一、前言
第58章给出质子磁矩对可控张度梯度的“一次线性微漂移”预测;第60章与第61章给出中子近场与低动量极限的“对消型”结构指纹。本章将“对消”推进到磁矩的环境耦合:若中子内部结构在空间上呈分区反号并近似抵消,则对张度梯度的一级响应可被抑制,领先项表现为偶函数型的二次标度,并与质子的奇函数线性响应形成可直接仲裁的对照关系。
二、预测(核心一句话)
在可控张度梯度 G(方向可翻转、幅度可扫描)下,中子有效磁矩 μₙ(或等效 gₙ)应呈偶函数型微漂移,满足二次标度:
Δμₙ = k₂·G²(或 Δgₙ = k₂·G²),
并满足两条刚性结构:
- 偶函数性:从 +G 翻转到 −G 时,Δμₙ(或 Δgₙ)幅度保持不变,符号不随翻转改变;
- 线性项抑制:在预注册的小梯度窗口内,Δμₙ 对 G 的一次项系数与零不可区分,而二次项主导拟合优度。
在 G≈0 的均匀环境中,Δμₙ(或 Δgₙ)应收敛至零(或仅剩与 G 无关的可校准常项)。
三、一句话目标
以“偶函数响应+二次标度+线性项抑制”为判据,检验中子磁矩是否呈对消结构所导出的环境耦合特征,并与质子的奇函数线性响应形成对照分离。
四、要测什么
- 主量(磁矩/等效 g 因子):
以自旋进动读出构造的 gₙ 或 μₙ,并显式给出统计不确定度与系统不确定度。 - 环境量(梯度量):
张度梯度 G 的方向(±)与幅度(多档位),并给出每档位的可重复标定值与不确定度。 - 奇偶分解量(用于仲裁):对每一档 |G| 同时采集 +G 与 −G,定义
- 偶分量:Δμₙ,even = [Δμₙ(+G) + Δμₙ(−G)]/2;
- 奇分量:Δμₙ,odd = [Δμₙ(+G) − Δμₙ(−G)]/2;
预测为 Δμₙ,odd≈0 且 Δμₙ,even 随 G² 增长。
- 标度检验量:
- 二次斜率 k₂ 与其置信区间(由 Δμₙ 对 G² 的拟合得到);
- 一次项系数 k₁ 与其置信区间(由 Δμₙ 对 G 的拟合得到),预测为 k₁ 与零不可区分;
- 拟合残差结构(一次模型残差呈系统曲率,二次模型残差近似白化)。
五、怎么做
- 装置与读出:
采用可实现中子自旋进动高精度测量的装置(冷/超冷中子存储与 Ramsey 读出或等效方案),以频率或频率比构造 gₙ 或 μₙ。 - 梯度生成与切换:
以可逆外部构型生成 G,至少包含三档以上 |G| 幅度与两种相反方向;切换仅改变 G 构型,不改变读出链路与分析链路。 - 口径冻结:
G 构型几何参数、对准容差、切换顺序、积分时长、数据剔除规则与拟合模型族在采数前冻结。 - 盲化:
G 档位与方向以随机编码写入数据流;分析在未知标签条件下完成频率提取、漂移建模与不确定度评估;揭盲后仅执行预注册的奇偶分解与标度检验。 - 交错序列:
采用交错顺序(+G、−G、0、+G、−G……)抑制慢漂,并固定每次切换后的再稳定等待窗。
六、阳性/阴性对照
- 阳性对照(质子奇函数对照):
在同一装置或同等读出链路下,对质子执行同样的 +G/−G/0 序列;质子应表现为奇分量主导(Δμₚ,odd 显著,Δμₚ,even 受抑制),用于验证“奇偶分解”在链路中可分离。 - 阴性对照(G≈0):
在零梯度构型下重复同样切换与分析流程;Δμₙ,even 与 Δμₙ,odd 均不得呈现与“伪标签”相关的系统结构。 - 替身构型对照(同几何、低梯度):
采用几何同构但梯度显著降低的替身构型;Δμₙ,even 的 G² 标度应显著弱化或消失。 - 标签置换对照:
随机置换 +G/−G 标签后,Δμₙ,even 的系统性标度与 k₂ 的稳定性应被打碎;若仍保持同等标度,则判为链路伪相关或盲化泄露。
七、支持(通过)判据
同时满足以下三条,才算“通过”:
- 偶函数性成立:对同一 |G|,Δμₙ(+G) 与 Δμₙ(−G) 在误差带内一致;Δμₙ,odd 与零不可区分。
- 二次标度成立:在预注册窗口内,Δμₙ,even 对 G² 的拟合给出稳定非零 k₂,并在独立批次/独立日复现;一次项系数 k₁ 与零不可区分。
- 对照可分:质子对照显示奇分量主导而中子显示偶分量主导;替身构型与 G≈0 空检不产生同等级 k₂。
八、否证(未通过)判据
出现以下任一类稳健结果即可否证:
- 不满足偶函数性:Δμₙ(+G) 与 Δμₙ(−G) 系统不一致,或 Δμₙ,odd 显著非零且可复现。
- 二次标度不成立:k₂ 与零不可区分,或拟合主要由一次项主导且跨口径稳定;或标度随拟合窗口任意漂移。
- 对照不分离:质子与中子在同口径下同时呈偶或同时呈奇,无法形成奇偶分离;替身构型与空检仍给出同等级 k₂。
- 置换不打碎:标签置换后仍保持同等级二次标度与一致性,表明信号来自链路伪相关或盲化失效。
九、系统误差与对策
- 磁场梯度与几何相位效应:中子在非均匀磁场中可能产生几何相位与伪二次项;并行磁场监测、对称路径设计与反向序列交叉;将磁场梯度项作为协变量上限约束。
- 温漂与机械应力的同步伪相关:构型切换引入热负载变化导致频率漂移;热稳态控制与温度/振动全程记录;替身构型与标签置换用于排除同步伪相关。
- 频率提取与窗口选择偏置:短窗与滤波可能制造曲率残差;双独立算法交叉提取;固定窗函数与预注册滤波参数;揭盲前冻结全部拟合与剔除规则。
十、成败线(一句话版)
若中子磁矩 μₙ(或等效 gₙ)对张度梯度 G 呈可复验的偶函数二次标度(Δμₙ≈k₂·G²),且线性项被抑制并与质子的奇函数线性响应形成对照分离,则支持本章预测;若响应呈奇函数主导、二次标度不成立或空检同样显著,则否证本章预测。
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