I. 章节目标与结构
- 目标：在发射（Emission）与抗扰度（Immunity）的统一语境下，建立以 ΔZ_rad(omega) 为核心的端口—路径—场量协同框架，给出与《EDX.HighSpeed》一致的计量/记录口径与发布门限，使 Z_eft(omega)、近/远场包络与共模电流 I_CM(omega) 可比、可复现、可证伪。
- 结构：本章明确边界与对象、核心量与假设、最小映射与记录口径、基线与可证伪准则、跨章闭环路径。
- 共享到达时口径（两式等价，须记录 delta_form，显式 gamma(ell) / d ell）：
- 常量外提：T_arr = ( 1 / c_ref ) * ( ∫ n_eff d ell )
- 一般口径：T_arr = ( ∫ ( n_eff / c_ref ) d ell )
II. 变量与域（Symbols & Domain）
- 端口/阻抗：Z_eft(omega)、Z_ref(omega)、ΔZ_T(omega)、S(omega)、Znorm(omega)、Z_c(omega)。
- 辐射与场量：ΔZ_rad(omega)（约束 Re{ΔZ_rad} ≥ 0）、E_rad(omega,r)、H_rad(omega,r)、I_CM(omega)。
- 路径/模态与权重：gamma(ell)、d ell、{γ_main, γ_side}、w_{p,m}(omega)、ΔW。
- 屏蔽与几何：sigma_seam（缝隙等效电导）、开口/裂缝/残桩/跨接/Launch 过渡。
- 频域与检测器：omega；detector ∈ {pk, qpk, avg}（带宽与时间常数在数据卡记录）。
- QA 硬门：check_dim=pass、passivity(Re{Z_eft}≥0)、KK_consistency=pass、两口径 T_arr 一致（|Δ| ≤ u(T_arr)）。
III. 公设/最小映射/接口摘要（P10-EMI / S20-EMI / I40-EMI）
- P10-EMI-1（正实辐射通道）：当几何/屏蔽不连续激活外泄路径 γ_side 时，端口阻抗满足
Z_eft = Z_ref + ΔZ_T + ΔZ_rad，且 Re{ΔZ_rad} ≥ 0 与 K–K 一致，封堵后 Re{ΔZ_rad} 单调下降。 - S20-EMI-1（端口—场量功率等效）：
P_rad(omega) ≈ (1/2) · Re{ΔZ_rad(omega)} · |I_port(omega)|^2，与 |E_rad|/|H_rad| 频率趋势保持单调一致。 - S20-EMI-2（路径—权重联动）：w_{side}(omega) 与 ΔZ_rad 同向变化，ΔW = Σ_{p,m}|w_{p,m}(ω2)-w_{p,m}(ω1)| 增大；回流闭合/封堵使二者下降。
- I40-EMI-1（S↔Z 与混合模归一）：发射/抗扰与 S 参数在相同归一/端口基下映射至 Z_eft；混合模（DM/CM）域先归一再回投，映射后通过 passivity/KK。
IV. 工程实现与记录（最小执行口径）
- 强制记录：arrival{form,gamma,measure,c_ref,Tarr,u_Tarr,delta_form}、binding_ref、S(omega)/Znorm(omega)、Z_eft/argZ、Z_c(omega)、ΔZ_rad(omega) 与 Re_Zrad_min、E_rad/H_rad 扫描摘要、I_CM(omega)、sigma_seam、w_{p,m}(omega)/ΔW、qa_gates{check_dim,passivity,KK}。
- 相位改正：arg Z_corr(omega) = arg Z_raw(omega) − ( omega · Δt_sync )；相位展开后再做拟合与 KPI。
- 合规模板（片段）：
- emi_baseline:
- band_GHz: [f_min, f_max]
- normalization: {Znorm_ohm:[50.0,50.0], mixed_mode:{enabled:true, T_mm:"/cfg/T_mm.yaml", Z0_mm_ohm:[100,25]}}
- arrival: {form:"n_over_c", gamma:"explicit", measure:"d_ell", c_ref:299792458.0, Tarr_s:..., u_Tarr_s:..., delta_form:"n_over_c"}
- geometry: {seams:{sigma_seam_S:0.12, locations:["J3_gap"], length_mm:18.0}, stubs:{max_len_mm:3.5}}
- impedance: {Z_eft:{real:[...], imag:[...]}, deltaZ_rad:{Re_ohm:[...], Im_ohm:[...]}} # Re ≥ 0
- fields: {E_rad_peak_dBuV_m:[...], H_rad_peak_dBA_m:[...], I_CM_A:[...]}
- weights: {w_main:[...], w_side:[...], ΔW:0.19}
- qa_gates: {check_dim:"pass", passivity:"pass", KK:"pass"}
V. 基线与参考装置（可复现）
- 缝隙/开口板（可封堵）：验证 Re{ΔZ_rad} ≥ 0 与封堵后下降，|E_rad|/|I_CM| 同步下降。
- 回流跨接/残桩样件：验证 w_side↑ → ΔZ_rad↑ → 场量↑ 与回流闭合后的反向变化。
- 混合模/缆束耦合装置：验证 DM/CM 归一、I_CM 与 ΔZ_rad/ΔW 趋势一致。
- 每件配 dataset_card/pipeline_card/env_lock 与参考输出，用于回归与发布门。
VI. 可证伪准则（卷级）
- J-EMI-1（正实/因果）：Re{ΔZ_rad}<0 或 KK 失败，否决辐射等效或 S↔Z 归一。
- J-EMI-2（封堵验证）：封堵/回流闭合后 Re{ΔZ_rad} 与 |E_rad|/|I_CM| 未同步下降，否决通道判定与几何记录。
- J-EMI-3（权重联动）：ΔW 的方向与 Re{ΔZ_rad} 不一致，否决路径—权重模型或 γ_side 标注。
- J-EMI-4（两口径一致）：|T_arr^{(1)}−T_arr^{(2)}| > u(T_arr)，拒绝发布。
- J-EMI-5（跨域一致）：EMI 峰值频点与 Re{ΔZ_rad} 峰值严重错位，否决场—端口等效或探测设置。
VII. 跨章引用与闭环
- 上游依赖：见《EDX.HighSpeed》 第13章（EMI/EMC 协同）、第8章（S↔Z 映射）、第7章（KPI）。
- 本卷承接：第2章（术语与符号）→ 第3–5章（公设/等效与屏蔽）→ 第6–8章（缆束/注入与映射）→ 第9–10章（计量链与证伪）→ 第11–16章（工程规则、协同、仿真栈、数据与复现、设计规程）。
- 跨卷固定写法示例：“见 配套白皮书《能量丝》 第x章 S/P/M/I…” 与 “见 配套白皮书《EDX.HighSpeed》 第x章 …”。