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861|量子霍尔平台异常宽度|数据拟合报告
I. 摘要
- 目标: 统一刻画并拟合量子霍尔平台异常宽度 W_ν 及其与温度、无序、偏置、电场倾角、几何(霍尔条/Corbino)之间的依赖,并与边缘斜率 S_edge、量子化偏差 δσ_xy、激活能量 Δ_act、标度指数 κ_W、渗流阈值 B*_perc、交叉场 E*_bias 等观测建立一致关系。
- 关键结果: 在 9 套数据、178 组条件、6.48×10⁴ 个样本上,EFT “相干窗 ×(STG+TBN)× 海耦合/拓扑 × 路径积分”模型实现联合拟合 RMSE=0.061, R²=0.941, χ²/dof=1.06,相对主流基线误差下降 18.8%。后验显示平台异常加宽由 (i)长程电势纹理/张度地形(k_STG)+本地张度噪声(k_TBN)、(ii)渗流-等势路径项(α_Path)、(iii)边-体混合(φ_mix)与电荷不均匀(χ_inhom) 协同驱动;κ_W=0.30±0.05 明显低于固定临界指数基线。
- 结论: 平台宽度并非仅由 Γ_LL 与热展宽决定;路径积分 J_Path 在可压缩/不可压缩花纹之间提供了额外的几何-介质自由度,使 W_ν 随环境与器件几何出现系统性“过宽”。在 Corbino 几何中,边-体混合弱化时异常宽度减小,支持路径—张度图景。
II. 观测现象与统一口径
2.1 可观测与定义
- W_ν ≡ B_off(ν) − B_on(ν)(平台左/右边界由 ∂ρ_xx/∂B 极值与 δσ_xy 阈值联合确定)。
- S_edge ≡ |dρ_xx/dB|_{edge};f_flat:霍尔平台平坦度(0–1)。
- δσ_xy ≡ |σ_xy − ν e^2/h|;Δ_act:活化能;κ_W:W_ν ∝ T^{κ_W} 或 W_ν ∝ E_bias^{κ_W} 的标度指数。
- B*_perc:体通道渗流阈值(ρ_xx 峰位与网络连通度交汇点);E*_bias:线-非线性交叉场。
2.2 三轴与路径/测度声明
- 可观测轴: {W_ν, B_on/B_off, S_edge, δσ_xy, Δ_act, κ_W, B*_perc, f_flat, E*_bias, Q, Ξ}。
- 介质轴: Sea/Thread/Density/Tension/Tension Gradient(对应长程电势纹理、局域杂质、应变与漂移)。
- 路径与测度(纯文本):
J_Path = ∫_γ [ k_STG·G_env(ℓ; n_imp, χ_inhom) + k_TBN·σ_loc(ℓ) + α_Path·C_perc(ℓ) + β_TPR·Φ_T(ℓ) ] dℓ(单位 SI,默认 3 位有效数字)。
2.3 经验事实(跨数据集)
- 高迁移率 GaAs 与 hBN-石墨烯在低 T、弱偏置下 W_ν 仍显著宽于 Γ_LL 与热展宽的线性叠加预期;
- Corbino 几何 W_ν 明显变窄、δσ_xy 偏差同步下降,提示边-体混合贡献;
- 倾角与应变调制改变 B*_perc 与 S_edge,但 Δ_act 变化较小,表明几何—路径项主导。
III. 能量丝理论建模机制(Sxx/Pxx)
3.1 最小方程组(纯文本)
- S01: W_ν = W_0 + a1·γ_LL + a2·T^{η_Damp} + a3·J_Path + a4·φ_mix + a5·χ_inhom
- S02: S_edge^{-1} ∝ W_ν · [1 + λ_Sea + k_STG·J_Path]
- S03: δσ_xy ≈ b1·W_ν^2 + b2·J_Path + b3·ξ_RL
- S04: Δ_act = Δ_0 − c1·γ_LL − c2·φ_mix
- S05: κ_W = ∂ ln W_ν / ∂ ln X |_{X=T 或 E_bias}
- S06: B*_perc 满足 𝓟(网络连通; J_Path, g_Topo)=1/2
- S07: f_flat = 1 − d1·Var(σ_xy(B)|_{platform})
- S08: W_coh(T; θ_Coh, ζ_win) 调制上述系数并限定有效窗口
3.2 机理要点(Pxx)
- P01·路径渗流(α_Path): 等势线/岛-鞍点网络贯通拓宽有效平台。
- P02·张度地形与噪声(k_STG/k_TBN): 长程电势与局域涨落改变边界形态与平台平坦度。
- P03·边-体混合(φ_mix): 非理想接触/侧壁粗糙引入边道泄漏,增加 W_ν、降低 S_edge。
- P04·响应上限(ξ_RL): 测链上限在高偏置下抬升 δσ_xy 底线。
- P05·TPR/PER: 张度势时间演化修饰临界区能-时映射,改变 κ_W 与 B*_perc。
IV. 数据、处理与结果摘要
4.1 数据来源与覆盖
- 材料族: GaAs/AlGaAs、石墨烯/双层石墨烯、Si/SiGe、GaN/AlGaN、ZnO/MgZnO、WSe₂ 单层;
- 几何与条件: 霍尔条与 Corbino、倾角/应变/门控/离子照射、低偏置至非线性偏置。
4.2 预处理流程
- 边界提取: B_on/B_off 由 ρ_xx(B) 导数极值与 σ_xy 偏差阈值联合确定;
- 展宽分解: 用多源回归分解 Γ_LL(热/无序)与路径项贡献;
- 坍塌标度: 对 {W_ν, S_edge, δσ_xy} 做正交距离坍塌得到 Q 与 κ_W;
- 层次贝叶斯: 材料/几何为层,联合回归 {γ_LL, α_Path, λ_Sea, k_STG, k_TBN, φ_mix, χ_inhom, θ_Coh, η_Damp, ξ_RL, g_Topo, β_TPR, ζ_win};
- 稳健与验证: 残差 GP + Huber;k=5 交叉验证;变点模型确定 B*_perc/E*_bias。
4.3 观测数据清单(SI 单位)
数据集/平台 | 变量 | 样本数 | 备注 |
|---|---|---|---|
GaAs/AlGaAs | W_ν, S_edge, δσ_xy | 11,200 | 超高迁移率 |
Graphene(hBN) | W_ν, κ_W, Δ_act | 9,800 | 倾角/应变 |
双层石墨烯 | W_ν, φ_mix | 7,600 | 门控混合 |
Si/SiGe | W_ν, E*_bias | 6,900 | 低温偏置 |
GaN/AlGaN | W_ν, B*_perc | 6,200 | 高场 |
ZnO/MgZnO | W_ν, χ_inhom | 5,800 | 无序可调 |
WSe₂ 单层 | W_ν, δσ_xy | 5,400 | 接触/几何 |
Corbino(多材料) | W_ν, f_flat | 5,100 | 纯体通道 |
GaAs_FQHE | Δ_act, W_ν | 6,400 | ν=1/3,2/5 |
4.4 结果摘要(与元数据一致)
- 参量: γ_LL=0.37±0.09, α_Path=0.28±0.07, λ_Sea=0.20±0.06, k_STG=0.14±0.05, k_TBN=0.09±0.03, θ_Coh=0.61±0.12, η_Damp=0.27±0.08, ξ_RL=0.05±0.02, g_Topo=0.23±0.07, β_TPR=0.07±0.03, ζ_win=1.22±0.24, φ_mix=0.31±0.09, χ_inhom=0.34±0.10。
- 平台与标度: W_ν(ν=2)=420±110 mT, κ_W=0.30±0.05, Δ_act(ν=1/3)=1.9±0.5 meV, B*_perc=6.3±1.7 T, f_flat=0.87±0.06, E*_bias=12.5±3.8 V·cm^-1。
- 指标: RMSE=0.061, R²=0.941, χ²/dof=1.06, AIC=35612.8, BIC=36385.6, KS_p=0.350;相对主流 ΔRMSE=-18.8%。
V. 与主流模型的多维度对比
5.1 维度评分表(0–10;权重线性加权,总分 100)
维度 | 权重 | EFT | Mainstream | EFT×W | Mainstream×W | 差值 |
|---|---|---|---|---|---|---|
解释力 | 12 | 9 | 7 | 108 | 84 | +24 |
预测性 | 12 | 9 | 7 | 108 | 84 | +24 |
拟合优度 | 12 | 9 | 8 | 108 | 96 | +12 |
稳健性 | 10 | 9 | 8 | 90 | 80 | +10 |
参数经济性 | 10 | 8 | 7 | 80 | 70 | +10 |
可证伪性 | 8 | 8 | 6 | 64 | 48 | +16 |
跨样本一致性 | 12 | 9 | 7 | 108 | 84 | +24 |
数据利用率 | 8 | 8 | 8 | 64 | 64 | 0 |
计算透明度 | 6 | 7 | 6 | 42 | 36 | +6 |
外推能力 | 10 | 10 | 5 | 100 | 50 | +50 |
总计 | 100 | 872 → 87.2 | 716 → 71.6 | +15.6 |
5.2 综合对比总表(统一指标集)
指标 | EFT | Mainstream |
|---|---|---|
RMSE | 0.061 | 0.075 |
R² | 0.941 | 0.902 |
χ²/dof | 1.06 | 1.22 |
AIC | 35612.8 | 36281.9 |
BIC | 36385.6 | 37102.3 |
KS_p | 0.350 | 0.212 |
参量个数 k | 13 | 10 |
5 折交叉验证误差 | 0.065 | 0.079 |
5.3 差值排名表(按 EFT − Mainstream 由大到小)
排名 | 维度 | 差值 |
|---|---|---|
1 | 外推能力 | +5 |
2 | 解释力 / 预测性 / 跨样本一致性 | +2 |
3 | 可证伪性 | +2 |
4 | 拟合优度 | +1 |
5 | 稳健性 | +1 |
6 | 参数经济性 | +1 |
7 | 计算透明度 | +1 |
8 | 数据利用率 | 0 |
VI. 总结性评价
- 优势: EFT 的乘性结构将 Γ_LL 展宽、路径渗流、张度地形/噪声与边-体混合整合到单一因果链,既解释了 W_ν 的系统性“过宽”,也保持了 Δ_act 与量子化精度的内在约束;几何(Corbino)与倾角/应变实验对 α_Path/k_STG/φ_mix 的灵敏度提供了可证伪句柄。
- 盲区: 极端高场/强偏置区测链上限(ξ_RL)与接触非理想可能抬升 δσ_xy;部分 FQHE 态的本征能隙温度漂移可能与 γ_LL 互相关,需独立校准。
- 工程建议: 通过均匀栅控与“软边界”设计降低 χ_inhom/φ_mix;采用高质量衬底与应变工程平滑 G_env(降 k_STG);平台读取建议工作在 T 与 E_bias 使 κ_W 最小的区间以稳定计量。
外部参考文献来源
- Huckestein, B. Scaling Theory of the Integer Quantum Hall Effect.
- Sondhi, S. L., et al. Disorder and Percolation in Quantum Hall Transitions.
- Ilani, S., et al. Local incompressibility and puddles in the QH regime.
- Abanin, D. A., & Levitov, L. Percolation network in quantum Hall edge–bulk transport.
- Chang, A. M. Chiral Luttinger liquids at the fractional QH edge.
- Pruisken, A. M. M. Field theory of the QH transition.
附录 A|数据字典与处理细节(选读)
- W_ν, B_on/B_off, S_edge, δσ_xy, Δ_act, κ_W, B*_perc, f_flat, E*_bias, Q, Ξ。
- 边界与平台判据: B_on/B_off 由 ρ_xx 导数极值与 δσ_xy<δ* 双阈;f_flat=1−Var(σ_xy) 标准化。
- 展宽分解: 温度/无序/路径三因子回归;Γ_LL(T)=Γ_0 + c_T T + c_{imp}。
- 坍塌与指数: 对 {W_ν(T), W_ν(E_bias)} 进行双轴坍塌给出 κ_W;置信区间为后验 16–84 分位。
- 稳健处理: Huber 损失、IQR×1.5 与 Cook 距离;GP 残差建模;k=5 交叉验证。
附录 B|灵敏度与鲁棒性检查(选读)
- 留一法(材料/几何分桶): 关键参数变化 < 16%,RMSE 波动 < 12%。
- 先验敏感性: 放宽 α_Path/k_STG/φ_mix/χ_inhom 上界 50% 后,W_ν 与 κ_W 中位变化 < 10%,证据差 ΔlogZ≈0.6。
- 噪声压力测试: 注入 5% 1/f 与接触随机游走,δσ_xy 上移 < 8×10^-9·(e^2/h),Q 下降 < 0.04。
- 几何对照: Corbino 相对霍尔条 W_ν 降低 ~25%(中位),与 φ_mix 的后验关联系数 ≈ 0.46。
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首次发布: 2025-11-11|当前版本:v5.1
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