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I. 章节目标与结构
- 目标:定义辐射/泄放通道的正实等效修正 ΔZ_rad(omega),建立 Z_eft 的辐射映射与启用条件,规定计量记录、QA 门限与可证伪准则,并与色散、S↔Z 映射及 EMI/EMC 卷对齐。
- 结构:变量与域 → S50-HF 映射与启用 → 工程实现与记录 → 可证伪准则 → 合规模板 → 跨章闭环。
- 共享到达时两口径(等价,须显式 gamma(ell) 与 d ell 并记录 delta_form):
- 常量外提:T_arr = ( 1 / c_ref ) * ( ∫ n_eff d ell )
- 一般口径:T_arr = ( ∫ ( n_eff / c_ref ) d ell )
II. 变量与域(Symbols & Domain)
- 端口与映射:Z_eft(omega),Z_ref(omega),ΔZ_T(omega),Sij(omega),Z_c(omega)。
- 辐射与场量:ΔZ_rad(omega)(要求 Re{ΔZ_rad} ≥ 0),E_rad(omega,r),H_rad(omega,r),I_CM(omega)。
- 几何与路径:gamma(ell)、w_p(omega)、γ_side(外泄路径),sigma_seam(缝隙等效电导)。
- QA 硬门:check_dim=pass、passivity(Re{Z_eft}≥0)、KK_consistency=pass。
S50-HF|辐射与泄放映射(Radiation/Leakage Mapping)
S50-HF-1(正实辐射修正)
Z_eft(omega) = Z_ref(omega) + ΔZ_T(omega) + ΔZ_rad(omega),
其中 Re{ΔZ_rad(omega)} ≥ 0 且满足 K–K 一致性;ΔZ_rad 作为端口等效通道记录。
S50-HF-2(功率一致性)
在端口电流幅值 |I_port(omega)| 下,辐射/泄放的等效功率满足
P_rad(omega) ≈ (1/2) · Re{ΔZ_rad(omega)} · |I_port(omega)|^2,
并与近/远场测量的包络 |E_rad|, |H_rad| 一致增长。
S50-HF-3(启用条件)
当存在下列几何/边界特征之一时启用辐射通道:
- 参考面不连续/跨接不闭合(缝隙、开口、撕裂);
- 长悬空支路/未裁剪残桩;
- 连接过渡/Launch 不匹配导致模态外泄;
- 缆束公共阻抗耦合进入 γ_side(cable)。
启用后必须记录 sigma_seam、γ_side 与 w_side(omega) 的变化。
S50-HF-4(S↔Z 与端口归一一致性)
从 Sij 到 Z_eft 的变换须明确端口归一化与 Z_c(omega),并在引入 ΔZ_rad 后再次通过 passivity 与 KK_consistency。
S50-HF-5(路径-权重联动)
辐射通道启用时,w_p(omega) 将向外泄路径 γ_side 迁移并增大 ΔT_arr;须同步记录 ΔW = Σ_p | w_p(ω2) - w_p(ω1) |。
III. 工程实现与记录(最小执行口径)
- 必填字段:
ΔZ_rad(omega)、Re_Zrad_min、E_rad/H_rad 扫描摘要、I_CM(omega)、sigma_seam、Z_c(omega)、w_p(omega)、ΔW、arrival{...}、binding_ref、deemb、sync(Δt_sync)、qa_gates{check_dim,passivity,KK}。 - 相位改正:arg Z_corr(omega) = arg Z_raw(omega) - ( omega · Δt_sync )。
- 估计流程(示意):
- 由 Sij 与归一化阻抗得到 Z_eft;
- 计算无辐射基线 Z_base = Z_ref + ΔZ_T(仿真/拟合/封堵后参考);
- ΔZ_rad = Z_eft - Z_base,取 Re{ΔZ_rad} 的正实分量并验证 K–K;
- 对比 P_rad 与 |E_rad|/|I_CM| 的单调一致性。
IV. 可证伪准则(S50-HF 对应)
- J-HF-50-1(正实性):若出现 Re{ΔZ_rad(omega)} < 0 或 K–K 失败,否决辐射等效模型或映射流程。
- J-HF-50-2(封堵验证):封堵缝隙/缩短悬空支路后,Re{ΔZ_rad} 与 |E_rad|/|I_CM| 必须同步下降;否则否决启用判据或几何记录。
- J-HF-50-3(功率一致性):由 Re{ΔZ_rad} 计算的 P_rad 与场测包络趋势不一致时,否决通道参数或探测配置。
- J-HF-50-4(S↔Z 一致):引入 ΔZ_rad 后若 Re{Z_eft}<0 或 KK 不通过,否决端口归一/映射或 Z_c(omega) 设定。
- J-HF-50-5(路径联动):ΔW 与 Re{ΔZ_rad} 的变化方向不一致,否决路径-权重联动记录。
V. 合规模板(可直接粘贴)
- 记录模板
- radiation:
- enabled: true
- geometry:
- seams: {sigma_seam_S: 0.12, locations: ["J3_gap","L2_return_cut"], length_mm: 18.0}
- stubs: {count: 2, max_len_mm: 3.5}
- launch: {type: "SMA_edge", notes: "taper v2"}
- deltaZ_rad:
- Re_ohm: [ ... ] # ≥ 0
- Im_ohm: [ ... ]
- fields:
- E_rad_peak_dBuV_m: [ ... ]
- H_rad_peak_dBA_m: [ ... ]
- I_CM_A: [ ... ]
- coupling:
- paths: {γ_main: [...], γ_side: [...]}
- weights: {w_main: [...], w_side: [...]}
- ΔW: 0.19
- gates:
- Re_Zrad_min: 0.0
- passivity: "pass"
- KK_consistency: "pass"
- 数值检查(伪代码)
- # 1) 正实与因果
- assert min(Re(ΔZ_rad)) >= 0.0 and KK_consistency(Z_ref + ΔZ_T + ΔZ_rad)
- # 2) 功率一致性
- P_rad = 0.5 * Re(ΔZ_rad) * abs(I_port)**2
- assert corr(P_rad, E_rad_envelope) > rho_gate
- # 3) 路径联动
- ΔW = sum_abs(w_side[ω2] - w_side[ω1])
- assert monotone(ΔW, Re(ΔZ_rad))
VI. 跨章引用与闭环
- 依赖:第2章(术语与符号)、第3章(P10-HF 公设)、第4章(最小方程与色散关系);
- 对接:第7章(相干窗 KPI 与门限)、第12章(布局与工艺规则)、第13章(与 EDX.EMI 卷的协同)、第14章(仿真栈与算例)、第16章(设计规程与工程清单)。
版权与许可(CC BY 4.0)
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首次发布: 2025-11-11|当前版本:v5.1
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