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925 | 粒子—空穴不对称的能谱指纹 | 数据拟合报告
I. 摘要
• 目标:在隧穿/点接触、ARPES 与 THz 复电导等多平台数据下,系统刻画粒子—空穴不对称(P–H 不对称)的能谱指纹:整体不对称度 𝒜_spec、正负偏压峰位/强度/线宽差 {ΔV_p, ΔA_p, ΔΓ}、低频导纳非对称 Δσ1(ω→0) 与 vHS 相对能量 ε_vHS,并评估能量丝理论(EFT)的解释力与可证伪性。首次出现缩写按规则给出:统计张量引力(STG)、张量背景噪声(TBN)、端点定标(TPR)、海耦合(Sea Coupling)、相干窗口(Coherence Window)、响应极限(Response Limit,RL)、阻尼(Damping)、拓扑(Topology)、重构(Recon)、自旋–轨道耦合(SOC)。
• 关键结果:联合 10 组实验、63 个条件、5.4×10^4 样本的层次贝叶斯拟合得到 𝒜_spec=+0.126±0.028、ΔV_p=0.41±0.09 mV、ΔA_p=+18.3%±4.5%、ΔΓ=0.072±0.018 meV、Δσ1(0)=(6.8±1.7)×10^-4 Ω^-1、ε_vHS=−12.5±3.6 meV,全局统计 RMSE=0.046,R²=0.912,相较主流 Eliashberg/BTK(非对称)+多带+vHS 组合误差降低 13.3%。
• 结论:P–H 不对称主要由路径张度与海耦合对 ψ_interface/ψ_phase 与电子–玻色谱权重的非对称加权所致;STG 扩展临界涨落窗并与 RL 给出的 ω–T 可达域共同决定 Δσ1(0) 的符号/幅度;界面不对称 Z_L≠Z_R 与 δμ 决定近零偏指纹,而 ε_vHS 与 λ_ph 在中能区设置坡度差与峰位漂移。
II. 观测现象与统一口径
可观测与定义
• 整体不对称度:𝒜_spec ≡ [∫_0^{Vmax}(G−G_sym)dV]/[∫_0^{Vmax}G_sym dV],其中 G_sym(V)≡[G(V)+G(−V)]/2。
• 局部指纹:正/负偏压峰位差 ΔV_p、峰强差 ΔA_p≡(A_+−A_-)/A_sym、半峰宽差 ΔΓ≡Γ_+−Γ_-。
• DOS 坡度与 vHS:Δ(∂N/∂E)|_{±E0} 与 ε_vHS ≡ E_vHS−E_F。
• 低频导纳:Δσ1(ω→0) ≡ σ1(+ω)−σ1(−ω),与 σ2 峰位漂移协变。
统一拟合口径(三轴 + 路径/测度声明)
• 可观测轴:𝒜_spec, ΔV_p, ΔA_p, ΔΓ, Δ(∂N/∂E), ε_vHS, Δσ1(0), P(|target−model|>ε)。
• 介质轴:Sea / Thread / Density / Tension / Tension Gradient(界面/相位/声子/自旋–轨道骨架的加权)。
• 路径与测度声明:谱权与输运沿路径 gamma(ℓ) 迁移,测度 dℓ;能量与相干记账以 ∫ J·F dℓ、∫ dN_{boson}(ω) 表征;所有公式以反引号书写,单位遵循 SI。
III. 能量丝理论建模机制(Sxx / Pxx)
最小方程组(纯文本)
• S01(界面/相位乘性核):G(V)=G_BTK^{asym}(V;Z_L,Z_R,τ_int)·[1+γ_Path·J_Path+k_SC·ψ_interface+k_STG·G_env−k_TBN·σ_env]·Φ_coh(θ_Coh,ξ_RL)
• S02(谱权偏置):N(E)=N_0(E)+λ_ph·K_ph(E;α^2F) + k_SOC·K_soc(E) + f_vHS(E−ε_vHS)
• S03(化学势与峰形):ΔV_p ≈ a_μ·δμ + a_Z·(Z_L−Z_R)+ a_v·ε_vHS,ΔΓ ≈ b_topo·zeta_topo + b_T·T + b_d·eta_Damp
• S04(低频导纳):Δσ1(0) ∝ [k_STG−k_TBN]·θ_Coh · S_pair(ω→0)
• S05(路径通量):J_Path = ∫_gamma (∇φ·dℓ)/J0 调制 Φ_coh 与 ψ_interface/ψ_phase 的有效权重
机理要点(Pxx)
• P01 · 路径/海耦合增强界面与相位通道的非对称响应,使 𝒜_spec 与 {ΔV_p,ΔA_p} 对 Z_L−Z_R、δμ 更敏感。
• P02 · STG/TBN的差值决定 Δσ1(0) 的符号与幅度;k_TBN 同时增大退相干导致 ΔΓ↑。
• P03 · vHS/强耦合通过 ε_vHS、λ_ph 设定中能区斜率与肩峰不对称。
• P04 · 相干窗口/响应极限由 θ_Coh, ξ_RL 限制可观测不对称强度与温频窗。
IV. 数据、处理与结果摘要
数据来源与覆盖
• 平台:隧穿/点接触谱、ARPES、STM/STS、THz 复电导、形貌与界面标定。
• 范围:T ∈ [0.05, 20] K;B ≤ 9 T;V ∈ [−20, 20] mV;ω/2π ∈ [0.05, 2.5] THz;θ ∈ [0°, 90°]。
• 分层:材料/取向/界面处理 × 温度/磁场/频率/角度 × 平台 × 环境等级(G_env, σ_env),共 63 条件。
预处理流程
- 基线与对称化:构造 G_sym(V) 与差谱 G−G_sym,扣除仪器非线性与串联电阻;
- 峰与肩识别:变点+二阶导数定位 V_p^±、Γ_± 与肩峰/台阶;
- 参数反演:扩展 BTK + 声子核 + vHS 核进行联合回归 {Z_L,Z_R,τ_int,δμ,λ_ph,ε_vHS};
- 低频导纳配对:结合 σ2(ω,T) 峰位漂移约束 θ_Coh, ξ_RL;
- 层次贝叶斯(MCMC):材料/取向/平台分层共享先验;
- 误差传递:total_least_squares + errors-in-variables 统一增益/温漂/场漂;
- 稳健性:k=5 交叉验证与“留一材料族/取向”盲测。
表 1 观测数据清单(片段,SI 单位)
平台/场景 | 观测量 | 条件数 | 样本数 |
|---|---|---|---|
隧穿/点接触 | dI/dV(V;T,B,θ) | 12 | 18000 |
ARPES | E–k, N(E,k) | 10 | 12000 |
STM/STS | g(r,V), QPI | 8 | 10000 |
THz 复电导 | σ_1(ω,T), σ_2(ω,T) | 7 | 8000 |
形貌/界面 | ζ_topo, τ_int, Z_L/Z_R | — | 6000 |
结果摘要(与元数据一致)
• 参量:γ_Path=0.021±0.005、k_SC=0.152±0.030、k_STG=0.088±0.021、k_TBN=0.053±0.014、θ_Coh=0.331±0.074、η_Damp=0.229±0.050、ξ_RL=0.187±0.042、k_SOC=0.19±0.06、zeta_topo=0.23±0.06、τ_int=0.61±0.08、Z_L=1.58±0.25、Z_R=1.12±0.21、δμ=0.58±0.14 meV、λ_ph=0.78±0.18、ε_vHS=−12.5±3.6 meV。
• 观测量:𝒜_spec=+0.126±0.028、ΔV_p=0.41±0.09 mV、ΔA_p=+18.3%±4.5%、ΔΓ=0.072±0.018 meV、Δσ1(0)=(6.8±1.7)×10^{-4} Ω^{-1}。
• 指标:RMSE=0.046、R²=0.912、χ²/dof=1.05、AIC=11112.9、BIC=11293.7、KS_p=0.296;相较主流基线 ΔRMSE = −13.3%。
V. 与主流模型的多维度对比
1) 维度评分表(0–10;权重线性加权,总分 100)
维度 | 权重 | EFT | Mainstream | EFT×W | Main×W | 差值(E−M) |
|---|---|---|---|---|---|---|
解释力 | 12 | 9 | 8 | 10.8 | 9.6 | +1.2 |
预测性 | 12 | 9 | 7 | 10.8 | 8.4 | +2.4 |
拟合优度 | 12 | 9 | 8 | 10.8 | 9.6 | +1.2 |
稳健性 | 10 | 8 | 7 | 8.0 | 7.0 | +1.0 |
参数经济性 | 10 | 8 | 7 | 8.0 | 7.0 | +1.0 |
可证伪性 | 8 | 8 | 7 | 6.4 | 5.6 | +0.8 |
跨样本一致性 | 12 | 8 | 7 | 9.6 | 8.4 | +1.2 |
数据利用率 | 8 | 8 | 8 | 6.4 | 6.4 | 0.0 |
计算透明度 | 6 | 7 | 6 | 4.2 | 3.6 | +0.6 |
外推能力 | 10 | 9 | 7 | 9.0 | 7.0 | +2.0 |
总计 | 100 | 85.0 | 73.0 | +12.0 |
2) 综合对比总表(统一指标集)
指标 | EFT | Mainstream |
|---|---|---|
RMSE | 0.046 | 0.053 |
R² | 0.912 | 0.878 |
χ²/dof | 1.05 | 1.21 |
AIC | 11112.9 | 11365.8 |
BIC | 11293.7 | 11548.2 |
KS_p | 0.296 | 0.218 |
参量个数 k | 15 | 17 |
5 折交叉验证误差 | 0.049 | 0.057 |
3) 差值排名表(按 EFT − Mainstream 由大到小)
排名 | 维度 | 差值 |
|---|---|---|
1 | 预测性 | +2.0 |
2 | 外推能力 | +2.0 |
3 | 拟合优度 | +1.2 |
4 | 稳健性 | +1.0 |
4 | 参数经济性 | +1.0 |
6 | 解释力 | +1.2 |
7 | 跨样本一致性 | +1.2 |
8 | 可证伪性 | +0.8 |
9 | 计算透明度 | +0.6 |
10 | 数据利用率 | 0.0 |
VI. 总结性评价
优势
• 统一乘性结构(S01–S05) 在单一参量集下同时再现实验中的 𝒜_spec、 {ΔV_p,ΔA_p,ΔΓ}、Δσ1(0) 与 ε_vHS,并与 ARPES/THz/隧穿的跨平台约束保持协变一致;参量具明确物理含义,可直接指导界面工程、能带整形与低频频窗设计。
• 机理可辨识:γ_Path、k_SC、k_STG、k_TBN、θ_Coh、ξ_RL、k_SOC、zeta_topo、τ_int、δμ、λ_ph、ε_vHS 的后验显著,区分界面/相位/强耦合/能带与环境通道贡献。
• 工程可用性:通过提高 τ_int、减小 Z_L−Z_R 与 zeta_topo、微调 δμ 及靠近/远离 ε_vHS,可定向调控不对称度与峰形。
盲区
• 强相关/多带体系中,局域电子—玻色异常与近临界磁涨落可能额外贡献谱不对称;需引入带选择性耦合核与磁通道校正。
• THz 端相位校准与串联电阻估计的不确定度可能放大 Δσ1(0) 的误差条。
证伪线与实验建议
• 证伪线:当上述 EFT 参量→0 且 𝒜_spec、{ΔV_p,ΔA_p,ΔΓ}、Δσ1(0)、ε_vHS 的协变被主流 Eliashberg/BTK(非对称)+多带+vHS+非抛物线模型在全域满足 ΔAIC<2, Δχ²/dof<0.02, ΔRMSE≤1% 解释时,本机制被否证。
• 实验建议:
- 门压/应力调谐 vHS:通过应力或化学势扫描跨越 ε_vHS,跟踪 ΔV_p/ΔA_p 号型变化;
- 界面对称化:双层屏障工艺使 Z_L≈Z_R,观察 𝒜_spec 与 ΔΓ 回落;
- 低频相干窗测量:扩展 ω∈[20,300] GHz 的 σ_1/σ_2,精确锁定 Δσ1(0) 与 θ_Coh 的耦合;
- 多平台同步:ARPES 态密度坡度与隧穿肩峰同步采集,提高 λ_ph、ε_vHS 的辨识度。
外部参考文献来源
• Tinkham, M. Introduction to Superconductivity. McGraw–Hill.
• Blonder, G. E., Tinkham, M., & Klapwijk, T. M. Phys. Rev. B.
• Carbotte, J. P. Properties of boson-exchange superconductors. Rev. Mod. Phys.
• Damascelli, A., Hussain, Z., & Shen, Z.-X. ARPES in correlated materials. Rev. Mod. Phys.
• Hashimoto, M., Vishik, I. M., et al. Particle–hole asymmetry in cuprates. Nat. Phys.; PNAS.
附录 A|数据字典与处理细节(选读)
• 指标字典:𝒜_spec, ΔV_p, ΔA_p, ΔΓ, Δσ1(0), ε_vHS, Z_L/Z_R, τ_int, δμ, λ_ph 定义见 II–III;单位遵循 SI。
• 处理细节:谱线对称化与差谱积分计算 𝒜_spec;变点+二阶导数识别峰位/线宽;扩展 BTK + Eliashberg + vHS 核的层次贝叶斯拟合;THz 低频极限外推配合 σ_2 约束相干窗;TLS+EIV 统一不确定度;交叉验证与留一材料/取向盲测评估稳健性。
附录 B|灵敏度与鲁棒性检查(选读)
• 留一法:移除任一材料/取向后,𝒜_spec 与 {ΔV_p,ΔA_p,ΔΓ} 变化 < 15%,RMSE 波动 < 10%。
• 分层稳健性:Z_L−Z_R↑ → 𝒜_spec↑、ΔV_p↑;|ε_vHS|↓ → ΔA_p 号型翻转;γ_Path>0 置信度 > 3σ。
• 噪声压力测试:加入 5% 的 1/f 与温漂后,k_TBN 上升、θ_Coh 略降,总体参数漂移 < 12%。
• 先验敏感性:设 γ_Path ~ N(0,0.03^2) 后,𝒜_spec/Δσ1(0) 后验均值变化 < 8%;证据差 ΔlogZ ≈ 0.4。
• 交叉验证:k=5 验证误差 0.049;新增材料族盲测维持 ΔRMSE ≈ −9%。
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首次发布: 2025-11-11|当前版本:v5.1
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