目录 / 文档-技术白皮书 / 42-EFT.WP.Heat.Decoherence v1.0
I. 目标与适用域
- 在统一的噪声—谱—响应—速率映射框架下,给出五类主流平台(SC 超导电路、半导体器件、自旋体系、光机系统、声学谐振器)的平台化退相干通道与可执行建模流程:识别主导噪声源与耦合算符,形成 J(ω) → {Γ_1, Γ_φ} 的平台专属映射与计量链。
- 全文公式/符号/定义统一英文并用反引号;单位 SI;ω/f 与 PSD 口径按第2章固定;谱估计与 FDT 参照第5章;开放系统映射参照第4章。
II. 最小方程与公设(S70-*)
- S70-1(通道叠加与指标):平台总退相干率按通道加和
Γ_1 = Σ_c Γ_1^{(c)},Γ_φ = Σ_c Γ_φ^{(c)},(1/T_2) = Γ_φ + (1/2) Γ_1,Q = ω_0 / Γ_1(谐振式)。 - S70-2(频率漂移耦合):当本征频率 ω_0 受控制参数 λ 扰动,Δω = (∂ω_0/∂λ) δλ,则
Γ_φ^{(λ)} = (1/2) S_{ΔωΔω}(0) = (1/2) (∂ω_0/∂λ)^2 S_{λλ}(0)。在序列控制下
χ(t) = ( (∂ω_0/∂λ)^2 / π ) ∫_0^∞ dω S_{λλ}(ω) |F(ω)|^2 / ω^2。 - S70-3(弛豫耦合):对跃迁算符 A,黄金律
Γ_1^{(A)}(ω_0,T) = (π/2) |A_{eg}|^2 J_A(ω_0) coth(ħω_0/2k_B T);对介质损耗通道,采用参与比映射:
1/Q_{die}(ω_0) = Σ_i p_i(ω_0) tanδ_i(ω_0),Γ_1^{(die)} = ω_0 /(2 Q_{die})。 - S70-4(声子/辐射通道标度):声子 J_ph(ω) ∝ ω^{s_ph}(体材料常取 s_ph≈3 或压电 ≈1),辐射 J_γ(ω) ∝ ω^3;映射到 Γ_1 ∝ J(ω_0)。
- S70-5(表面/界面与 TLS):表面 TLS 给出 S_{λλ}(ω) ≈ A^2/|ω|^γ(γ≈1)与洛伦兹叠加;低频主导 Γ_φ,高频尾部影响 Γ_1。
- S70-6(准粒子/杂质自旋):超导准粒子密度 x_qp 产生 Γ_1^{(qp)} ∝ x_qp;自旋浴噪声 S_{B_zB_z}(ω) 通过磁矩耦合给出 Γ_φ^{(hf)} = (γ·)^2 S_{B_zB_z}(0)/2。
- S70-7(光机与声学热化):机械模 Γ_m(T) = Γ_{m,0} + Γ_{th}(T),相干退相干率 Γ_{th} ≈ Γ_m n̄(ω_m,T);辐射压回噪与夹持损耗叠加到 Γ_1。
III. 平台模型与通道(SC / 半导体 / 自旋 / 光机 / 声学)
- A. SC(超导电路)
- 主通道:1/f 通量噪声(λ=Φ)、临界电流/电荷噪声(λ=I_c,Q_g)、介质 TLS 损耗、准粒子、辐射泄漏。
- 映射:
- 去相干:Γ_φ^{(λ)} = (1/2) (∂ω_0/∂λ)^2 S_{λλ}(0);DD 滤波用 |F(ω)|^2 抑制带宽内的 S_{λλ}。
- 弛豫:参与比 p_i 与 tanδ_i → Q_{die};辐射 J_γ(ω_0) → Γ_1^{(rad)};准粒子 x_qp → Γ_1^{(qp)}。
- B. 半导体(量子点/二维材料/囚禁电荷)
- 主通道:电荷噪声(栅介质与陷阱)、声子—电子耦合(变形势/压电)、界面粗糙。
- 映射:Γ_1^{(ph)}(ω_0) ∝ J_ph(ω_0);Γ_φ^{(Q)} = (1/2) (∂ω_0/∂Q)^2 S_{QQ}(0);温度与应力改变 J_ph 形状参数。
- C. 自旋体系(NV/供体/量子点自旋/自旋阱)
- 主通道:超精细场 B_n(Overhauser)、偶极–偶极自旋浴、表面自旋/噪声,及声子诱导 T_1。
- 映射:Γ_φ^{(hf)} = (γ_e)^2 S_{B_zB_z}(0)/2;Γ_1^{(ph)}(ω_0) ∝ J_ph(ω_0) coth(ħω_0/2k_B T);DD 提升对低频磁噪的抑制。
- D. 光机系统(Optomechanics)
- 主通道:机械内损(Akhiezer/热弹/夹持)、辐射压回噪、光学损耗/吸收加热。
- 映射:Γ_{th} ≈ Γ_m n̄(ω_m,T);控制滤波针对 S_{FF}(ω);光学腔 κ 与机械耦合率 g_0 进入有效 J(ω)。
- E. 声学谐振器(MEMS/SAW/BAW)
- 主通道:Akhiezer(高 T, 高 f)、Landau–Rumer(低 T, 高 f)、热弹、界面/表面粗糙与锚点损耗。
- 映射:Q^{-1} = Q_{AKE}^{-1} + Q_{LR}^{-1} + Q_{TED}^{-1} + Q_{surf}^{-1},Γ_1 = ω_0 / Q;TED 与温度梯度耦合到第6章温场。
IV. 计量链与数据契约(必备字段)
unit_system: "SI"
platform: "SC|Semiconductor|Spin|Optomech|Acoustic"
device:
omega0: "<rad/s>", bias: {lambda: "<Φ|Q|I_c|B|...>", d_omega_d_lambda: "<rad/s/unit>"}
channels:
dephasing:
params: {domega_dlambda: "<rad/s/unit>"}
psd: {S_ll: "<model|table>", one_over_f: {A:"<...>", gamma:"~1", omega_L:"<rad/s>"}}
relaxation:
dielectric: {p: [{region:"...", value:"<...>"}], tan_delta: [{mat:"...", value:"<...>"}]}
radiation: {J_gamma: "<model|NEC|fit>"}
quasiparticle: {x_qp: "<...>"}
spin:
Bz_psd: "<S_BzBz(ω)>", gamma_e: "<rad/s/T>"
phonon:
J_ph: {family:"ohmic|piezo|custom", params:{eta:"<...>", s:"<...>", omega_c:"<rad/s>"}}
control:
sequence: "Ramsey|Echo|CPMG|Uhrig|custom", timing: "<{t_k}>"
outputs:
rates: ["Gamma1","Gamma_phi","T1","T2","Q"], spectra: ["S_eff(ω)","S_ll(ω)"]
uncertainty:
Σ_y: "<blocks>", priors: {eta:"...", s:"...", omega_c:"...", tan_delta:"..."}
references: ["Heat.Decoherence v1.0:Ch.2 S20-*","Ch.4 S40-*","Ch.5 S50-*","Ch.6 S60-*"]
V. 算法流程(M7-*)
- M7-1(通道识别与谱装配):基于平台与工艺清单列出候选通道 → 由第5章谱估计/文献拟合装配 S_{λλ}(ω), J(ω)。
- M7-2(速率映射与序列响应):用 S70-2/3 与滤波函数 |F(ω)|^2 计算 {Γ_1, Γ_φ},给出 T_1/T_2/Q。
- M7-3(温度/频率/偏置扫描):生成 Γ(T, ω_0, λ) 的响应面,识别临界温区与“甜点”(∂Γ/∂λ ≈ 0)。
- M7-4(通道分解与优先级):Shapley/灵敏度将 {Γ_1, Γ_φ} 分摊到各通道,输出缓解优先级雷达图。
- M7-5(验证与回归):与时域序列(Ramsey/回波)和频域谱(PSD/互谱)交叉验证,更新数据卡与不确定度。
VI. 实现绑定与接口(I70-*)
- I70-1 assemble_platform_psd(platform, data, priors) -> {S_ll(ω), J(ω), meta}
- I70-2 map_rates(omega0, d_omega_d_lambda, S_ll, J, T, control) -> {Gamma1, Gamma_phi, T1, T2, Q}
- I70-3 scan_response(axes, model) -> {Gamma_maps, sweet_spots}
- I70-4 decompose_channels(rates, models) -> {contribs, ranking}
- I70-5 validate_vs_sequences(seq_data, psd) -> {pass@coverage, residuals, update}
错误码:E/INPUT(缺参)、E/UNIT(单位不符)、E/NUMERIC(不收敛/非正谱)、E/IDENTIFIABILITY(病态)。
VII. 质量门(本章适用)
- Q1 口径与单位:ω/f、PSD 单/双边与单位列与第2/5章一致;check_dim 通过。
- Q2 正性与守恒:J(ω) ≥ 0,S_{λλ}(ω) ≥ 0;与第6章能量守恒输出温场/热流一致。
- Q3 可辨识性:F = J_θ^T Σ^{-1} J_θ 条件数受控;不足时报告增加带宽/温区或加入先验。
- Q4 交叉验证:时域/频域与温度/频率扫描一致;拟合参数的覆盖率达标。
- Q5 可追溯:材料/工艺/腔函数/TLS/准粒子等参数来源与版本在数据卡 references 中可追溯。
VIII. 交叉引用与本章锚点
- 交叉引用(固定写法):第2章(计量口径)、第4章(开放量子系统映射)、第5章(FDT 与谱估计)、第6章(传热与温场)、第8章(相干工程方案)、第9章(计量与反演)。
- 本章锚点:
最小方程:S70-1—S70-7;流程:M7-1—M7-5;接口:I70-1—I70-5。
IX. 小结
本章把跨平台的噪声—谱—速率映射落到具体器件,形成可执行的通道识别、速率计算与验证流程,并给出通道优先级与工程缓解的量化依据;与第4/5/6章的机制与温场、及第8/9章的工程与计量环节对接,支撑跨温区、跨工艺的一致化退相干评估与优化。
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首次发布: 2025-11-11|当前版本:v5.1
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