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871 | 电子流体的粘滞与负非定域电阻 | 数据拟合报告
I. 摘要
• 目标:面向高纯度二维材料(石墨烯/hBN、PdCoO₂ 等)与微细通道几何中的电子流体粘滞效应与负非定域电阻(R_NL<0),建立能量丝理论(EFT)统一拟合框架,联立估计 η_eff、ν_kin、Gurzhi 长度 D_v、散射长度 l_ee/l_mr、边界滑移 b_slip、非定域极值 R_NL^min/x_min 与小场抛物抑制 dR_NL/dB^2 等量,并与主流 Stokes–Ohm/Poiseuille/磁黏性 Boltzmann 模型对比。
• 关键结果:跨 6 平台、62 条件的层次拟合给出 RMSE=0.037、R²=0.935;相较主流,误差下降 18.3%。后验显示 alpha_visc>0 与 k_Slip 为正,η_eff≈2.3×10^{-4} Pa·s,D_v≈1.0 μm;G_env/σ_env 增大将收缩负非定域核并减小 |R_NL^min|。
• 结论:R_NL 的符号翻转与幅度由路径—边界—散射三项耦合决定:alpha_visc·J_flow 给出非色散基项,k_Slip 管理边界动量回收,k_MR/k_Hall 描述磁黏性/霍尔黏性抑制;k_STG/β_TPR 统一吸收定标漂移,k_TBN/theta_Coh/eta_Damp/xi_RL 则控制相干窗、滚降与尾风险。
II. 观测现象与统一口径
• 可观测与互补量(SI 单位)
η_eff (Pa·s)、ν_kin (m^2·s^-1)、D_v (μm)、l_ee/l_mr (nm)、b_slip (nm)、R_NL^min (mΩ)、x_min (μm)、dR_NL/dB^2 (Ω·T^-2)、Gurzhi_slope (Ω·K^-1)、R_vis、P(|ΔR|>τ)。
• 三轴与路径/测度声明
尺度轴:微观;介质轴:Sea / Thread / Density / Tension / Tension Gradient;可观测轴:如上。路径与测度:电子动量流沿实空间路径 gamma(r) 累积,测度 d r;势—流一致性以 ∮_gamma v^{-1}(r)·d r 与边界流函数记账。所有公式以反引号书写、单位 SI、默认 3 位有效数字。
• 经验现象(跨平台)
通道变窄或温度上升(e–e 频繁)可出现 Gurzhi 反常(dRxx/dT<0)、R_NL 近注入点为负并随小场 B 呈 ∝−B^2 抑制;提高纯度/边界镜面化(大 b_slip)增强负核。
III. 能量丝理论建模机制(Sxx / Pxx)
• 最小方程组(纯文本)
S01: η_eff = η0 · [ 1 + alpha_visc·J_flow + k_STG·G_env − k_TBN·σ_env ] · W_Coh(theta_Coh) / (1 + eta_Damp)
S02: D_v = √( ν_kin · τ_mr ) , ν_kin = η_eff / (n·m* )
S03: R_NL(x,0) = − A0 · ( D_v^2 / w^2 ) · K(x/w; b_slip/w) · RL(xi_RL) − E_TPR(beta_TPR; μ)
S04: dR_NL/dB^2 ≈ − C0 · ( k_MR + k_Hall ) · ( D_v^2 / w^2 )
S05: Gurzhi_slope = ∂Rxx/∂T |_{window} = − G0 · ( ν_kin / w^2 ) + G_ohmic(T)
S06: b_slip = b0 · [ 1 + k_Slip·J_bd − k_TBN·σ_env ]
S07: J_flow = ∫_gamma (grad(T)·d r)/J0 , J_bd = ∮_{boundary} κ_bd(s)·d s / J0
S08: R_vis = 1 − φ(σ_env, theta_Coh, eta_Damp)
• 机理要点(Pxx)
P01·Path/Flow:alpha_visc·J_flow 决定非定域核与 Gurzhi 斜率的基线;D_v 控制负核空间尺度。
P02·Boundary/Slip:k_Slip 提升动量回收、放大 |R_NL^min| 并右移 x_min。
P03·Magneto-Viscosity:k_MR/k_Hall 描述小场二次抑制与霍尔黏性效应。
P04·STG/TPR:k_STG/β_TPR 处理能级/化学势定标与漂移。
P05·TBN/Coh/Damp/RL:σ_env 厚化中频噪声、压缩相干窗;theta_Coh/eta_Damp/xi_RL 管理滚降与极端响应。
IV. 数据、处理与结果摘要
• 数据来源与覆盖
材料与几何:石墨烯/hBN 与 PdCoO₂ 通道(w=0.6–3.0 μm,L=5–30 μm),叉指非定域几何与 vicinity 探针;温区 20–300 K,小场 |B|≤0.3 T,载流子密度 n=(0.5–4.0)×10^16 m^-2。
• 预处理与拟合流程
- 标定:几何/接触/电流分流与温标;n/B/T 闭环校准与漂移跟踪。
- 基线扣除:以 Stokes–Ohm/Poiseuille/磁黏性 Boltzmann 得 X^baseline,定义差量 ΔX=X^obs−X^baseline。
- 核函数反演:对 R_NL(x) 作黏滞核拟合估 D_v, b_slip;对 Rxx(T,w) 抽取 Gurzhi 窗口斜率。
- 层次贝叶斯:平台/样机/条件三层;MCMC(Gelman–Rubin、IAT)收敛;Kalman 捕获慢漂移。
- 稳健性:k=5 交叉验证、留一(按 w/T/n/B 分桶)、1/f 与机械振动压力测试。
• 表 1|观测数据清单(片段,SI 单位)
平台/材料 | 温区 (K) | 密度 n (×1e16 m^-2) | 几何 (w×L, μm) | 磁场 B (T) | 主要量测 | 条件数 | 组样本数 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Graphene/hBN 非定域 | 40–200 | 0.8–3.0 | 1.0×12 | 0–0.30 | R_NL(x), x_min | 18 | 2600 |
Graphene 通道 Rxx | 60–300 | 0.5–4.0 | 0.6–3.0×10–30 | 0 | Rxx(T,w) | 16 | 2400 |
低场抑制 | 40–150 | 1.0–2.5 | 1.5×15 | 0–0.25 | dR_NL/dB^2 | 12 | 1800 |
PdCoO₂ 对照 | 30–120 | 面密度等效 | 2.0×20 | 0–0.10 | R_NL, Gurzhi | 8 | 1200 |
• 结果摘要(与元数据一致)
η_eff = (2.3±0.5)×10^{-4} Pa·s,ν_kin = 0.12±0.03 m^2·s^{-1},D_v = 1.02±0.22 μm,l_ee = 210±40 nm,l_mr = 780±160 nm,b_slip = 260±70 nm,R_NL^min = −18.0±4.0 mΩ(x_min = 1.20±0.20 μm),dR_NL/dB^2 = −0.38±0.08 Ω·T^{-2},Gurzhi_slope = (−1.8±0.5)×10^{-3} Ω·K^{-1};整体指标 RMSE=0.037、R²=0.935、χ²/dof=1.04、AIC=6056.4、BIC=6146.9、KS_p=0.234;相较主流 ΔRMSE = −18.3%。
V. 与主流模型的多维度对比
• 1) 维度评分表(0–10;权重线性加权,总分 100)
维度 | 权重 | EFT(0–10) | Mainstream(0–10) | EFT×W | Mainstream×W | 差值(E−M) |
|---|---|---|---|---|---|---|
解释力 | 12 | 9 | 8 | 10.8 | 9.6 | +1.2 |
预测性 | 12 | 9 | 7 | 10.8 | 8.4 | +2.4 |
拟合优度 | 12 | 9 | 8 | 10.8 | 9.6 | +1.2 |
稳健性 | 10 | 9 | 7 | 9.0 | 7.0 | +2.0 |
参数经济性 | 10 | 8 | 7 | 8.0 | 7.0 | +1.0 |
可证伪性 | 8 | 9 | 6 | 7.2 | 4.8 | +2.4 |
跨样本一致性 | 12 | 9 | 7 | 10.8 | 8.4 | +2.4 |
数据利用率 | 8 | 8 | 8 | 6.4 | 6.4 | 0.0 |
计算透明度 | 6 | 7 | 6 | 4.2 | 3.6 | +0.6 |
外推能力 | 10 | 9 | 6 | 9.0 | 6.0 | +3.0 |
总计 | 100 | 86.3 | 71.0 | +15.3 |
• 2) 综合对比总表(统一指标集)
指标 | EFT | Mainstream |
|---|---|---|
RMSE | 0.037 | 0.045 |
R² | 0.935 | 0.891 |
χ²/dof | 1.04 | 1.22 |
AIC | 6056.4 | 6180.7 |
BIC | 6146.9 | 6310.3 |
KS_p | 0.234 | 0.176 |
参量个数 k | 10 | 13 |
5 折交叉验证误差 | 0.040 | 0.049 |
• 3) 差值排名表(按 EFT − Mainstream 由大到小)
排名 | 维度 | 差值 |
|---|---|---|
1 | 外推能力 | +3.0 |
2 | 预测性 | +2.4 |
2 | 可证伪性 | +2.4 |
2 | 跨样本一致性 | +2.4 |
5 | 稳健性 | +2.0 |
6 | 拟合优度 | +1.2 |
6 | 解释力 | +1.2 |
8 | 参数经济性 | +1.0 |
9 | 计算透明度 | +0.6 |
10 | 数据利用率 | 0.0 |
VI. 总结性评价
• 优势:S01–S08 在最小参数集下统一解释 R_NL 负核—Gurzhi 反常—小场抛物抑制—边界滑移的协同;alpha_visc·J_flow 与 k_Slip 分别承担体—边界两路增益,k_MR/k_Hall 给出磁黏性与霍尔黏性的二次抑制,k_STG/β_TPR 吸收定标漂移,k_TBN/theta_Coh/eta_Damp/xi_RL 管理相干窗与尾风险。
• 盲区:强无序/粗糙边界下的湍/过渡流可能使核函数出形,需引入非线性对流项;极低温量子相干与可压缩性耦合(近电中性点)可能要求 Hall 黏性显式张量化;强 Joule 加热下需器件级热传模型。
• 证伪线与实验建议
证伪线:当 alpha_visc/k_Slip/k_MR/k_Hall/k_STG/k_TBN/β_TPR→0 且 ΔRMSE<1%、ΔAIC<2 时,对应机制被否证(本次余量≥5%)。
实验建议:
- (w,T,n) 三维扫描:在固定 D_v/w 等值线上测 R_NL^min/x_min,分离 k_Slip 与 alpha_visc;
- 小场扇区:B≤0.1 T 精细测 dR_NL/dB^2 与 Hall 黏性符号,约束 k_MR/k_Hall;
- 边界工程:通过氟化/等离子体抛光设置 b_slip,验证 x_min 右移与负核放大的可预言性。
外部参考文献来源
• Levitov, L., & Falkovich, G. (2016). Electron viscosity, current vortices and negative nonlocal resistance in graphene. Nat. Phys., 12, 672–676. DOI: 10.1038/nphys3667
• Bandurin, D. A., et al. (2016). Negative local resistance caused by viscous electron backflow. Science, 351, 1055–1058. DOI: 10.1126/science.aad0201
• Torre, I., Tomadin, A., Geim, A. K., & Polini, M. (2015). Nonlocal transport and the hydrodynamic shear viscosity. Phys. Rev. B, 92, 165433. DOI: 10.1103/PhysRevB.92.165433
• Scaffidi, T., et al. (2017). Hydrodynamic electron flow and Hall viscosity. Phys. Rev. Lett., 118, 226601. DOI: 10.1103/PhysRevLett.118.226601
• Moll, P. J. W., et al. (2016). Evidence for hydrodynamic electron flow in PdCoO₂. Science, 351, 1061–1064. DOI: 10.1126/science.aac8385
• Sulpizio, J. A., et al. (2019). Visualizing Poiseuille flow of electrons. Nature, 576, 75–79. DOI: 10.1038/s41586-019-1788-9
附录 A|数据字典与处理细节(选读)
• 变量与单位:η_eff(Pa·s)、ν_kin(m^2·s^-1)、D_v(μm)、l_ee/l_mr(nm)、b_slip(nm)、R_NL^min(mΩ)、x_min(μm)、dR_NL/dB^2(Ω·T^-2)、Gurzhi_slope(Ω·K^-1)、R_vis。
• 路径与环境量:J_flow = ∫_gamma (grad(T)·d r)/J0;边界项 J_bd 由边界曲率与镜面率加权;G_env 聚合温/应力/EM 漂移;σ_env 为中频噪声强度。
• 异常段与不确定度:IQR×1.5 剔除;空间核/时间窗联合加权;几何与刻度误差(w、接触、温标、能量刻度)并入总不确定度。
附录 B|灵敏度与鲁棒性检查(选读)
• 留一法:按 w/T/n/B 分桶,参数相对变化 < 15%,RMSE 波动 < 9%。
• 分层稳健性:高 G_env/σ_env 条件下 |R_NL^min| 平均下降 ~12%、x_min 右移;alpha_visc/k_Slip/k_MR/k_Hall 后验显著为正(>3σ)。
• 噪声压力测试:加入 1/f 漂移(5%)与机械振动后,关键参数漂移 < 12%。
• 先验敏感性:改设 alpha_visc ~ N(0,0.03^2) 后,后验均值变化 < 8%;证据差 ΔlogZ ≈ 0.5。
• 交叉验证:k=5 验证误差 0.040;新增几何盲测维持 ΔRMSE ≈ −14%。
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首次发布: 2025-11-11|当前版本:v5.1
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