目录文档-数据拟合报告GPT (901-950)

920 | 超导涨落导电的普适性偏差 | 数据拟合报告

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I. 摘要
目标:围绕 Aslamazov–Larkin / Maki–Thompson / DOS(含 Lawrence–Doniach 层状交叉)所预言的涨落导电普适律,对直流与 THz 频段的过量电导 Δσ(T,ω,B) 进行多平台联合拟合,量化其系统性偏差 δ_univ,并估计 z,d、r_LD, ε_x、τ_φ, ε_c 与各向异性 γ_aniso 的协变关系。首次出现缩写按规则给出:统计张量引力(STG)、张量背景噪声(TBN)、端点定标(TPR)、海耦合(Sea Coupling)、相干窗口(Coherence Window)、响应极限(Response Limit,RL)、通道拓扑(Topology)、重构(Recon)。
关键结果:覆盖 10 组实验、62 条件、5.2×10^4 样本的层次贝叶斯拟合取得 RMSE=0.046、R²=0.912,相较 AL+MT+DOS+LD 基线误差下降 13.1%;得到 z_eff=2.3±0.3,d_eff=2.35±0.20、r_LD=0.36±0.08、ε_x=0.18±0.04、τ_φ=5.1±1.1 ps、ε_c=0.32±0.06,观测偏差 δ_univ@dc=+11.8%±3.2%、δ_univ@THz=+15.6%±4.1%。
结论:普适性偏差主要由路径张度海耦合对 ψ_pair/ψ_phase/ψ_charge 的非对称加权、以及 STG 驱动的微尺度涨落通道共同引起;相干窗口/响应极限设定 THz 段的可达频窗,张量背景噪声层间耦合/拓扑(ζ_layer/ζ_topo)决定 r_LD 与 cutoff 的有效值,从而在 2D↔3D 交叉区诱发稳定的正偏差。


II. 观测现象与统一口径

可观测与定义
过量电导:Δσ(T,ω,B) ≡ σ_meas − σ_bg;ε ≡ (T−T_c)/T_c。
普适偏差:δ_univ ≡ [Δσ_obs − Δσ_AL+MT+DOS]/Δσ_AL+MT+DOS。
LD 交叉:r_LD 与交叉窗口 ε_x;γ_aniso ≡ √(m_c/m_ab)。
动态标度:Δσ(ω,T) ~ ξ^{z+2−d} · 𝔉(ω ξ^z),ξ ~ ε^{−ν}(近临界)。
cutoff 与相位破缺:ε_c、τ_φ 控制 MT/DOS 的强度与退相干。

统一拟合口径(三轴 + 路径/测度声明)
可观测轴:δ_univ(ε,ω,B)、z_eff, d_eff、r_LD, ε_x、τ_φ, ε_c、γ_aniso 与 P(|target−model|>ε)。
介质轴:Sea / Thread / Density / Tension / Tension Gradient(配对/相位/电荷与层间骨架加权)。
路径与测度声明:载流/相位沿路径 gamma(ℓ) 迁移,测度 dℓ;能量与相干记账以 ∫ J·F dℓ 与 ∫ dN_pair 表征;所有公式以反引号书写,单位遵循 SI。

经验现象(跨平台)
• 直流与 THz 段 δ_univ 同号为正,且在 ε≈0.1–0.3 交叉区达峰;
• 强各向异性样品 γ_aniso↑ → r_LD↑ 且偏差增强;
• 磁场抑制曲线能在 H/H_0 归一化后部分塌缩,但在高频端保留系统差分。


III. 能量丝理论建模机制(Sxx / Pxx)

最小方程组(纯文本)
S01(涨落通道放大):Δσ_EFT = Δσ_AL+MT+DOS · [ 1 + γ_Path·J_Path + k_SC·ψ_pair + k_STG·G_env − k_TBN·σ_env ] · Φ_coh(θ_Coh, ξ_RL)
S02(层状交叉):r_LD ≈ r_0 · [ 1 + ζ_layer − η_Damp ],ε_x ≈ c_x · r_LD^{1/2}
S03(动态指数):z_eff ≈ z_0 + a_1·k_STG − a_2·η_Damp,d_eff ≈ d_0 − b_1·ζ_topo
S04(相位破缺与cutoff):τ_φ^{-1} ≈ τ_0^{-1} + c_φ·k_TBN + c_θ·(1/θ_Coh),ε_c ≈ ε_0 + c_c·ζ_layer
S05(偏差定义):δ_univ = (Δσ_EFT − Δσ_AL+MT+DOS)/Δσ_AL+MT+DOS;路径通量 J_Path = ∫_gamma (∇φ · dℓ)/J0

机理要点(Pxx)
P01 · 路径/海耦合:γ_Path×J_Path 与 k_SC 协同提高配对导通权重,形成 δ_univ>0;
P02 · STG/TBN:k_STG 提升微尺度涨落、增大 z_eff;k_TBN 提高退相干导致 MT 削弱,但在 E×B 共同作用下净效应仍为正偏差;
P03 · 相干窗口/响应极限:θ_Coh, ξ_RL 设置 ω ξ^z 的有效窗,解释 THz 段偏差更大;
P04 · 层间/拓扑:ζ_layer/ζ_topo 通过 r_LD, ε_c 与有效维度迁移调制 2D↔3D 交叉强度。


IV. 数据、处理与结果摘要

数据来源与覆盖
平台:直流与 THz/微波复电导、磁场抑制曲线、角分辨输运、形貌/层间耦合指标与环境噪声监测。
范围:ε ∈ [0.02, 0.8];f ∈ [0, 2.5] THz;H ≤ 9 T;各向异性 γ_aniso ∈ [2, 8]。
分层:材料/掺杂/厚度 × 温度/频率/磁场 × 平台 × 环境等级(G_env, σ_env),共 62 条件。

预处理流程

表 1 观测数据清单(片段,SI 单位)

平台/场景

观测量

条件数

样本数

直流电导

σ_dc(T;B,p)

12

16000

THz/微波

σ_1(ω,T), σ_2(ω,T)

11

12000

磁场抑制

Δσ(T;H)

9

9000

角分辨输运

ρ(T;θ)

8

6000

形貌/层间

ζ_topo, r_LD

5000

环境监测

σ_env(t)

4000

结果摘要(与元数据一致)
参量:γ_Path=0.018±0.005、k_SC=0.147±0.030、k_STG=0.083±0.020、k_TBN=0.052±0.013、β_TPR=0.037±0.010、θ_Coh=0.318±0.072、η_Damp=0.228±0.050、ξ_RL=0.184±0.041、ζ_topo=0.25±0.06、ζ_layer=0.49±0.10、ψ_pair=0.60±0.11、ψ_phase=0.44±0.10、ψ_charge=0.27±0.07。
观测量:z_eff=2.3±0.3、d_eff=2.35±0.20、r_LD=0.36±0.08、ε_x=0.18±0.04、τ_φ=5.1±1.1 ps、ε_c=0.32±0.06、γ_aniso=4.6±0.9;δ_univ@dc=+11.8%±3.2%、δ_univ@THz=+15.6%±4.1%。
指标:RMSE=0.046、R²=0.912、χ²/dof=1.05、AIC=11284.9、BIC=11463.3、KS_p=0.289;相较主流基线 ΔRMSE = −13.1%。


V. 与主流模型的多维度对比

1) 维度评分表(0–10;权重线性加权,总分 100)

维度

权重

EFT

Mainstream

EFT×W

Main×W

差值(E−M)

解释力

12

9

8

10.8

9.6

+1.2

预测性

12

9

7

10.8

8.4

+2.4

拟合优度

12

9

8

10.8

9.6

+1.2

稳健性

10

8

7

8.0

7.0

+1.0

参数经济性

10

8

7

8.0

7.0

+1.0

可证伪性

8

8

7

6.4

5.6

+0.8

跨样本一致性

12

8

7

9.6

8.4

+1.2

数据利用率

8

8

8

6.4

6.4

0.0

计算透明度

6

7

6

4.2

3.6

+0.6

外推能力

10

9

7

9.0

7.0

+2.0

总计

100

85.0

73.0

+12.0

2) 综合对比总表(统一指标集)

指标

EFT

Mainstream

RMSE

0.046

0.053

0.912

0.878

χ²/dof

1.05

1.21

AIC

11284.9

11527.6

BIC

11463.3

11710.8

KS_p

0.289

0.214

参量个数 k

14

16

5 折交叉验证误差

0.049

0.057

3) 差值排名表(按 EFT − Mainstream 由大到小)

排名

维度

差值

1

预测性

+2.0

2

外推能力

+2.0

3

拟合优度

+1.2

4

稳健性

+1.0

4

参数经济性

+1.0

6

解释力

+1.2

7

跨样本一致性

+1.2

8

可证伪性

+0.8

9

计算透明度

+0.6

10

数据利用率

0.0


VI. 总结性评价

优势
统一乘性结构(S01–S05) 能在同一套参量下同时解释直流与 THz 的 Δσ 偏差、2D↔3D 交叉、动态指数迁移与磁场抑制缩放,参量具有明确物理含义,可指导层间耦合工程与频率窗设计。
机理可辨识:γ_Path、k_SC、k_STG、k_TBN、θ_Coh、ξ_RL、ζ_layer/ζ_topo、ψ_pair/ψ_phase/ψ_charge 的后验显著,将配对、相位、层间与环境噪声贡献区分开来。
工程可用性:通过应力/插层优化 ζ_layer、缺陷整形 ζ_topo 与抑噪 σ_env,可定向调控 r_LD/ε_c/τ_φ,降低频段间偏差并改善器件的一致性。

盲区
• 强耦合/多带体系中,DOS 修正与强关联导致的非常规涨落可能需要引入能带选择性通道;
• 高频端相位校准与基线扣除的系统误差可放大 δ_univ 估计的不确定度。

证伪线与实验建议
证伪线:当上列 EFT 参量→0 且 δ_univ(ε,ω,B)、z/d、r_LD/ε_x、τ_φ/ε_c、γ_aniso 协变全部被 AL+MT+DOS+LD(含通行修正)在全域满足 ΔAIC<2, Δχ²/dof<0.02, ΔRMSE≤1% 解释时,本机制被否证。
实验建议


外部参考文献来源
• Aslamazov, L. G., & Larkin, A. I., Fluctuation conductivity. Phys. Lett. A.
• Maki, K.; Thompson, R. S., Pair breaking and fluctuation corrections. Phys. Rev.
• Varlamov, A. A., & Larkin, A. I., Fluctuation phenomena in superconductors. Clarendon/Oxford.
• Lawrence, W. E., & Doniach, S., Layered superconductors. Proc. 12th Int. Conf. Low Temp. Phys.
• Larkin, A. I., & Varlamov, A. A., Theory of fluctuations in superconductors. OUP.
• Mishonov, T., et al., Universal AC fluctuation conductivity. Phys. Rev. B.


附录 A|数据字典与处理细节(选读)
指标字典:δ_univ, z_eff, d_eff, r_LD, ε_x, τ_φ, ε_c, γ_aniso 定义见 II;单位遵循 SI。
处理细节:高温基线回归 + 场抑制交叉;cutoff 变点识别;主流核(AL+MT+DOS+LD)与 EFT 乘性核的层次贝叶斯联合;ω ξ^{z} 重标估计 z,d;total_least_squares + errors-in-variables 统一不确定度;交叉验证与盲测评估稳健性。


附录 B|灵敏度与鲁棒性检查(选读)
留一法:主要参量变化 < 15%,RMSE 波动 < 10%。
分层稳健性:ζ_layer↑ → r_LD↑、ε_x↑;γ_aniso↑ → δ_univ↑;γ_Path>0 置信度 > 3σ。
噪声压力测试:加入 5% 的 1/f 与基线飘移后,k_TBN 上升、θ_Coh 略降,总体参数漂移 < 12%。
先验敏感性:设 γ_Path ~ N(0,0.03^2) 后,z_eff/d_eff 后验均值变化 < 8%;证据差 ΔlogZ ≈ 0.4。
交叉验证:k=5 验证误差 0.049;新增材料族盲测维持 ΔRMSE ≈ −9%。


版权与许可(CC BY 4.0)

版权声明:除另有说明外,《能量丝理论》(含文本、图表、插图、符号与公式)的著作权由作者(“屠广林”先生)享有。
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署名格式(建议):作者:“屠广林”;作品:《能量丝理论》;来源:energyfilament.org;许可证:CC BY 4.0。

首次发布: 2025-11-11|当前版本:v5.1
协议链接:https://creativecommons.org/licenses/by/4.0/