38-EFT.WP.EDX.EMI v1.0 | 第5章 缝隙/开口/残桩等效与屏蔽连续性（S40 EMI）

目录 ／ 文档-技术白皮书（V5.05） ／ 38-EFT.WP.EDX.EMI v1.0

第5章 缝隙/开口/残桩等效与屏蔽连续性（S40 EMI）

I. 章节目标与结构

1. 目标：建立缝隙/开口与残桩/回流不连续的等效通道与屏蔽连续性度量，给出 ΔZ_rad(omega) 的参数化表达与启用/封堵的一致性门限，使端口—路径—场量在发射/抗扰场景下可量化、可回归、可证伪。
2. 结构：变量与域 → S40-EMI 等效通道与连续性规则 → 工程实现与记录 → 可证伪准则 → 合规模板 → 跨章闭环。
3. 共享到达时两口径（等价，须显式 gamma(ell) 与 d ell 并记录 delta_form）：
   • 常量外提：T_arr = ( 1 / c_ref ) * ( ∫ n_eff d ell )
   • 一般口径：T_arr = ( ∫ ( n_eff / c_ref ) d ell )

II. 变量与域（Symbols & Domain）

• 几何与屏蔽：sigma_seam（缝隙等效电导，S）、L_seam（有效缝隙长度，m）、pitch_seam（缝隙节距，m）、mesh_ratio（网格化占空比）。
• 端口与通道：Z_eft(omega)、Z_ref(omega)、ΔZ_T(omega)、ΔZ_rad(omega)（约束 Re{ΔZ_rad} ≥ 0）。
• 路径与权重：gamma(ell)、d ell、{γ_main, γ_side}、w_{p,m}(omega)、ΔW。
• 残桩/过孔：stub_len（残桩长度，m）、backdrill（背钻标志）。
• QA 硬门：check_dim=pass、passivity(Re{Z_eft}≥0)、KK_consistency=pass、两口径 T_arr 一致。

S40-EMI｜等效通道与屏蔽连续性

S40-EMI-1（缝隙/开口等效通道）

• 等效：以 sigma_seam 与 L_seam 参数化屏蔽断裂的外泄通道，在端口侧形成
  Z_eft(ω) = Z_ref(ω) + ΔZ_T(ω) + ΔZ_rad(ω; sigma_seam, L_seam, ...)。
• 连续性与优化：mesh_ratio↑、pitch_seam↓ 或加跨接条/过孔桥时，Re{ΔZ_rad} 单调下降。

S40-EMI-2（残桩/过孔引发外泄路径）

• 触发：stub_len 过长或未背钻会激活 γ_side；以端口观测呈现
  w_{side}(ω) ↑ ⇒ Re{ΔZ_rad}(ω) ↑。
• 处置：背钻/裁剪（backdrill=true）后，w_{side} 与 Re{ΔZ_rad} 同向下降。

S40-EMI-3（回流闭合与缝合连续性）

• 原则：在参考面跨接处布置过孔桥/环，以最短路径闭合回流并抑制 γ_side。
• 接受度量：缝合加密使 ΔW = Σ_{p,m}|w_{p,m}(ω₂)-w_{p,m}(ω₁)| 与 E_phase/GDR 同向改善。

S40-EMI-4（网格化/周期化屏蔽）

• 措施：对长缝进行网格化（提高 mesh_ratio）与周期化（降低 pitch_seam）。
• 门限：达到设计上限后，Re{ΔZ_rad} 的下降趋于饱和；需以成本/重量与 EMI 目标折衷。

S40-EMI-5（检测与显示口径）

• 功率等效：外泄功率由端口量估计
  P_rad(ω) ≈ (1/2) · Re{ΔZ_rad(ω)} · |I_port(ω)|^2，
  与 |E_rad|/|H_rad| 的频率趋势单调一致（检测器 detector∈{pk,qpk,avg} 的 IF 带宽/时间常数需记录）。

III. 工程实现与记录（最小执行口径）

• 必填字段：sigma_seam、L_seam、pitch_seam、mesh_ratio、stub_len、backdrill、binding_ref、arrival{form,gamma,measure,c_ref,Tarr,u_Tarr,delta_form}、Z_eft/argZ、ΔZ_rad(ω) 与 Re_Zrad_min、E_rad/H_rad 扫描摘要、I_CM(ω)、w_{p,m}(ω)/ΔW、Znorm(ω)、qa_gates{check_dim,passivity,KK}。
• 相位改正：arg Z_corr(ω) = arg Z_raw(ω) − ( ω · Δt_sync )，相位解缠后再拟合。
• 一致性检查：Re{ΔZ_rad} ≥ 0；封堵/背钻后 Re{ΔZ_rad} 与 |E_rad|/|I_CM| 同步下降；两口径 T_arr 一致；ΔW 与 Re{ΔZ_rad} 方向一致。

IV. 可证伪准则（S40-EMI 对应）

• J-EMI-40-1（正实与因果）：若 Re{ΔZ_rad}<0 或 KK_consistency 失败，否决等效模型或端口归一。
• J-EMI-40-2（封堵/网格化验证）：实施封堵/网格化后 Re{ΔZ_rad} 与 |E_rad|/|I_CM| 未同步下降，否决 sigma_seam/L_seam 等效或几何记录。
• J-EMI-40-3（背钻验证）：背钻/裁剪后 w_{side} 与 Re{ΔZ_rad} 未下降，否决 γ_side 标注或残桩参数。
• J-EMI-40-4（回流连续性）：加过孔桥/环后 ΔW 与 E_phase/GDR 未改善，否决回流策略或路径标注。
• J-EMI-40-5（两口径一致）：|T_arr^{(1)}−T_arr^{(2)}| > u(T_arr)，拒绝发布。

V. 合规模板（可直接粘贴）

• 记录模板（YAML）
• seam_stub_equiv:
• band_GHz: [f_min, f_max]
• normalization:
• Znorm_ohm: [50.0, 50.0]
• mixed_mode: {enabled: true, T_mm: "/cfg/T_mm.yaml", Z0_mm_ohm: [100, 25]}
• geometry:
• seams: {sigma_seam_S: 0.12, L_seam_mm: 18.0, pitch_seam_mm: 3.0, mesh_ratio: 0.6}
• stubs: {max_len_mm: 3.5, backdrill: true}
• bridges:{via_fence: true, pitch_mm: 2.0}
• arrival:
• form: "n_over_c" # 或 "one_over_c_times_n"
• gamma: "explicit"
• measure: "d_ell"
• c_ref: 299792458.0
• Tarr_s: 1.234e-09
• u_Tarr_s: 6.0e-12
• delta_form: "n_over_c"
• impedance:
• Z_eft: {real:[...], imag:[...]}
• deltaZ_rad: {Re_ohm:[...], Im_ohm:[...]} # Re ≥ 0
• fields_currents:
• E_rad_peak_dBuV_m: [ ... ]
• H_rad_peak_dBA_m: [ ... ]
• I_CM_A: [ ... ]
• weights:
• w_main: [ ... ]
• w_side: [ ... ]
• ΔW: 0.17
• qa_gates: {check_dim:"pass", passivity:"pass", KK:"pass"}
• 数值检查（伪代码）
• # 正实与因果
• assert min(Re(ΔZ_rad)) >= 0.0 and KK_consistency(Z_eft)
• # 封堵/网格化/背钻前后单调性
• assert mean(Re(ΔZ_rad_after)) < mean(Re(ΔZ_rad_before))
• assert mean(E_rad_after) < mean(E_rad_before)
• # 权重与辐射联动
• ΔW = sum_abs(w_side[ω2] - w_side[ω1])
• assert monotone(ΔW, Re(ΔZ_rad))
• # 两口径到达时
• assert abs(Tarr_n_over_c - Tarr_one_over_c_times_n) <= u_Tarr

VI. 跨章引用与闭环

• 依赖：第2章（术语与符号）、第3章（P10-EMI 公设）、《EDX.HighSpeed》第13章（EMI 协同）、第8章（S↔Z 映射）。
• 对接：第6章（电缆/连接与混合模耦合）、第9章（计量链与合规口径）、第11章（工程规则：屏蔽/接地/返回路径），以及附录（数据/接口/符号）用于发布与回归。