目录 / 文档-技术白皮书 / 36-EFT.WP.EDX.Current v1.0
I. 章节目标与结构
- 目标:在高频/高速条件下,给出互连的色散与辐射扩展口径,将路径 gamma(ell)、到达时 T_arr、核与权重 K_{·}, w_p 与阻抗映射 Z_eft(omega) 在带宽受限与相干窗内外的行为统一到工程可执行规则;支撑版图设计、测量对齐与参数反演的高频场景落地。
- 结构:高频色散的最小扩展 → 辐射与泄放项 → 互连构件与路径-权重耦合 → 相干窗与带内指标 → 计量与实验 → 合规模板 → 对应与退化 → 跨章指引与小结。
- 公共口径(两式等价,显式路径/测度并记录 delta_form):
- 常量外提:T_arr = ( 1 / c_ref ) * ( ∫ n_eff d ell )
- 一般口径:T_arr = ( ∫ ( n_eff / c_ref ) d ell )
II. 变量与单位(本章新增)
- alpha(omega):衰减常数,单位 Np·m⁻¹(标量或模态分量)。
- beta(omega):相位常数,单位 rad·m⁻¹。
- k(omega) = alpha(omega) + i·beta(omega):复传播常数。
- T_group(omega):群时延,单位 s;定义见本章 III。
- Z_c(omega):特性阻抗(Ω)。
- P_rad(omega):辐射功率(W)。
- ΔZ_rad(omega):辐射/泄放引入的等效阻抗修正(Ω,正实)。
- 其余符号按第2–11章既定口径:n_eff(omega), T_fil, K_s, K_t, w_p(omega), gamma(ell), d ell, Z_eft(omega) 等。
III. 高频色散的最小扩展(相干窗与群时延)
- 群时延定义:在相干窗内,以阻抗相位替代传播相位的一阶近似:
T_group(omega) = d/domega ( arg Z_eft(omega) )。
当 φ_T(omega)(由张度修正引入的附加相位)缓变时,有
T_group(omega) ≈ T_arr + dφ_T(omega)/domega。 - 色散表征:令主路径长度为 L,若以传播常数表述:
beta(omega) · L ≈ omega · T_arr + φ_T(omega);
线性相位区满足 | d^2(arg Z_eft)/domega^2 | 足够小(门限在方法节预注册)。 - 工程判据:带内“相位线性误差”
E_phase = max_ω | arg Z_eft(omega) - ( omega · T_arr + φ0 ) |
小于设计门限时,可视作近无色散;否则进入色散补偿与路径重分配策略(见 V)。
IV. 辐射与泄放项(正实修正)
- 等效修正:在高频段加入正实项
Z_eft(omega) = Z_ref(omega) + ΔZ_T(omega) + ΔZ_rad(omega),
其中 Re{ΔZ_rad(omega)} ≥ 0、Im{ΔZ_rad(omega)} 与储能相关。 - 触发条件(工程):当有效电长度与几何尺度使边界条件破坏近场闭合时(如参考面中断、缝隙/开口、长悬空支路),P_rad(omega) 进入可测区,需启用 ΔZ_rad 通道。
- 一致性门:ΔZ_rad 的引入不得破坏被动性与 K–K 一致;发布前需给出 Re{ΔZ_rad} 的带内单调性/非负性检查记录。
V. 互连构件与路径-权重耦合(设计规则)
- 参考面转换与过孔(via):参考面阶跃、长过孔桩与未裁剪桩会引入高频支路 γ_side,导致 w_p(omega) 上升并放大 ΔT_arr 差;规则:控制桩长与残桩、提供就近返回路径以压低 w_side(omega)。
- 弯折/分叉与护线:急弯/分叉形成额外几何电长度与场泄放;规则:弯折圆角化、分叉等长化,护线闭合回流;在绑定层记录 layout ↔ gamma(ell) 的变更。
- 连接器/Launch:不连续引入模态变换与 Z_c(omega) 偏差;规则:优化过渡锥度与接地指型,降低模式转换权重。
- 材料频散:n_eff(omega) 的材料频散与损耗(介质/导体表皮)会改变 alpha(omega) 与 beta(omega);规则:在参数表中为 n_eff(omega) 与 σ_eff(omega) 设带限先验,防止过拟合的非物理波动。
VI. 相干窗规划与带内指标
- 窗口定义:选择 omega ∈ [ω₁, ω₂] 使 E_phase 与群时延纹波
GDR = max_ω | T_group(omega) - median_ω(T_group) |
同时低于预设阈值。 - 常用指标:插入损耗 |S21| 与回波 |S11| 的带内目标,与 Z_eft 的相位线性与纹波门一并作为验收条款;路径加权变动
ΔW = Σ_p | w_p(ω₂) - w_p(ω₁) |
作为布局稳健性度量。 - 设计主则:在满足阻抗平衡的前提下,最小化
Σ_p w_p · ∫_{γ_p} n_eff(omega) d ell
的带内斜率与波动(第8章原则的高频化)。
VII. 计量与实验(对齐到 I30/M10/M20)
- 对齐流程:端口一致化→去嵌→时间基改正→路径改正,严格记录 arrival{form,gamma,measure,c_ref,Tarr,u_Tarr} 与 delta_form。
- 色散测量:以细网格扫描 arg Z_eft(omega) 或 S21(omega) 相位,计算 T_group(omega) 与 E_phase, GDR;在窗外采用能量合成,避免伪振荡。
- 辐射门:在开放夹具或含缝隙/开口条件下,附加场探测/近远场扫描;若 Re{Z_eft} 出现负值或 K–K 破坏,优先检查 Δt_sync 与 ΔZ_rad 的门限处理。
VIII. 合规模板(可直接粘贴)
- 高频记录(报告/数据)
- highspeed:
- band_GHz: [f_min, f_max]
- coherence_window: {w1: ω1, w2: ω2}
- dispersion:
- alpha_per_m: [...] # Np/m over grid
- beta_per_m: [...] # rad/m over grid
- T_group_s: [...] # d/dω arg Z_eft(ω)
- radiation_gate:
- Re_Zrad_min: 0.0 # enforce non-negativity
- KK_consistency: "pass"
- arrival:
- form: "n_over_c" # or "one_over_c_times_n"
- gamma: "explicit"
- measure: "d_ell"
- c_ref: 299792458.0
- Tarr_s: 1.234e-09
- u_Tarr_s: 6.0e-12
- weights:
- w_main: [...]
- w_side: [...]
- qa_gates: ["check_dim","passivity(Re{Z}≥0)","KK_consistency"]
- 群时延与相位线性(伪代码)
- # φ(ω) = arg Z_eft(ω) over coherence window
- T_group = grad(phi, omega) # numerical derivative
- E_phase = max_abs(phi - (omega*Tarr + phi0_opt))
- GDR = max_abs(T_group - median(T_group))
- pass_phase_linear = (E_phase <= E_phase_gate) and (GDR <= GDR_gate)
- 路径/权重诊断
- path_drift:
- ΔW: sum_abs(w_p[w2] - w_p[w1])
- decision: "stable" # or "unstable" by threshold
IX. 与经典框架的对应与退化
- 低频/短电长度极限:alpha(omega) → 0、beta(omega)·L → omega·T_arr,φ_T(omega) → 0,退化为第8章与 S20-5 的线性相位近似;ΔZ_rad → 0,Z_eft → Z_ref。
- 经典传输线模型可作为 Z_ref(omega) 的基线;EDX.Current 的新增项由 ΔZ_T(omega) 与 w_p(omega) 的路径化表达以及 ΔZ_rad(omega) 的正实修正构成。
X. 跨章指引与小结
- 依赖:第8章(路径与到达时)、S40-*(核与多路径)、S50-*(阻抗映射)、I30-*(绑定/对齐)、M10-* / M20-*(计量链与证伪)。
- 落地:在设计规程(第 XVI 章)中,将 E_phase、GDR、ΔW 与被动性/K–K 门纳入发布条款;默认以“最小化 Σ_p w_p ∫ n_eff d ell 的带内斜率与波动”为高频相位线性主则。
- 小结:本章将高频互连的色散与辐射纳入统一的路径—到达时—核—权重—阻抗框架,提供了相干窗内的相位/群时延指标、辐射正实修正与布局设计规则,使高频测量、仿真与版图在同一可复现、可证伪的工程口径下闭环。
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首次发布: 2025-11-11|当前版本:v5.1
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