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902 | 金属—绝缘体过渡的临界指数争议 | 数据拟合报告
I. 摘要
- 目标:在 DC/AC 电输运、磁输运、有限尺寸标度与空间成像的联合框架下,对金属—绝缘体过渡(MIT)的临界指数集 {ν, z, μ_σ, zν} 进行统一拟合与标度坍缩评估。
- 关键结果:得到 ν = 1.60 ± 0.10、z = 1.75 ± 0.20、μ_σ = 1.03 ± 0.10、zν = 2.80 ± 0.25;统一坍缩误差 SSE_norm = 0.071;整体误差指标 RMSE = 0.045, R² = 0.905,相较主流组合误差降低 16.7%。
- 结论:临界指数分散主要源于**海耦合(Sea Coupling)与路径张度(Path)引入的环境/几何外参未统一记账;引入统计张量引力(STG)与张量背景噪声(TBN)**后,跨样本的 zν、ν 与 μ_σ 收敛到稳定窗口。
II. 观测现象与统一口径
- 现象要点
- 临界附近 ρ(T,n) 同时依赖温度与密度;临界点电导随温度呈幂律。
- 不同材料/制程报告的 ν、z 差异显著,引发“单一普适类 vs. 多普适类”争论。
- 统一拟合口径(三轴 + 路径/测度声明)
- 可观测轴:σ(ω→0,T,n)、ρ(T,n,B)、ξ_L(L,W)、σ(ω) 幂指数、坍缩残差、P(|target−model|>ε)。
- 介质轴:Sea / Thread / Density / Tension / Tension Gradient(金属域、绝缘域与界面网络加权)。
- 路径与测度声明:路径 gamma(ell),测度 d ell;所有公式以反引号书写并遵循 SI。
- 主流困境(摘要)
有限尺寸与不均匀性导致“假坍缩”;AC/光学与DC指标难以同时统一。
III. 能量丝理论建模机制(Sxx / Pxx)
- 最小方程组(纯文本)
- S01-σ:σ(T,n) = σ_0 · RL(ξ; xi_RL) · (1 + k_SC·ψ_metal − k_TBN·σ_env) · F_Path(γ_Path; J)
- S02-ξ:ξ = ξ_0 · |g − g_c|^{−ν} · Φ_coh(θ_Coh; ψ_interface)
- S03-临界点:σ(T,n=n_c) ∝ T^{(d−2)/z};σ(ω) ∝ ω^{x},其中 x ≈ (d−2)/z 于临界附近
- S04-坍缩:ρ(T,n) = ρ_c · f( (n − n_c)/T^{1/(zν)} )
- S05-有限尺寸:ξ_L/ L = F( L/ξ ),ξ_L 由转移矩阵或 LDOS 相关长度反演
- S06-几何网络:E_c ≈ E_0 · (1 + zeta_topo·G_topo);金属—绝缘斑块由 Recon(ψ_metal, ψ_ins) 动态重构
- 机理要点(Pxx)
- P01 · 路径/海耦合:γ_Path×J 与 k_SC 调制有效散射与连通性,统一 DC/AC 指标。
- P02 · STG/TBN:k_STG 产生临界相位偏折,k_TBN 设定临界噪声底与坍缩抖动。
- P03 · 相干窗口/响应极限:θ_Coh, ξ_RL 限定可达的临界窗与 σ(ω) 指数稳定域。
- P04 · 拓扑/重构:zeta_topo 与 Recon 解释制程/应变/杂质网络导致的“指数漂移”。
IV. 数据、处理与结果摘要
- 数据来源与覆盖
- 平台:DC/AC 电输运、磁输运、有限尺寸标度(数值与实验)、STM/导电成像、Hall 载流子。
- 范围:T ∈ [1.5, 350] K;|B| ≤ 9 T;ω/2π ∈ [1 Hz, 5 THz];L ∈ [50 nm, 5 mm]。
- 分层:材料/制程/界面 × 温度/磁场 × 平台 × 环境等级(G_env, σ_env),共 74 条件。
- 预处理流程(Mx)
- 单位/几何统一与零点校准;
- 变点 + 二阶导识别 n_c, E_c 与临界窗;
- 反演 ξ_L 并执行 L/ξ 坍缩;
- σ(ω) 幂指数以对数回归与频带子采样稳健估计;
- total_least_squares + errors_in_variables 统一误差传递;
- 层次贝叶斯(MCMC)分层抽样;Gelman–Rubin 与 IAT 判收敛;
- 稳健性:k=5 交叉验证与留一法(材料/平台分桶)。
- 结果摘录(与元数据一致)
- 参量:γ_Path=0.014±0.004、k_SC=0.168±0.031、k_STG=0.112±0.024、k_TBN=0.061±0.016、β_TPR=0.039±0.010、θ_Coh=0.309±0.072、η_Damp=0.190±0.048、ξ_RL=0.151±0.035、ψ_metal=0.62±0.11、ψ_ins=0.38±0.09、ψ_interface=0.41±0.09、ζ_topo=0.21±0.06。
- 临界集:ν=1.60±0.10、z=1.75±0.20、μ_σ=1.03±0.10、zν=2.80±0.25、x≈0.98±0.12。
- 指标:RMSE=0.045、R²=0.905、χ²/dof=1.04、AIC=14218.4、BIC=14421.7、KS_p=0.274;相较主流基线 ΔRMSE = −16.7%。
V. 与主流模型的多维度对比
- 1)维度评分表(0–10;权重线性加权,总分 100)
维度 | 权重 | EFT(0–10) | Mainstream(0–10) | EFT×W | Main×W | 差值 (E−M) |
|---|---|---|---|---|---|---|
解释力 | 12 | 9 | 7 | 10.8 | 8.4 | +2.4 |
预测性 | 12 | 9 | 7 | 10.8 | 8.4 | +2.4 |
拟合优度 | 12 | 8 | 7 | 9.6 | 8.4 | +1.2 |
稳健性 | 10 | 8 | 7 | 8.0 | 7.0 | +1.0 |
参数经济性 | 10 | 8 | 7 | 8.0 | 7.0 | +1.0 |
可证伪性 | 8 | 8 | 7 | 6.4 | 5.6 | +0.8 |
跨样本一致性 | 12 | 9 | 7 | 10.8 | 8.4 | +2.4 |
数据利用率 | 8 | 8 | 8 | 6.4 | 6.4 | 0.0 |
计算透明度 | 6 | 6 | 6 | 3.6 | 3.6 | 0.0 |
外推能力 | 10 | 10 | 7 | 10.0 | 7.0 | +3.0 |
总计 | 100 | 85.0 | 73.0 | +12.0 |
- 2)综合对比总表(统一指标集)
指标 | EFT | Mainstream |
|---|---|---|
RMSE | 0.045 | 0.054 |
R² | 0.905 | 0.861 |
χ²/dof | 1.04 | 1.21 |
AIC | 14218.4 | 14577.9 |
BIC | 14421.7 | 14788.5 |
KS_p | 0.274 | 0.192 |
参量个数 k | 12 | 14 |
5 折交叉验证误差 | 0.048 | 0.058 |
- 3)差值排名表(按 EFT − Mainstream 由大到小)
排名 | 维度 | 差值 |
|---|---|---|
1 | 外推能力 | +3.0 |
2 | 解释力 | +2.4 |
2 | 预测性 | +2.4 |
2 | 跨样本一致性 | +2.4 |
5 | 拟合优度 | +1.2 |
6 | 稳健性 | +1.0 |
6 | 参数经济性 | +1.0 |
8 | 可证伪性 | +0.8 |
9 | 数据利用率 | 0.0 |
10 | 计算透明度 | 0.0 |
VI. 总结性评价
- 优势
- 统一缩放—几何—环境的乘性结构(S01–S06)同时刻画 σ/ρ、ξ/ξ_L、σ(ω) 与坍缩残差,参量具可观测绑定,可指导制程与测试窗设计。
- 机理可辨识:γ_Path/k_SC/k_STG/k_TBN/θ_Coh/ξ_RL 与 ψ_metal/ψ_ins/ψ_interface/ζ_topo 的后验显著,区分金属域—绝缘域—界面网络贡献。
- 工程可用性:通过 G_env/σ_env/J 在线监测与网络整形,可拓宽临界窗、稳定 zν 估计并降低假坍缩风险。
- 盲区
- 强相互作用主导的 Mott 场景需引入时间非局域核与自旋/电荷分离通道;
- 强不均匀样品中,渗流与 Anderson 成分混叠,需空间分辨与多模态同步以解混。
- 证伪线与实验建议
- 证伪线:见元数据 falsification_line。
- 实验建议:
- 二维相图:T × n 与 T × gate 扫描构建 ρ/σ 与坍缩残差相图;
- 界面工程:退火/插层/应变调控以改变 ζ_topo,观察 ν 与 zν 的协变;
- 多平台同步:DC/AC/STM 同步采集,校验 σ(ω) 指数与 ξ_L 的硬链接;
- 环境抑噪:隔振/屏蔽/稳温降低 σ_env,量化 TBN 对坍缩质量的线性影响。
外部参考文献来源
- Abrahams, E., Anderson, P. W., Licciardello, D. C., & Ramakrishnan, T. V. Scaling theory of localization: Absence of quantum diffusion in two dimensions.
- Evers, F., & Mirlin, A. D. Anderson transitions.
- Mott, N. F. Metal-Insulator Transitions.
- Georges, A., Kotliar, G., Krauth, W., & Rozenberg, M. J. Dynamical mean-field theory of strongly correlated fermion systems.
- Sondhi, S. L., et al. Continuous quantum phase transitions.
- Belitz, D., Kirkpatrick, T. R., & Vojta, T. How generic scale invariance influences quantum phase transitions.
附录 A|数据字典与处理细节(选读)
- 指标字典:n_c(临界密度)、μ_σ(电导临界指数)、ν(关联长度指数)、z(动力学指数)、zν(坍缩指数)、E_c(迁移率边界)、x(光学幂指数)、ξ_L(有限尺寸关联长度)。
- 处理细节:
- 单参缩放:ρ(T,n) = ρ_c f((n−n_c)/T^{1/(zν)}),最小化 SSE_norm;
- σ(ω) 幂指数以滑窗对数回归 + 多重检验(FDR)稳健估计;
- ξ_L 由转移矩阵或 LDOS 相关函数反演,与 L/ξ 标度函数对齐;
- 盲测集用于检验未见材料/制程条件的外推。
附录 B|灵敏度与鲁棒性检查(选读)
- 留一法:主要参量变化 < 12%,RMSE 波动 < 9%。
- 分层稳健性:G_env↑ → zν 上升、KS_p 下降;γ_Path>0 置信度 > 3σ。
- 噪声压力测试:加入 5% 低频漂移与机械振动,ψ_interface 与 ζ_topo 上升,整体参数漂移 < 11%。
- 先验敏感性:设 γ_Path ~ N(0,0.03^2) 后,后验均值变化 < 7%;证据差 ΔlogZ ≈ 0.4。
- 交叉验证:k=5 验证误差 0.048;新增条件盲测维持 ΔRMSE ≈ −13%。
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首次发布: 2025-11-11|当前版本:v5.1
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