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332|透镜与 CMB Lensing 振幅张力|数据拟合报告
I. 摘要
- 现象与困境
跨 Planck/ACT/SPT 与 DES/KiDS/HSC 的统一口径分析显示:CMB Lensing 与低红移弱透镜的振幅存在张力。指标表现为 S8_bias、A_L_bias 与 A_cross_bias 同时偏正,且在小尺度 C_ℓ 残差与 EB 泄漏、photo-z 与 shear 标定上协变。主流“ΛCDM + 系统学回放”难以同时压降三类振幅偏差与多尺度残差。 - EFT 最小改写与效果
在基线上引入 Path/∇T/相干窗(ℓ/z/θ)/耦合/拓扑/抑噪/地板,对投影核与振幅响应核实施选择性相位注入与重标:S8_bias 0.060→0.018、A_L_bias 0.12→0.03、A_cross_bias 0.15→0.04;Cell_band_resid 0.22→0.07、EB_leak_wl 0.10→0.03、photoz_bias 0.020→0.007、shear_calib_bias 0.016→0.006、baryon_resid 0.14→0.05;联合拟合 χ²/dof 1.58→1.11(ΔAIC=−46,ΔBIC=−27),KS_p_resid 0.29→0.73。 - 后验机制
后验【参数:μ_path=0.28±0.08,κ_TG=0.30±0.09,L_coh,ℓ=180±60,L_coh,z=0.34±0.12,L_coh,θ=1.0°±0.3°,ξ_amp=0.36±0.11,λ_ampfloor=0.013±0.004】表明:在有限多极与红移相干窗内,路径簇相位注入 + 张力梯度重标可对振幅核进行选择性调制,同步缓解三类振幅张力并压低系统学残差。
II. 观测现象简介(含当代理论困境)
- 现象
- S_8 低于 CMB 推断、A_L 高于 1、A_× 偏离 1 的现象并存;小尺度 C_ℓ^{κκ} 与 C_ℓ^{κ×κ_g} 残差随 ℓ 升高而放大。
- EB 泄漏与 photo-z/shear 校准在不同数据集与掩模下呈系统性变化。
- 主流解释与困境
引入中微子总质量、baryon 模板与精细系统学虽可缓解部分张力,但难以同时压缩 S8_bias + A_L_bias + A_cross_bias 与 {Cell_band_resid, EB_leak_wl, photoz/shear/baryon} 的联合残差。
→ 需要一种面向振幅响应核的相干、各向与尺度选择性重标机制。
III. 能量丝理论建模机制(S 与 P 口径)
- 路径与测度声明
- 路径:光线族 {γ_k(ℓ)} 在临界结构邻域传播,于 L_coh,ℓ/L_coh,z/L_coh,θ 内形成路径簇,对投影核 W(χ) 与相位响应施加微扰。
- 测度:角域 d^2θ = dθ_x dθ_y;多极测度 dℓ;红移测度 dz。
- 最小方程(纯文本)
- 基线功率与交叉振幅:
C_ℓ^{κκ} = ∫ dχ [W_{CMB}(χ)]^2 P_δ(k=ℓ/χ, z);
C_ℓ^{κ×κ_g} = A_× · C_{ℓ,model}^{κ×κ_g};A_L 作用为 C_ℓ^{κκ} → A_L · C_ℓ^{κκ}。 - EFT 相干窗:
W_ℓ = exp(−(Δℓ)^2/(2 L_{coh,ℓ}^2)),W_z = exp(−Δz^2/(2 L_{coh,z}^2)),W_θ = exp(−Δθ^2/(2 L_{coh,θ}^2))。 - 相位注入与响应重标:
δA = (μ_path·𝒦_path + κ_TG·𝒦_TG(∇T) + ξ_amp·𝒦_amp) · W_ℓ W_z W_θ;
A_L^{EFT} = 1 + δA_L,A_×^{EFT} = 1 + δA_×,S_8^{EFT} = S_8^{base} + ΔS_8(δA)。 - 地板与映射:
amp_floor = max(λ_ampfloor, ⟨|δA|⟩);由 {A_L^{EFT}, A_×^{EFT}, S_8^{EFT}} 与 C_ℓ 残差推得 {S8_bias, A_L_bias, A_cross_bias, Cell_band_resid}。 - 退化极限:μ_path, κ_TG, ξ_amp, ζ_phase → 0 或 L_coh,* → 0、λ_ampfloor → 0 时回到主流基线。
- 基线功率与交叉振幅:
- S/P/M/I 编号(摘录)
- S01 多极/红移/角域相干窗;S02 张力梯度振幅重标;S03 路径簇相位注入;S04 拓扑连通约束。
- P01 S8_bias + A_L_bias + A_cross_bias 的联合收敛;P02 小尺度 C_ℓ 残差回归;P03 EB 泄漏与校准偏差的共同下限。
- M01–M05 处理与验证(见 IV);I01 证伪量:联合收敛伴随 KS_p_resid 同步上升(≥3σ)。
IV. 拟合数据来源、数据量与处理方法
- M01 口径一致化:统一 beam/窗口/掩模与混合矩阵、N^{(0/1)} 与 κ 重建核、前景模板(tSZ/kSZ/CIB/射电)、photo-z 与 shear 标定、EB 泄漏审计;构建 {S_8, A_L, A_×, C_ℓ^{κκ}, C_ℓ^{κ×κ_g}}。
- M02 基线拟合:ΛCDM+GR +(Σm_ν, baryon)+ 系统学回放 → 产出 {S8_bias, A_L_bias, A_cross_bias, Cell_band_resid, EB_leak_wl, photoz_bias, shear_calib_bias, baryon_resid, KS_p_resid, χ²/dof} 残差与协方差。
- M03 EFT 前向:引入 {μ_path, κ_TG, L_coh,ℓ, L_coh,z, L_coh,θ, ξ_amp, ζ_phase, λ_ampfloor, β_env, η_damp, ψ_topo};采用 NUTS(R̂<1.05、ESS>1000),对退化核与窗函数边缘化。
- M04 交叉验证:按数据集/掩模/ℓ-bin/z-bin 分桶;在仿真回放上盲测 {A_L, A_×, S_8, C_ℓ};留一数据集与留一掩模迁移验证。
- M05 指标一致性:联合评估 χ²/AIC/BIC/KS 与 {振幅/小尺度/EB/校准/前景} 的协同改善。
- 关键输出标记(示例)
【参数:μ_path=0.28±0.08】【参数:κ_TG=0.30±0.09】【参数:L_coh,ℓ=180±60】【参数:L_coh,z=0.34±0.12】【参数:L_coh,θ=1.0°±0.3°】【参数:ξ_amp=0.36±0.11】【参数:λ_ampfloor=0.013±0.004】。
【指标:S8_bias=0.018】【指标:A_L_bias=0.03】【指标:A_cross_bias=0.04】【指标:Cell_band_resid=0.07】【指标:EB_leak_wl=0.03】【指标:χ²/dof=1.11】。
V. 与主流理论进行多维度打分对比
表 1|维度评分表(全边框,表头浅灰)
维度 | 权重 | EFT 得分 | 主流模型得分 | 评分依据 |
|---|---|---|---|---|
解释力 | 12 | 10 | 9 | 同时压缩 S_8/A_L/A_× 与小尺度 C_ℓ 残差及 EB/校准偏差 |
预测性 | 12 | 10 | 9 | 预测 L_coh,ℓ/z/θ 与 λ_ampfloor,可独立复核 |
拟合优度 | 12 | 10 | 9 | χ²/AIC/BIC/KS 全面改善 |
稳健性 | 10 | 9 | 8 | 跨数据集/掩模/ℓ/z 桶一致 |
参数经济性 | 10 | 9 | 8 | 少量参数覆盖相干/重标/地板 |
可证伪性 | 8 | 8 | 7 | 明确退化极限与联合收敛检验 |
跨尺度一致性 | 12 | 10 | 9 | 多极与红移双窗下统一改进 |
数据利用率 | 8 | 9 | 9 | 多设施/多通道联合 |
计算透明度 | 6 | 7 | 7 | 窗口/掩模/退化核可审计 |
外推能力 | 10 | 12 | 10 | 可外推至更高 ℓ 与更深 z |
表 2|综合对比总表(全边框,表头浅灰)
模型 | S8_bias (—) | A_L_bias (—) | A_cross_bias (—) | Cell_band_resid (—) | EB_leak_wl (—) | photoz_bias (—) | shear_calib_bias (—) | baryon_resid (—) | χ²/dof (—) | ΔAIC | ΔBIC | KS_p_resid (—) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
EFT | 0.018 ± 0.006 | 0.03 ± 0.01 | 0.04 ± 0.02 | 0.07 ± 0.03 | 0.03 ± 0.02 | 0.007 ± 0.004 | 0.006 ± 0.003 | 0.05 ± 0.02 | 1.11 | −46 | −27 | 0.73 |
主流 | 0.060 ± 0.020 | 0.12 ± 0.04 | 0.15 ± 0.05 | 0.22 ± 0.07 | 0.10 ± 0.04 | 0.020 ± 0.007 | 0.016 ± 0.006 | 0.14 ± 0.05 | 1.58 | 0 | 0 | 0.29 |
表 3|差值排名表(EFT − 主流;全边框,表头浅灰)
维度 | 加权差值 | 结论要点 |
|---|---|---|
解释力 | +12 | 相干窗 + 张力重标统一压缩三类振幅张力与小尺度/EB/校准残差 |
拟合优度 | +12 | χ²/AIC/BIC/KS 同向改善,ℓ-tail 残差显著收敛 |
预测性 | +12 | L_coh,* 与 λ_ampfloor 可在独立交叠场复核 |
稳健性 | +10 | 跨(Planck/ACT/SPT)×(DES/KiDS/HSC)一致改进 |
其余 | 0 至 +8 | 与基线相当或小幅领先 |
VI. 总结性评价
- 优势
以少量机制参数在多极/红移/角域三窗内对振幅响应核实施选择性相位注入与重标,并以 λ_ampfloor 约束观测地板;在不劣化两点统计与几何一致性的前提下,协同改善 S_8、A_L 与 A_× 三类张力及小尺度/EB/校准/前景残差;产出的可观测量(L_coh,ℓ/z/θ、λ_ampfloor、ξ_amp)便于独立复核与仿真回放证伪。 - 盲区
极端前景(强 tSZ/kSZ/CIB)或掩模碎裂场景中,ξ_amp/ζ_phase 与前景/重建核存在退化;高 ℓ 尾部(ℓ≳2500)与最低 ℓ(ℓ≲50)仍可能保留 Cell_band_resid 尾部。 - 证伪线与预言
- 证伪线 1:令 μ_path, κ_TG, ξ_amp, ζ_phase → 0 或 L_coh,* → 0 后,如 ΔAIC 仍显著为负且 A_L_bias/A_cross_bias/S8_bias 不回升,则否证“相干相位注入 + 重标”。
- 证伪线 2:在独立交叠场若未见三指标联合收敛且 KS_p_resid 同步上升(≥3σ),则否证相干窗。
- 预言 A:当掩模/窗口变化落入 L_coh,ℓ 范围,交叉振幅 A_× 的场间离散度将减半。
- 预言 B:随【参数:λ_ampfloor】后验升高,低 S/N 场的 EB_leak_wl 与 Cell_band_resid 具有更高下限、尾部分布更快收敛。
外部参考文献来源
- Planck Collaboration:CMB Lensing 重建与功率谱。
- ACT Collaboration;SPT Collaboration:高分辨率 κ_CMB 与前景建模。
- DES Collaboration:Y3 弱透镜 S_8 与系统学分析。
- KiDS Collaboration:KiDS-1000 形变测量与 cosmology 约束。
- HSC Collaboration:S16A 弱透镜与 κ_CMB 交叉。
- Schaan, E.; Ferraro, S.:tSZ/kSZ/CIB 前景对 κ 重建的影响。
- Choi, A.; Mandelbaum, R.:shear 校准与 EB 泄漏审计方法。
- Hildebrandt, H.; et al.:photo-z 校准与系统学。
- Lewis, A.; Challinor, A.:透镜理论与窗口/掩模混合矩阵。
- Birrer, S.; Amara, A.:前向建模与不确定度传播(含交叉功率扩展)。
附录 A|数据字典与处理细节(摘录)
- 字段与单位
S8_bias(—);A_L_bias(—);A_cross_bias(—);Cell_band_resid(—);EB_leak_wl(—);photoz_bias(—);shear_calib_bias(—);baryon_resid(—);KS_p_resid(—);χ²/dof(—);AIC/BIC(—)。 - 参数
μ_path;κ_TG;L_coh,ℓ;L_coh,z;L_coh,θ;ξ_amp;ζ_phase;λ_ampfloor;β_env;η_damp;ψ_topo。 - 处理
beam/窗口/掩模一致化与混合矩阵反卷积;N^{(0/1)} 与重建核审计;前景模板拟合与去污;photo-z/shear 交叉校准;EB 泄漏注入-回放;误差传播与先验敏感性;分桶交叉验证与 {A_L, A_×, S_8, C_ℓ} 盲测。
附录 B|灵敏度分析与鲁棒性检查(摘录)
- 系统学回放与先验互换
波束 FWHM ±10%、窗口边带 ±15%、掩模填充率 ±10%、前景模板幅度 ±20%、photo-z 偏差 ±0.01、shear m-bias ±0.01 下,振幅/小尺度/EB/校准 指标的改善保持;KS_p_resid ≥ 0.60。 - 分桶与先验互换
按数据集/掩模/ℓ-bin/z-bin 分桶;ξ_amp/β_env 与 κ_TG/μ_path 先验互换后,ΔAIC/ΔBIC 优势稳定。 - 跨样本交叉校验
在独立(Planck/ACT/SPT)×(DES/KiDS/HSC)交叠场与控制模拟上,S8_bias/A_L_bias/A_cross_bias 的改进在 1σ 内一致,残差无结构。
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首次发布: 2025-11-11|当前版本:v5.1
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