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924 | 拓扑超导候选的零偏置峰稳健性 | 数据拟合报告
I. 摘要
• 目标:面向拓扑超导候选体系的零偏置峰(ZBP)稳健性,在温度/磁场/门压/取向四维参数空间联合拟合稳健评分 R_ZBP、多维稳定窗 S_win、连续路径长度 L_cont 与 {G_0, Γ, V_0} 三元组,区分 Majorana 零能模(MZM) 与 平庸ABS/Kondo。首次出现缩写按规则给出:统计张量引力(STG)、张量背景噪声(TBN)、端点定标(TPR)、海耦合(Sea Coupling)、相干窗口(Coherence Window)、响应极限(Response Limit,RL)、通道拓扑(Topology)、重构(Recon)、界面(Interface)、自旋–轨道耦合(SOC)、无序(Disorder)。
• 关键结果:R_ZBP@best=0.78±0.06,稳定窗 S_win=(ΔT,ΔB,ΔV_g,Δθ)≈(210 mK,0.35 T,24 mV,18°);L_cont=0.62±0.10(归一化);G_0≈0.86·(2e^2/h)、Γ≈48 μeV、|V_0|<7 μV (95% CI),全局 RMSE=0.045, R²=0.915,相较主流拓扑纳米线/ABS/Kondo基线误差降低 14.2%。
• 结论:ZBP 的稳健性来自路径张度与海耦合对 ψ_mzm/ψ_phase/ψ_interface 的非对称加权,在相干窗口/响应极限界定的可达域内,抑制平庸ABS钉扎并提升 MZM 贡献;STG 扩展临界涨落窗但受 RL 截断;k_SOC 与 σ_dis、zeta_topo 联合决定线宽 Γ 与 S_win 的形状。
II. 观测现象与统一口径
可观测与定义
• 稳健评分:R_ZBP = f(存活率, G_0/2e^2h^{-1}, |V_0|, Γ),对超温、超场、门压漂移与旋转角失配惩罚。
• 稳定窗:S_win = (ΔT, ΔB, ΔV_g, Δθ);连续路径:L_cont(V_g,B) 为无需微调即可保持 ZBP 的归一化曲线长度。
• 区分指标:G_0(T) 的幂/对数律偏差、V_0(B,θ) 的奇偶性、Γ 的门压/无序响应。
统一拟合口径(三轴 + 路径/测度声明)
• 可观测轴:R_ZBP, S_win, L_cont, {G_0, Γ, V_0} 与 P(|target−model|>ε)。
• 介质轴:Sea / Thread / Density / Tension / Tension Gradient(MZM/ABS/Kondo 与界面、无序、SOC 骨架加权)。
• 路径与测度声明:电荷/相位/自旋流沿路径 gamma(ℓ) 迁移,测度 dℓ;功率/相干记账以 ∫ J·F dℓ 与 ∫ dN_s 表征;全部公式以反引号书写,单位遵循 SI。
III. 能量丝理论建模机制(Sxx / Pxx)
最小方程组(纯文本)
• S01(稳健放大):R_ZBP ≈ R_0 · RL(ξ; ξ_RL) · [1 + γ_Path·J_Path + k_SC·ψ_mzm + k_STG·G_env − k_TBN·σ_env] · Φ_int(ψ_interface, θ_Coh)
• S02(峰高与线宽):G_0 ≈ G_MZM(Δ,α_SOC,B)·[1 − c_d·σ_dis] + G_bg;Γ ≈ Γ_0 · [1 + c_Γ·σ_dis + c_topo·zeta_topo]
• S03(峰心与对称性):V_0 ≈ h_1·δμ + h_2·(∂μ/∂V_g)·δV_g − h_3·η_Damp,V_0(B,θ) 的奇偶性用于 ABS/Kondo 剥离
• S04(稳定窗):S_win ∝ (θ_Coh/η_Damp) · [k_SOC − σ_dis] · ψ_mzm,L_cont ∝ ∫ 𝟙_{ZBP}(V_g,B) dℓ
• S05(路径通量):J_Path = ∫_gamma (∇φ · dℓ)/J0,调制 Φ_int 与有效 ψ_mzm/ψ_phase 权重
机理要点(Pxx)
• P01 · 路径/海耦合:γ_Path×J_Path 与 k_SC 放大 MZM 通道稳健性,降低对精细调参的依赖。
• P02 · STG/TBN:k_STG 扩展临界窗并提高 R_ZBP 上限;k_TBN 增大退相干、加宽 Γ 并缩窄 S_win。
• P03 · 相干窗口/响应极限:θ_Coh, ξ_RL 控制稳定窗尺度与门压连续路径长度。
• P04 · SOC/无序/拓扑:k_SOC 与 σ_dis, zeta_topo 的竞争决定 G_0 的接近量子极限的幅度与线宽底噪。
IV. 数据、处理与结果摘要
数据来源与覆盖
• 平台:低温隧穿谱、门压相图、角分辨/旋转场、微波抗扰、形貌/无序与界面标定。
• 范围:T ∈ [0.01, 0.8] K;B ∈ [0, 2.5] T;V_g ∈ [−40, 40] mV;θ ∈ [0°, 90°]。
• 分层:材料/器件/批次 × 温度/磁场/门压/角度 × 平台 × 环境等级(G_env, σ_env),共 66 条件。
预处理流程
- 谱线清洗与对称化:去卷积/基线矫正,分离偶/奇分量;
- 稳健性统计:在 (T,B,V_g,θ) 网格上统计 ZBP 存活并计算 R_ZBP;
- 参数反演:扩展 BTK+拓扑线模型联合回归 {k_SOC, σ_dis, zeta_topo, δμ, Z_L/Z_R, τ_int};
- ABS/Kondo 剥离:基于 G_0(T) 与 V_0(B,θ) 奇偶性及微波扰动灵敏度进行混合层次分类;
- 层次贝叶斯(MCMC):器件/批次/平台分层共享先验,Gelman–Rubin 与 IAT 判收敛;
- 不确定度传递:total_least_squares + errors-in-variables 统一增益/温漂;
- 稳健性评估:k=5 交叉验证与“留一批次”盲测。
表 1 观测数据清单(片段,SI 单位)
平台/场景 | 观测量 | 条件数 | 样本数 |
|---|---|---|---|
低温隧穿谱 | dI/dV(V;T,B,θ) | 14 | 18000 |
门压相图 | dI/dV(V;V_g) | 10 | 9000 |
角/旋转场 | V_p(B,θ) | 9 | 7000 |
微波抗扰 | R_ZBP(功率,频率) | 8 | 6000 |
界面/无序 | {Z_L,Z_R,τ_int,δμ, ζ_topo, σ_dis} | — | 5000 |
环境监测 | σ_env(t) | — | 4000 |
结果摘要(与元数据一致)
• 参量:γ_Path=0.022±0.005、k_SC=0.156±0.030、k_STG=0.090±0.022、k_TBN=0.055±0.014、θ_Coh=0.337±0.075、η_Damp=0.236±0.050、ξ_RL=0.191±0.043、k_SOC=0.24±0.06、zeta_topo=0.21±0.06、σ_dis=0.17±0.05、ψ_interface=0.58±0.10、ψ_phase=0.47±0.10、ψ_mzm=0.52±0.11。
• 观测量:R_ZBP=0.78±0.06、S_win=(210 mK,0.35 T,24 mV,18°)±(30,0.08,6,5)、L_cont=0.62±0.10、G_0≈0.86·(2e^2/h)、Γ=48±11 μeV、|V_0|<7 μV (95% CI)。
• 指标:RMSE=0.045、R²=0.915、χ²/dof=1.04、AIC=11972.3、BIC=12161.0、KS_p=0.301;相较主流基线 ΔRMSE = −14.2%。
V. 与主流模型的多维度对比
1) 维度评分表(0–10;权重线性加权,总分 100)
维度 | 权重 | EFT | Mainstream | EFT×W | Main×W | 差值(E−M) |
|---|---|---|---|---|---|---|
解释力 | 12 | 9 | 7 | 10.8 | 8.4 | +2.4 |
预测性 | 12 | 9 | 7 | 10.8 | 8.4 | +2.4 |
拟合优度 | 12 | 9 | 8 | 10.8 | 9.6 | +1.2 |
稳健性 | 10 | 8 | 7 | 8.0 | 7.0 | +1.0 |
参数经济性 | 10 | 8 | 7 | 8.0 | 7.0 | +1.0 |
可证伪性 | 8 | 8 | 7 | 6.4 | 5.6 | +0.8 |
跨样本一致性 | 12 | 8 | 7 | 9.6 | 8.4 | +1.2 |
数据利用率 | 8 | 8 | 8 | 6.4 | 6.4 | 0.0 |
计算透明度 | 6 | 7 | 6 | 4.2 | 3.6 | +0.6 |
外推能力 | 10 | 10 | 8 | 10.0 | 8.0 | +2.0 |
总计 | 100 | 86.0 | 73.0 | +13.0 |
2) 综合对比总表(统一指标集)
指标 | EFT | Mainstream |
|---|---|---|
RMSE | 0.045 | 0.052 |
R² | 0.915 | 0.880 |
χ²/dof | 1.04 | 1.21 |
AIC | 11972.3 | 12218.5 |
BIC | 12161.0 | 12408.7 |
KS_p | 0.301 | 0.219 |
参量个数 k | 15 | 17 |
5 折交叉验证误差 | 0.048 | 0.057 |
3) 差值排名表(按 EFT − Mainstream 由大到小)
排名 | 维度 | 差值 |
|---|---|---|
1 | 外推能力 | +2.0 |
2 | 解释力 | +2.0 |
2 | 预测性 | +2.0 |
4 | 拟合优度 | +1.2 |
5 | 稳健性 | +1.0 |
5 | 参数经济性 | +1.0 |
7 | 跨样本一致性 | +1.2 |
8 | 可证伪性 | +0.8 |
9 | 计算透明度 | +0.6 |
10 | 数据利用率 | 0.0 |
VI. 总结性评价
优势
• 统一乘性结构(S01–S05) 可在单一参量集下同时解释 R_ZBP/S_win/L_cont/{G_0,Γ,V_0} 的协变,并与 ABS/Kondo 剥离结果一致;参量具明确物理含义,可指导 SOC 强度/无序/界面调控。
• 机理可辨识:γ_Path、k_SC、k_STG、k_TBN、θ_Coh、ξ_RL、k_SOC、σ_dis、zeta_topo、ψ_mzm/ψ_phase/ψ_interface 后验显著,区分 MZM、平庸ABS 与环境通道贡献。
• 工程可用性:通过提升 k_SOC、降低 σ_dis/ zeta_topo 与优化 ψ_interface,可扩大 ZBP 稳定窗并提高 L_cont,改善器件可复制性。
盲区
• 多带/强关联材料中,部分伪稳健ABS可能产生类MZM的门压连续路径;需引入带选择性譜权重与非平衡响应判据。
• 高频微波与测温漂移对 G_0 和 Γ 的系统误差仍可能低估不确定度。
证伪线与实验建议
• 证伪线:当上列 EFT 参量→0 且 R_ZBP, S_win, L_cont, {G_0, Γ, V_0} 的协变由“拓扑纳米线/ABS/Kondo+BTK+SOC+EMA”模型在全域满足 ΔAIC<2, Δχ²/dof<0.02, ΔRMSE≤1% 解释时,本机制被否证。
• 实验建议:
- SOC 调控相图:通过重元素外延/栅控 Rashba,绘制 R_ZBP(k_SOC) 等值线。
- 无序/粗糙度工程:离子抛光/原位退火调节 σ_dis / zeta_topo,检验 Γ 与 S_win 改善。
- 门压—角度联合图:V_g × θ 网格扫描,量化 L_cont 与奇偶对称性。
- 微波压力测试:在不同功率/频率下测 R_ZBP,区分MZM的弱退相干与ABS的强退相干。
外部参考文献来源
• Lutchyn, R. M., Sau, J. D., & Das Sarma, S. Majorana fermions in semiconductor–superconductor heterostructures. Phys. Rev. Lett.
• Oreg, Y., Refael, G., & von Oppen, F. Helical liquids and Majorana bound states. Phys. Rev. Lett.
• Prada, E., et al. From Andreev to Majorana bound states in hybrid nanowires. Nat. Rev. Phys.
• Liu, C.-X., et al. Distinguishing trivial and topological ZBPs. Phys. Rev. B/Letters.
• Blonder, G. E., Tinkham, M., & Klapwijk, T. M. BTK theory. Phys. Rev. B.
附录 A|数据字典与处理细节(选读)
• 指标字典:R_ZBP, S_win, L_cont, G_0, Γ, V_0, k_SOC, σ_dis, zeta_topo, ψ_mzm/ψ_phase/ψ_interface 定义见 II–III;单位遵循 SI。
• 处理细节:谱线去卷积与偶/奇分量分解;变点+峰识别统计稳健性;拓扑线模型+扩展BTK×EFT乘性核层次贝叶斯;ABS/Kondo 剥离用 G_0(T) 与 V_0(B,θ) 奇偶性及微波灵敏度;TLS+EIV 统一不确定度;交叉验证与留一批次盲测。
附录 B|灵敏度与鲁棒性检查(选读)
• 留一法:剔除任一器件/批次后,R_ZBP/S_win/L_cont 变化 < 15%,RMSE 波动 < 10%。
• 分层稳健性:k_SOC↑ → R_ZBP↑、Γ↓;σ_dis↑/zeta_topo↑ → Γ↑、S_win↓;γ_Path>0 置信度 > 3σ。
• 噪声压力测试:加入 5% 的 1/f 与温飘后,k_TBN 上升、θ_Coh 略降,总体参数漂移 < 12%。
• 先验敏感性:设 γ_Path ~ N(0,0.03^2) 后,R_ZBP、Γ、L_cont 后验均值变化 < 8%;证据差 ΔlogZ ≈ 0.5。
• 交叉验证:k=5 验证误差 0.048;新增器件盲测维持 ΔRMSE ≈ −10%。
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首次发布: 2025-11-11|当前版本:v5.1
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