目录附录-1. 预测和证伪(V6.0)

一、前言
第60章以近场 OAM 手性散射给出中子“对消纹理”的分区反号指纹;本章将“对消”的含义推进到电荷分布的低动量极限。中子总电荷为零并不等同于“电荷分布处处为零”,而是意味着正负成分在空间上以特定方式对消。若中子的电荷半径平方为负,则在小动量转移区间,电形状因子的低阶展开应呈现确定的符号结构,并可在不同能区、不同提取路线与不同反演方法中形成同向一致的空间侧写。


二、预测(核心一句话)
在小动量转移区间,若中子电荷半径平方为负,则中子电形状因子 GEn(Q²) 的低阶行为应满足:当 Q² 从 0 增大时,GEn(Q²) 在零点附近的斜率为正,并与负的 ⟨r²⟩n 保持一致关系;在统一辐射修正与统一归一化口径下,该斜率符号在不同数据集与不同提取路线中应稳定一致。进一步,在预注册的空间反演方法族下,反演得到的等效电荷密度侧写应呈“外负—内正(或内正—外负)”的对消型结构,并与第60章的分区反号指纹在符号拓扑上相容。若低 Q² 区间的斜率符号不稳健、或空间反演稳定呈单调无对消结构,则否证本章预测。


三、一句话目标
以“低 Q² 斜率符号的跨数据一致性”与“空间反演对消侧写的跨方法一致性”为判据,检验中子电荷半径负号的可仲裁观测后果。


四、要测什么

  1. 电形状因子主量 GEn(Q²):在统一辐射修正、统一归一化与统一系统误差模型下提取 GEn(Q²) 曲线,并给出协方差。
  2. 低 Q² 斜率与符号量
    • 零点附近的斜率 s = dGEn/dQ²(在预注册的低 Q² 窗口内拟合得到);
    • 斜率符号 sign(s) 的跨数据一致性;
    • 斜率与等效 ⟨r²⟩n 的对应关系在不同口径下的稳定性。
  3. 空间反演量:在预注册的反演方法族下反演等效电荷密度侧写,并计算对消结构指标:
    • 零交叉半径 r0(电荷密度过零点)及其置信区间;
    • 内外反号指标 Cn(内区与外区符号是否相反);
    • 对消程度指标 Kn(净电荷约束下的残差一致性与稳健性)。
  4. 跨能区一致性量:不同能区/不同设施/不同提取路线下,s、r0、Cn、Kn 的同向一致性与收敛范围。

五、怎么做


六、对照与空检


七、支持(通过)判据
同时满足以下三条,才算“通过”:


八、否证(未通过)判据
出现以下任一类稳健结果即可否证:


九、系统误差与对策


十、成败线(一句话版)
若中子电形状因子在低 Q² 区间的斜率符号跨数据稳定一致,并在空间反演中给出可复验的对消型零交叉侧写且空检可排除,则支持本章预测;若斜率符号不稳健或反演无对消结构并可被空检复制,则否证本章预测。


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