目录附录-1. 预测和证伪(V6.0)

一、前言
第58章给出质子磁矩对可控张度梯度的“一次线性微漂移”预测;第60章与第61章给出中子近场与低动量极限的“对消型”结构指纹。本章将“对消”推进到磁矩的环境耦合:若中子内部结构在空间上呈分区反号并近似抵消,则对张度梯度的一级响应可被抑制,领先项表现为偶函数型的二次标度,并与质子的奇函数线性响应形成可直接仲裁的对照关系。


二、预测(核心一句话)
在可控张度梯度 G(方向可翻转、幅度可扫描)下,中子有效磁矩 μₙ(或等效 gₙ)应呈偶函数型微漂移,满足二次标度:
Δμₙ = k₂·G²(或 Δgₙ = k₂·G²),
并满足两条刚性结构:


三、一句话目标
以“偶函数响应+二次标度+线性项抑制”为判据,检验中子磁矩是否呈对消结构所导出的环境耦合特征,并与质子的奇函数线性响应形成对照分离。


四、要测什么

  1. 主量(磁矩/等效 g 因子)
    以自旋进动读出构造的 gₙ 或 μₙ,并显式给出统计不确定度与系统不确定度。
  2. 环境量(梯度量)
    张度梯度 G 的方向(±)与幅度(多档位),并给出每档位的可重复标定值与不确定度。
  3. 奇偶分解量(用于仲裁):对每一档 |G| 同时采集 +G 与 −G,定义
    • 偶分量:Δμₙ,even = [Δμₙ(+G) + Δμₙ(−G)]/2;
    • 奇分量:Δμₙ,odd = [Δμₙ(+G) − Δμₙ(−G)]/2;
      预测为 Δμₙ,odd≈0 且 Δμₙ,even 随 G² 增长。
  4. 标度检验量
    • 二次斜率 k₂ 与其置信区间(由 Δμₙ 对 G² 的拟合得到);
    • 一次项系数 k₁ 与其置信区间(由 Δμₙ 对 G 的拟合得到),预测为 k₁ 与零不可区分;
    • 拟合残差结构(一次模型残差呈系统曲率,二次模型残差近似白化)。

五、怎么做


六、阳性/阴性对照


七、支持(通过)判据
同时满足以下三条,才算“通过”:


八、否证(未通过)判据
出现以下任一类稳健结果即可否证:


九、系统误差与对策


十、成败线(一句话版)
若中子磁矩 μₙ(或等效 gₙ)对张度梯度 G 呈可复验的偶函数二次标度(Δμₙ≈k₂·G²),且线性项被抑制并与质子的奇函数线性响应形成对照分离,则支持本章预测;若响应呈奇函数主导、二次标度不成立或空检同样显著,则否证本章预测。


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