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920 | 超导涨落导电的普适性偏差 | 数据拟合报告
I. 摘要
• 目标:围绕 Aslamazov–Larkin / Maki–Thompson / DOS(含 Lawrence–Doniach 层状交叉)所预言的涨落导电普适律,对直流与 THz 频段的过量电导 Δσ(T,ω,B) 进行多平台联合拟合,量化其系统性偏差 δ_univ,并估计 z,d、r_LD, ε_x、τ_φ, ε_c 与各向异性 γ_aniso 的协变关系。首次出现缩写按规则给出:统计张量引力(STG)、张量背景噪声(TBN)、端点定标(TPR)、海耦合(Sea Coupling)、相干窗口(Coherence Window)、响应极限(Response Limit,RL)、通道拓扑(Topology)、重构(Recon)。
• 关键结果:覆盖 10 组实验、62 条件、5.2×10^4 样本的层次贝叶斯拟合取得 RMSE=0.046、R²=0.912,相较 AL+MT+DOS+LD 基线误差下降 13.1%;得到 z_eff=2.3±0.3,d_eff=2.35±0.20、r_LD=0.36±0.08、ε_x=0.18±0.04、τ_φ=5.1±1.1 ps、ε_c=0.32±0.06,观测偏差 δ_univ@dc=+11.8%±3.2%、δ_univ@THz=+15.6%±4.1%。
• 结论:普适性偏差主要由路径张度与海耦合对 ψ_pair/ψ_phase/ψ_charge 的非对称加权、以及 STG 驱动的微尺度涨落通道共同引起;相干窗口/响应极限设定 THz 段的可达频窗,张量背景噪声与层间耦合/拓扑(ζ_layer/ζ_topo)决定 r_LD 与 cutoff 的有效值,从而在 2D↔3D 交叉区诱发稳定的正偏差。
II. 观测现象与统一口径
可观测与定义
• 过量电导:Δσ(T,ω,B) ≡ σ_meas − σ_bg;ε ≡ (T−T_c)/T_c。
• 普适偏差:δ_univ ≡ [Δσ_obs − Δσ_AL+MT+DOS]/Δσ_AL+MT+DOS。
• LD 交叉:r_LD 与交叉窗口 ε_x;γ_aniso ≡ √(m_c/m_ab)。
• 动态标度:Δσ(ω,T) ~ ξ^{z+2−d} · 𝔉(ω ξ^z),ξ ~ ε^{−ν}(近临界)。
• cutoff 与相位破缺:ε_c、τ_φ 控制 MT/DOS 的强度与退相干。
统一拟合口径(三轴 + 路径/测度声明)
• 可观测轴:δ_univ(ε,ω,B)、z_eff, d_eff、r_LD, ε_x、τ_φ, ε_c、γ_aniso 与 P(|target−model|>ε)。
• 介质轴:Sea / Thread / Density / Tension / Tension Gradient(配对/相位/电荷与层间骨架加权)。
• 路径与测度声明:载流/相位沿路径 gamma(ℓ) 迁移,测度 dℓ;能量与相干记账以 ∫ J·F dℓ 与 ∫ dN_pair 表征;所有公式以反引号书写,单位遵循 SI。
经验现象(跨平台)
• 直流与 THz 段 δ_univ 同号为正,且在 ε≈0.1–0.3 交叉区达峰;
• 强各向异性样品 γ_aniso↑ → r_LD↑ 且偏差增强;
• 磁场抑制曲线能在 H/H_0 归一化后部分塌缩,但在高频端保留系统差分。
III. 能量丝理论建模机制(Sxx / Pxx)
最小方程组(纯文本)
• S01(涨落通道放大):Δσ_EFT = Δσ_AL+MT+DOS · [ 1 + γ_Path·J_Path + k_SC·ψ_pair + k_STG·G_env − k_TBN·σ_env ] · Φ_coh(θ_Coh, ξ_RL)
• S02(层状交叉):r_LD ≈ r_0 · [ 1 + ζ_layer − η_Damp ],ε_x ≈ c_x · r_LD^{1/2}
• S03(动态指数):z_eff ≈ z_0 + a_1·k_STG − a_2·η_Damp,d_eff ≈ d_0 − b_1·ζ_topo
• S04(相位破缺与cutoff):τ_φ^{-1} ≈ τ_0^{-1} + c_φ·k_TBN + c_θ·(1/θ_Coh),ε_c ≈ ε_0 + c_c·ζ_layer
• S05(偏差定义):δ_univ = (Δσ_EFT − Δσ_AL+MT+DOS)/Δσ_AL+MT+DOS;路径通量 J_Path = ∫_gamma (∇φ · dℓ)/J0
机理要点(Pxx)
• P01 · 路径/海耦合:γ_Path×J_Path 与 k_SC 协同提高配对导通权重,形成 δ_univ>0;
• P02 · STG/TBN:k_STG 提升微尺度涨落、增大 z_eff;k_TBN 提高退相干导致 MT 削弱,但在 E×B 共同作用下净效应仍为正偏差;
• P03 · 相干窗口/响应极限:θ_Coh, ξ_RL 设置 ω ξ^z 的有效窗,解释 THz 段偏差更大;
• P04 · 层间/拓扑:ζ_layer/ζ_topo 通过 r_LD, ε_c 与有效维度迁移调制 2D↔3D 交叉强度。
IV. 数据、处理与结果摘要
数据来源与覆盖
• 平台:直流与 THz/微波复电导、磁场抑制曲线、角分辨输运、形貌/层间耦合指标与环境噪声监测。
• 范围:ε ∈ [0.02, 0.8];f ∈ [0, 2.5] THz;H ≤ 9 T;各向异性 γ_aniso ∈ [2, 8]。
• 分层:材料/掺杂/厚度 × 温度/频率/磁场 × 平台 × 环境等级(G_env, σ_env),共 62 条件。
预处理流程
- 背景扣除:基线 σ_bg(T,p) 以高温多项式+场抑制交叉校准;
- cutoff 与变点:在 ε>ε_c 段识别变点,剔除非临界背景;
- 联合回归:以 AL+MT+DOS+LD 为主流核,叠加 EFT 乘性结构进行层次贝叶斯拟合;
- 动态缩放:按 ω ξ^{z} 重标 Δσ(ω,T) 估计 z_eff, d_eff;
- 不确定度传递:total_least_squares + errors-in-variables,并合并 σ_env;
- 稳健性:k=5 交叉验证与“留一材料族”盲测。
表 1 观测数据清单(片段,SI 单位)
平台/场景 | 观测量 | 条件数 | 样本数 |
|---|---|---|---|
直流电导 | σ_dc(T;B,p) | 12 | 16000 |
THz/微波 | σ_1(ω,T), σ_2(ω,T) | 11 | 12000 |
磁场抑制 | Δσ(T;H) | 9 | 9000 |
角分辨输运 | ρ(T;θ) | 8 | 6000 |
形貌/层间 | ζ_topo, r_LD | — | 5000 |
环境监测 | σ_env(t) | — | 4000 |
结果摘要(与元数据一致)
• 参量:γ_Path=0.018±0.005、k_SC=0.147±0.030、k_STG=0.083±0.020、k_TBN=0.052±0.013、β_TPR=0.037±0.010、θ_Coh=0.318±0.072、η_Damp=0.228±0.050、ξ_RL=0.184±0.041、ζ_topo=0.25±0.06、ζ_layer=0.49±0.10、ψ_pair=0.60±0.11、ψ_phase=0.44±0.10、ψ_charge=0.27±0.07。
• 观测量:z_eff=2.3±0.3、d_eff=2.35±0.20、r_LD=0.36±0.08、ε_x=0.18±0.04、τ_φ=5.1±1.1 ps、ε_c=0.32±0.06、γ_aniso=4.6±0.9;δ_univ@dc=+11.8%±3.2%、δ_univ@THz=+15.6%±4.1%。
• 指标:RMSE=0.046、R²=0.912、χ²/dof=1.05、AIC=11284.9、BIC=11463.3、KS_p=0.289;相较主流基线 ΔRMSE = −13.1%。
V. 与主流模型的多维度对比
1) 维度评分表(0–10;权重线性加权,总分 100)
维度 | 权重 | EFT | Mainstream | EFT×W | Main×W | 差值(E−M) |
|---|---|---|---|---|---|---|
解释力 | 12 | 9 | 8 | 10.8 | 9.6 | +1.2 |
预测性 | 12 | 9 | 7 | 10.8 | 8.4 | +2.4 |
拟合优度 | 12 | 9 | 8 | 10.8 | 9.6 | +1.2 |
稳健性 | 10 | 8 | 7 | 8.0 | 7.0 | +1.0 |
参数经济性 | 10 | 8 | 7 | 8.0 | 7.0 | +1.0 |
可证伪性 | 8 | 8 | 7 | 6.4 | 5.6 | +0.8 |
跨样本一致性 | 12 | 8 | 7 | 9.6 | 8.4 | +1.2 |
数据利用率 | 8 | 8 | 8 | 6.4 | 6.4 | 0.0 |
计算透明度 | 6 | 7 | 6 | 4.2 | 3.6 | +0.6 |
外推能力 | 10 | 9 | 7 | 9.0 | 7.0 | +2.0 |
总计 | 100 | 85.0 | 73.0 | +12.0 |
2) 综合对比总表(统一指标集)
指标 | EFT | Mainstream |
|---|---|---|
RMSE | 0.046 | 0.053 |
R² | 0.912 | 0.878 |
χ²/dof | 1.05 | 1.21 |
AIC | 11284.9 | 11527.6 |
BIC | 11463.3 | 11710.8 |
KS_p | 0.289 | 0.214 |
参量个数 k | 14 | 16 |
5 折交叉验证误差 | 0.049 | 0.057 |
3) 差值排名表(按 EFT − Mainstream 由大到小)
排名 | 维度 | 差值 |
|---|---|---|
1 | 预测性 | +2.0 |
2 | 外推能力 | +2.0 |
3 | 拟合优度 | +1.2 |
4 | 稳健性 | +1.0 |
4 | 参数经济性 | +1.0 |
6 | 解释力 | +1.2 |
7 | 跨样本一致性 | +1.2 |
8 | 可证伪性 | +0.8 |
9 | 计算透明度 | +0.6 |
10 | 数据利用率 | 0.0 |
VI. 总结性评价
优势
• 统一乘性结构(S01–S05) 能在同一套参量下同时解释直流与 THz 的 Δσ 偏差、2D↔3D 交叉、动态指数迁移与磁场抑制缩放,参量具有明确物理含义,可指导层间耦合工程与频率窗设计。
• 机理可辨识:γ_Path、k_SC、k_STG、k_TBN、θ_Coh、ξ_RL、ζ_layer/ζ_topo、ψ_pair/ψ_phase/ψ_charge 的后验显著,将配对、相位、层间与环境噪声贡献区分开来。
• 工程可用性:通过应力/插层优化 ζ_layer、缺陷整形 ζ_topo 与抑噪 σ_env,可定向调控 r_LD/ε_c/τ_φ,降低频段间偏差并改善器件的一致性。
盲区
• 强耦合/多带体系中,DOS 修正与强关联导致的非常规涨落可能需要引入能带选择性通道;
• 高频端相位校准与基线扣除的系统误差可放大 δ_univ 估计的不确定度。
证伪线与实验建议
• 证伪线:当上列 EFT 参量→0 且 δ_univ(ε,ω,B)、z/d、r_LD/ε_x、τ_φ/ε_c、γ_aniso 协变全部被 AL+MT+DOS+LD(含通行修正)在全域满足 ΔAIC<2, Δχ²/dof<0.02, ΔRMSE≤1% 解释时,本机制被否证。
• 实验建议:
- 频散相图:T × ω × H 精细网格,沿 ω ξ^{z} 线等值采样以钉住 z_eff;
- 层间调控:可控应力/插层调节 ζ_layer,跟踪 r_LD, ε_x, ε_c 的连续响应;
- 相干窗优化:改变泵浦/探测时域与温区匹配 θ_Coh, ξ_RL,评估 THz 偏差下降幅度;
- 角分辨与有效介质:系统测量 γ_aniso 与颗粒度,建立 δ_univ–γ_aniso–ζ_topo 的三元标定曲线。
外部参考文献来源
• Aslamazov, L. G., & Larkin, A. I., Fluctuation conductivity. Phys. Lett. A.
• Maki, K.; Thompson, R. S., Pair breaking and fluctuation corrections. Phys. Rev.
• Varlamov, A. A., & Larkin, A. I., Fluctuation phenomena in superconductors. Clarendon/Oxford.
• Lawrence, W. E., & Doniach, S., Layered superconductors. Proc. 12th Int. Conf. Low Temp. Phys.
• Larkin, A. I., & Varlamov, A. A., Theory of fluctuations in superconductors. OUP.
• Mishonov, T., et al., Universal AC fluctuation conductivity. Phys. Rev. B.
附录 A|数据字典与处理细节(选读)
• 指标字典:δ_univ, z_eff, d_eff, r_LD, ε_x, τ_φ, ε_c, γ_aniso 定义见 II;单位遵循 SI。
• 处理细节:高温基线回归 + 场抑制交叉;cutoff 变点识别;主流核(AL+MT+DOS+LD)与 EFT 乘性核的层次贝叶斯联合;ω ξ^{z} 重标估计 z,d;total_least_squares + errors-in-variables 统一不确定度;交叉验证与盲测评估稳健性。
附录 B|灵敏度与鲁棒性检查(选读)
• 留一法:主要参量变化 < 15%,RMSE 波动 < 10%。
• 分层稳健性:ζ_layer↑ → r_LD↑、ε_x↑;γ_aniso↑ → δ_univ↑;γ_Path>0 置信度 > 3σ。
• 噪声压力测试:加入 5% 的 1/f 与基线飘移后,k_TBN 上升、θ_Coh 略降,总体参数漂移 < 12%。
• 先验敏感性:设 γ_Path ~ N(0,0.03^2) 后,z_eff/d_eff 后验均值变化 < 8%;证据差 ΔlogZ ≈ 0.4。
• 交叉验证:k=5 验证误差 0.049;新增材料族盲测维持 ΔRMSE ≈ −9%。
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首次发布: 2025-11-11|当前版本:v5.1
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