第60章：中子近场 OAM 手性散射的“对消指纹”（外负—内正的可逆特征）

目录 ／ 附录-1. 预测和证伪（V6.0）

一、前言
第56章以质子近场 OAM 手性散射建立“手性切换—符号同步翻转”的基本判据；第57章以中场外缘强化侧写检验稳定束缚结构的空间形态；第58章以张度梯度的一次相关检验环境耦合；第59章以阈值触发的重联回响检验非线性事件。本章转向中子：中子总体电荷为零，但可呈现内部近场纹理的“对消”构型，其可观测后果不是“没有手性响应”，而是“响应在空间上分区反号、积分后近似抵消”。该性质可在近场 OAM 手性散射中以单一指纹读出：内区与外区相位响应符号相反，存在稳定零交叉半径，并对 OAM 手性翻转保持可逆对称。

二、预测（核心一句话）
在固定几何与读出条件下，用携带轨道角动量（OAM）的探针束测量中子近场时，相位偏移 Δφ 随最近接距离 b 呈“对消指纹”：在内区（b<b0）与外区（b>b0）符号相反，并在 b=b0 处稳定过零；当 OAM 手性翻转（+ℓ ↔ −ℓ）时，Δφ(b) 的整体符号同步翻转且 b0 保持不变或仅作可标定微调。该结构可用两条关系刻画：

• Δφ(b,+ℓ) = −Δφ(b,−ℓ)；
• sign[Δφ(b<b0,+ℓ)] = −sign[Δφ(b>b0,+ℓ)]。
  在对 b 的采样作加权平均后，净相位偏移应显著小于质子在同口径下的净偏移幅度（近似抵消而非同号叠加）。

三、一句话目标
以“内外分区反号＋零交叉半径＋OAM 翻转可逆”的三联结构，检验中子近场是否存在可观测的对消纹理。

四、要测什么

• 相位偏移 Δφ(b,ℓ)：在固定束腰、入射能量/频率、极化态与读出定义下，测量散射通道（或透过通道）的相位偏移，记录符号与幅度。
• 零交叉半径 b0：在多档 b 扫描中定位 Δφ 的过零点，给出 b0 的置信区间与跨批次稳定性。
• 内外反号强度指标 C：定义 C = sign[Δφ内]×sign[Δφ外]，其中 Δφ内 为 b<b0 的代表值、Δφ外 为 b>b0 的代表值；预测为 C=−1，且在 OAM 翻转下保持不变。
• 对消程度指标 K：定义 K = |⟨Δφ⟩|/⟨|Δφ|⟩（对 b 加权平均），预测 K 显著小于 1；并与质子同口径下的 K 形成显著差异。
• 可逆性指标 R：检验 Δφ(b,+ℓ)+Δφ(b,−ℓ) 在误差带内收敛至零（对每个 b 档位分别成立）。

五、怎么做

• 对象与读出：采用可实现中子稳定态或等效近场目标态的装置，读出链路采用相位敏感方案，符号定义在全流程固定。
• OAM 模式与切换：OAM 模式源支持 +ℓ/−ℓ 快速切换；模式纯度在线监测并以预注册阈值剔除/降权。
• 最近接距离扫描：以束心—目标的横向偏置实现 b 的多档位扫描；b 的标定方法、档位设置与扫描顺序预注册并冻结。
• 盲化：b 档位与 ℓ 标签以随机编码写入数据流；分析在未知标签条件下完成相位提取、误差评估与 b0 定位；揭盲后仅执行预注册的反号、过零与可逆性检验。
• 自旋态控制：中子自旋极化态与翻转方案固定并记录；自旋态变化不得与 ℓ 或 b 扫描同步耦合。

六、阳性/阴性对照

• 阳性对照（同口径质子）：在同一装置与同一分析口径下，对质子执行相同的 b 扫描与 ℓ 翻转；质子不应呈现稳定的“内外反号＋过零”结构，用于验证该结构并非读出链路的普遍伪像。
• 阴性对照（ℓ=0 基模）：在 ℓ=0 条件下，内外反号结构应显著弱化或消失，b0 不得作为“固定装置半径”残留。
• 空检（弱耦合/远离近场）：将耦合降至弱作用窗口（增大 b 或采用等效弱耦合构型），内外反号与过零结构应显著衰减。
• 置换对照：随机置换 b 标签或 ℓ 标签后，b0 的稳定性与内外反号一致性应被打碎；若仍保持同等一致性，则判为分析伪像或标签泄露。

七、支持（通过）判据
同时满足以下三条，才算“通过”：

• 内外反号与过零成立：Δφ 随 b 存在稳定过零点 b0，且 b<b0 与 b>b0 的符号在统计上稳定相反（C=−1）。
• OAM 翻转可逆：对每个 b 档位成立 Δφ(b,+ℓ)=−Δφ(b,−ℓ)，b0 在 ℓ 翻转下保持不变或仅作可标定微调。
• 对照可分与对消可检：质子同口径对照不呈现同样的内外反号结构；中子的对消程度指标 K 显著小于质子或显著小于 1，并在独立批次/独立日复现。

八、否证（未通过）判据
出现以下任一类稳健结果即可否证：

• 无分区反号：Δφ(b) 在可达精度下始终同号或无稳定过零点，b0 不可定义或随口径任意漂移。
• 不满足可逆性：ℓ 翻转后 Δφ 不同步翻向，或翻向概率接近随机；Δφ(b,+ℓ)+Δφ(b,−ℓ) 系统偏离零。
• 对照不分离：质子同口径对照同样出现“内外反号＋过零”结构，表明该结构来自装置几何或分析链路。
• 空检同样显著：弱耦合/远离近场条件下仍保持同等级反号与过零结构，表明信号来自仪器手性或传播链路偏置。

九、系统误差与对策

• b 标定与束心漂移：束心漂移可伪造过零点；采用束心在线监测与闭环锁定；b 档位交错采样并以随机顺序执行。
• OAM 模式混叠与非理想相位板误差：模式泄漏可制造假过零；模式分解校准与纯度阈值剔除；ℓ=0 与多 |ℓ| 档位交叉检验。
• 自旋相关系统项：中子自旋态漂移可引入符号混乱；自旋态固定与独立翻转测试并行；自旋翻转不得与 b 或 ℓ 同步耦合。

十、成败线（一句话版）
若中子近场的 OAM 手性散射在 b 扫描中稳定呈现“内外分区反号＋零交叉半径”，并在 ℓ 翻转下保持可逆对称且对照可分，则支持本章预测；若该结构不存在、不可复现或空检同样显著，则否证本章预测。