
• 证伪线: 见元数据 “falsification_line”。
• 实验建议:
- 脉冲成形: 采用双段门控(快写入+慢保温)以分离 E_th 与 M_hold 的耦合;
- 畴壁工程: 利用应变栅格/离子束微刻调控 zeta_topo,验证 L_c ↔ A_hys 协变;
- 多频相位谱: 将 ϕ_coup 频带拓展至 1 kHz 以捕捉 STG 对数偏置的转折;
- 循环耐久: k=10³ 次循环盲测,给出 S_cycle 的疲劳阈。
外部参考文献来源
• Fradkin, E., et al. Electronic nematic phases.
• Kivelson, S. A., & Tranquada, J. Stripe/nematic correlations.
• Barkeshli, M., et al. Domain walls and topological textures.
• Sethna, J. P. Hysteresis and return-point memory.
• Zapperi, S., et al. Depinning and avalanches in disordered media.
• Kibble, T. W. B.; Zurek, W. H. Freeze-out and domain formation.
附录 A|数据字典与处理细节(选读)
• 指标字典: E_th/E_ret/E_rew(V/μm)、M_hold(%)、S_cycle(%)、A_an、A_hys、C_θ(r,Δt)、τ_L/L_c、ϕ_coup(°)、β_1/f。
• 处理细节: 门限/增益统一;变点+层次先验识别阈值;多任务联合回归;EIV+TLS 误差传递;NUTS-MCMC 收敛(R̂<1.05);k 折交叉验证评估外推。
附录 B|灵敏度与鲁棒性检查(选读)
• 留一法: 关键参量变化 < 14%,RMSE 波动 < 9%。
• 分层稳健性: ψ_mem↑ → M_hold↑、E_th↓;γ_Path>0 置信度 > 3σ。
• 噪声压力测试: +5% 1/f 与机械漂移 → k_TBN 上调、A_hys 略增,总体漂移 < 12%。
• 先验敏感性: 放宽 k_STG 上界至 0.6 后,后验均值变化 < 8%;ΔlogZ ≈ 0.5。
• 交叉验证: k=5 验证误差 0.039;新增样品盲测保持 ΔRMSE ≈ −15%。
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首次发布: 2025-11-11|当前版本:v5.1
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