38-EFT.WP.EDX.EMI v1.0 | 第3章 公设与物理图像（P10 EMI）

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第3章 公设与物理图像（P10 EMI）

I. 章节目标与先决

1. 目标：提出 EDX.EMI 的最小公设族 P10-EMI-*，给出发射/抗扰的张度地形化直观，并将端口—路径—场量在 ΔZ_rad(omega) 主导下统一到可检验陈述与工程记录口径，支撑后续 S20-EMI / S30-EMI / S40-EMI / I40-EMI / M10-EMI。
2. 共享到达时两口径（等价，须显式路径/测度并记录 delta_form）：
   • 常量外提：T_arr = ( 1 / c_ref ) * ( ∫ n_eff d ell )
   • 一般口径：T_arr = ( ∫ ( n_eff / c_ref ) d ell )
3. 频域统一 omega；关键等式 check_dim = pass；发布硬门：passivity(Re{Z_eft}≥0)、KK_consistency=pass、两口径 T_arr 一致。

II. 物理直观图像（Port–Path–Field 协同）

• 外泄通道主导：缝隙/开口、回流不闭合、长残桩与不匹配过渡激活外泄路径 γ_side，使 w_{side}(omega) 上升并引入端口正实增量 ΔZ_rad(omega)。
• 功率一致性：外泄等效辐射功率用端口量表征：P_rad(omega) ≈ (1/2) · Re{ΔZ_rad(omega)} · |I_port(omega)|^2，并与 |E_rad|/|H_rad| 趋势一致。
• 抗扰反向映射：外部 E_ext/H_ext 或缆束/端口注入改变 w_{p,m}(omega) 的分配，驱动 Δarg Z 与 T_arr 的可校准平移。

III. 公设清单（P10-EMI-*）

• P10-EMI-1（正实辐射通道）
  陈述：当几何/屏蔽不连续激活外泄路径 γ_side 时，
  Z_eft(omega) = Z_ref(omega) + ΔZ_T(omega) + ΔZ_rad(omega)，
  且 Re{ΔZ_rad(omega)} ≥ 0 并满足 K–K 一致，封堵/闭合后 Re{ΔZ_rad} 单调下降。
  适用域/约束：端口归一一致（Znorm(omega)/混合模）；路径/测度显式。
  可证伪要点：若 Re{ΔZ_rad}<0 或封堵后不降，否决通道判定或映射流程。
• P10-EMI-2（端口—场量功率等效）
  陈述：外泄功率满足
  P_rad(omega) ≈ (1/2) · Re{ΔZ_rad(omega)} · |I_port(omega)|^2，
  与 |E_rad|/|H_rad| 频率趋势单调一致。
  适用域/约束：检测器 detector∈{pk,qpk,avg}、IF 带宽/时间常数在数据卡记录；场探头/天线因子版本化。
  可证伪要点：端口估计的 P_rad 与场量包络趋势显著不一致时否决等效。
• P10-EMI-3（路径—权重联动）
  陈述：外泄路径权重与辐射修正同向变化：w_{side}(omega) ↑ ⇒ Re{ΔZ_rad}(omega) ↑，并导致 ΔW = Σ_{p,m}|w_{p,m}(ω2)-w_{p,m}(ω1)| 上升；回流闭合/缝隙封堵使二者下降。
  适用域/约束：Σ_{p,m} w_{p,m} ≤ 1；路径/模态集合与 binding_ref 一致。
  可证伪要点：ΔW 方向与 Re{ΔZ_rad} 不一致则否决路径—权重模型或标注。
• P10-EMI-4（抗扰反向一致性）
  陈述：在固定注入口径下，E_ext/H_ext 或端口/缆束注入引起的 Δarg Z 斜率与 T_arr 漂移可由 w_{p,m} 的再分配线性/单调地解释。
  适用域/约束：混合模归一优先，回投 SE 域前保持功率与互易。
  可证伪要点：Δarg Z/T_group 的偏移与 w_{p,m} 预测不符即否决注入记录或归一设置。
• P10-EMI-5（两口径一致）
  陈述：对同一 gamma(ell) 与 n_eff，两种 T_arr 写法在不确定度内一致：
  |T_arr^{(n_over_c)} − T_arr^{(n_over_c_times_n)}| ≤ u(T_arr)。
  可证伪要点：差值超门拒绝发布或退回路径/单位/记录核查。

IV. 工程推论与最小规则

• 封堵优先：先处理 sigma_seam 高、未闭合回流与长残桩，优先降低 Re{ΔZ_rad} 与 ΔW。
• 混合模归一先行：DM/CM 归一后再回投端口域，确保 S↔Z 循环的 passivity/KK。
• 窗口内评估：相干窗内做 KPI（E_phase/GDR）与功率等效，窗外采用能量合成。

V. 工程实现与记录（片段）

• 相位改正：arg Z_corr(omega) = arg Z_raw(omega) − ( omega · Δt_sync )。
• 记录模板：
• emi_record:
• band_GHz: [f_min, f_max]
• normalization: {Znorm_ohm:[50.0,50.0], mixed_mode:{enabled:true, T_mm:"/cfg/T_mm.yaml", Z0_mm_ohm:[100,25]}}
• arrival: {form:"n_over_c", gamma:"explicit", measure:"d_ell", c_ref:299792458.0, Tarr_s:..., u_Tarr_s:..., delta_form:"n_over_c"}
• geometry: {seams:{sigma_seam_S:0.12, locations:["J3_gap"]}, stubs:{max_len_mm:3.5}}
• impedance: {Z_eft:{real:[...], imag:[...]}, deltaZ_rad:{Re_ohm:[...], Im_ohm:[...]}} # Re ≥ 0
• fields: {E_rad_peak_dBuV_m:[...], H_rad_peak_dBA_m:[...], I_CM_A:[...]}
• weights: {w_main:[...], w_side:[...], ΔW: 0.19}
• qa_gates: {check_dim:"pass", passivity:"pass", KK:"pass"}

VI. 基线与参考装置（可复现）

• 缝隙/开口板（可封堵）：验证 Re{ΔZ_rad} ≥ 0 与封堵后下降，场量与 I_CM 同步下降。
• 回流跨接/残桩板：验证 w_side↑ → ΔZ_rad↑ → 场量↑ 与闭合后的反向关系。
• 混合模/缆束夹具：验证 DM/CM 归一、I_CM 与 ΔZ_rad/ΔW 趋势一致。
• 配套 dataset_card/pipeline_card/env_lock 与参考输出，用于回归与发布门。

VII. 可证伪准则（本章对应）

• J-EMI-1：Re{ΔZ_rad}<0 或 KK 失败，否决 P10-EMI-1 或归一映射。
• J-EMI-2：封堵后 Re{ΔZ_rad} 与 |E_rad|/|I_CM| 未同步下降，否决通道判定与几何记录。
• J-EMI-3：ΔW 趋势与 Re{ΔZ_rad} 不一致，否决路径—权重模型。
• J-EMI-4：注入下 Δarg Z/T_group 偏移与 w_{p,m} 预测不符，否决抗扰一致性。
• J-EMI-5：两口径 T_arr 差超 u(T_arr)，拒绝发布。

VIII. 跨章引用与闭环

• 依赖：第2章（术语与符号）、《EDX.HighSpeed》第13章（EMI/EMC 协同）、第8章（S↔Z 映射）、第7章（KPI）。
• 对接：第4章（最小方程与等效源）、第5章（缝隙与屏蔽连续性）、第6–8章（缆束/注入与映射）、第9章（计量链）、第10章（证伪）。